[发明专利]近源栅近漏栅分立控制型无掺杂场效应晶体管有效
| 申请号： | 201310519246.5 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103545375B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 靳晓诗;刘溪;揣荣岩 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙)21115 | 代理人： | 宋铁军,周楠 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 近源栅近漏栅 分立 控制 掺杂 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种近源栅近漏栅分立控制型无掺杂场效应晶体管，包括单晶硅衬底（7）；其特征在于：单晶硅衬底（7）凸起部分的中部上方为栅极绝缘层（6）；单晶硅衬底（7）凸起部分的两端上方分别为源电极（1）和漏电极（4）；单晶硅衬底（7）凹槽部分填充有绝缘介质层（5）；栅极绝缘层（6）上方为近源栅电极（2）和近漏栅电极（3）；源电极（1）、漏电极（4）、近源栅电极（2）和近漏栅电极（3）之间通过绝缘介质层（5）彼此隔离；单晶硅衬底（7）为无需引入杂质的纯单晶硅衬底材料，或杂质浓度含量小于1016cm-3的低杂质浓度的单晶硅衬底材料；源电极（1）和漏电极（4）分别与单晶硅衬底（7）凸起部分的两端接触并形成肖特基势垒；栅极绝缘层（6）是通过对单晶硅衬底（7）氧化生成的二氧化硅层，或者是通过淀积工艺生成的具有高介电常数的绝缘材料介质层，所述的具有高介电常数的绝缘材料介质层为二氧化铪、四氮化三硅或三氧化二铝。
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