[发明专利]半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。提高由氮化物半导体材料制成的场效应晶体管的可靠性。一种欧姆电极包括多个隔离以彼此分开的单元电极。利用这种构造，可以防止导通态电流在y轴方向（负方向）上在单元电极中流动。此外，在相应的单元电极中，可以防止在y轴方向（负方向）上流动的导通态电流的电流密度增加。结果，可以提高欧姆电极的电迁移阻抗。

主权项

一种包括场效应晶体管的半导体器件，所述场效应晶体管包括：（a）氮化物半导体层；（b）第一欧姆电极，所述第一欧姆电极包括与所述氮化物半导体层欧姆接触并且彼此分离开的多个第一单元电极；（c）第二欧姆电极，所述第二欧姆电极具有与所述氮化物半导体层欧姆接触并且彼此分离开的多个第二单元电极，其中所述第二欧姆电极与所述第一欧姆电极分离开；（d）栅电极，所述栅电极被夹在所述第一欧姆电极和所述第二欧姆电极之间；（e）绝缘膜，所述绝缘膜被形成为覆盖所述第一欧姆电极和所述第二欧姆电极；（f）多个第一开口部分，所述多个第一开口部分形成在所述绝缘膜中，并且到达构成所述第一欧姆电极的相应的第一单元电极；（g）多个第二开口部分，所述多个第二开口部分形成在所述绝缘膜中，并且到达构成所述第二欧姆电极的相应的第二单元电极；（h）源电极，所述源电极从所述第一开口部分的内部延伸到所述绝缘膜上，并且与所述第一欧姆电极电连接；以及（i）漏电极，所述漏电极从所述第二开口部分的内部延伸到所述绝缘膜上，并且与所述第二欧姆电极电连接，其中所述漏电极与所述源电极电隔离。