[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310315000.6 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103390609A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，该器件包括：衬底；位于衬底的晶体管，包括：栅极、源极和漏极；位于衬底和晶体管上的第一层间介质层；位于第一层间介质层内的第一和第二导电插塞；位于第一层间介质层上的第一和第二互连线，第一、第二互连线分别与第一、第二导电插塞电连接；位于第一层间介质层、第一和第二互连线上的第二层间介质层；位于第一和第二层间介质层内的第三导电插塞；位于第二层间介质层上并与第三导电插塞电连接的第三互连线；第一、第二和第三导电插塞中，一个与源极电连接、一个与漏极电连接、另一个与栅极电连接。该器件减小了与晶体管连接的互连线之间的寄生电容，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底的晶体管，包括：栅极、源极和漏极；位于所述衬底和晶体管上的第一层间介质层；位于所述第一层间介质层内的第一导电插塞和第二导电插塞；位于所述第一层间介质层上的第一互连线和第二互连线，所述第一互连线与第一导电插塞电连接，所述第二互连线与第二导电插塞电连接；位于所述第一层间介质层、第一互连线和第二互连线上的第二层间介质层；位于所述第一层间介质层和第二层间介质层内的第三导电插塞；位于所述第二层间介质层上的第三互连线，所述第三互连线与第三导电插塞电连接；所述第一导电插塞、第二导电插塞和第三导电插塞中，一个与所述源极电连接、一个与所述漏极电连接、另一个与所述栅极电连接。
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