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[发明专利]隔离器-CN202210802501.6在审
发明人：藤庆彦;根贺亮平;大黑达也;镰仓孝信 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01P1/375 文献下载
摘要：本发明的隔离器具备：第一结构体，具有：第一电极；第一绝缘部，设置于第一电极上；第二电极，设置于第一绝缘部上；第二绝缘部，沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围；以及第一电介质部，连续地设置于第一绝缘部与第二电极之间及第二绝缘部与第二电极之间，第一电介质部的相对介电常数高于第一绝缘部，且高于第二绝缘部，第二结构体，具有：第三电极；及第四电极，一端与第二电极的一端电连接，第一绝缘部设置于第三电极之上，第四电极设置于第一绝缘部之上，与第三电极对置，第二绝缘部沿着第一面设置于第四电极的周围，第一电介质部连续地设置于第一绝缘部与第四电极之间及第二绝缘部与第四电极之间。
隔离器

[发明专利]隔离器-CN202210586280.3在审
发明人：石黑阳;根贺亮平;藤庆彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01P1/375 文献下载
摘要：本发明的隔离器具备：第一电极；第一绝缘部，设置于第一电极之上；第二电极，设置于第一绝缘部之上；第二绝缘部，包围第二电极而设置，沿着与第一方向垂直的第一面而设置，与第二电极接触；第一电介质部，设置于第二电极之上及第二绝缘部之上；以及第二电介质部，设置于第一绝缘部与第二绝缘部之间，第二电极具有：与第一绝缘部相对置的底面、与第一电介质部相对置的上表面及与上表面及底面连接的侧面，第二电介质部与第二电极接触，包含第一及第二电介质层，第一电介质层与第一绝缘部接触，第二电介质层设置于第一电介质层与第二绝缘部之间，第一电介质层具有比第二电介质层、第一绝缘部及第二绝缘部的相对介电常数高的相对介电常数。
隔离器

[发明专利]隔离器-CN202010798584.7有效
发明人：藤庆彦;根贺亮平;大黑达也;镰仓孝信 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01P1/375 文献下载
摘要：根据一个实施方式，隔离器具备第一电极、第一绝缘部、第二电极、第二绝缘部以及第一电介质部。第一绝缘部设置于第一电极上。第二电极设置于第一绝缘部之上。第二绝缘部沿着与从第一电极朝向第二电极的第一方向垂直的第一面设置于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部在第一方向上设置于第一绝缘部与第二绝缘部之间。第一电介质部的至少一部分沿着第一面位于第二电极的周围，与第二电极接触。第一电介质部与第二绝缘部的第一界面与第二电极的下端之间的第一方向上的距离，比第一界面与第二电极的上端之间的第一方向上的距离短。第一电介质部的相对介电常数比第一绝缘部的相对介电常数高，且比第二绝缘部的相对介电常数高。
隔离器

[发明专利]隔离器-CN202010798666.1有效
发明人：石黑阳;根贺亮平;藤庆彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01P1/375 文献下载
摘要：实施方式的隔离器具备：第一电极；第一绝缘部，设置于所述第一电极之上；第二电极，设置于所述第一绝缘部之上；第二绝缘部，沿着与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向垂直的第一面设置于所述第二电极的周围，并与所述第二电极接触；以及第一电介质部，设置于所述第二电极及所述第二绝缘部之上。所述第二电极具有与所述第一绝缘部相对置的底面、与所述第一电介质部相对置的上表面、与所述底面相连的第一侧面及与所述上表面及所述第一侧面相连的第二侧面。沿着所述第一面，在从所述第二电极的中心朝向所述第二电极的外缘的第二方向上，所述上表面被设置为比所述底面宽，所述第一侧面相对于所述底面及所述第二侧面倾斜。
隔离器

[发明专利]隔离器-CN202010894429.5在审
发明人： 根贺亮平;藤庆彦;大黑达也;镰仓孝信 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：实施方式的隔离器具备：基板；第一平面线圈，在所述基板的上方沿着所述基板的表面设置；第一绝缘部，设置于所述第一平面线圈上；第二平面线圈，设置于所述第一绝缘部之上；及金属层，设置于所述第一绝缘部的上方。所述第一平面线圈、所述第二线圈及所述金属层在与所述基板的所述表面垂直的第一方向上并排配置。在沿着所述基板的所述表面的第二方向上，从所述第一平面线圈的中心线到外周的距离比从所述第二平面线圈的中心到外周的距离短。
隔离器

[发明专利]加工装置-CN201510507207.2有效
发明人：松田智人;根贺亮平;生岛充 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： B23Q3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种加工装置，其能够降低振动对加工造成的影响。加工装置构成为，具备：保持构件(8)，其保持被加工物(11)；加工构件(14)，其加工被加工物；装置基座(4)，其上配设有保持构件和加工构件；以及装置框架(18)，其包围装置基座、保持构件以及加工构件的周围，并对成为振动的产生源的部件进行支持，装置基座与装置框架分别独立地立起设置，通过防振部件(28)相接，由此维持彼此的位置关系，从部件产生的振动被防振部件吸收。
加工装置

[发明专利]半导体器件-CN201410090758.9有效
发明人：中山达峰;宫本广信;冈本康宏;根贺亮平;金泽全彰;井上隆 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，为了改进半导体器件的性能。例如，假设在缓冲层和沟道层之间插入超晶格层，被引入到形成超晶格层的一部分的氮化物半导体层中的受主的浓度高于被引入到形成超晶格层的另一部分的氮化物半导体层中的受主的浓度。也即，被引入到具有小带隙的氮化物半导体层中的受主的浓度高于被引入到具有大带隙的氮化物半导体层中的受主的浓度。
半导体器件

[发明专利]刀片切削装置-CN201510486123.5在审
发明人：松田智人;生岛充;根贺亮平 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供刀片切削装置。旋转切削板状的被加工物的刀片切削装置具有：刀片切削构件，其包含主轴、主轴外壳以及刀片轮；门型的支承构件，其支承刀片切削构件；水平移动构件，其配设于门型的支承构件，使刀片切削构件在与卡盘工作台的移动路径垂直的方向上移动；刀片切削构件进给机构，其使刀片切削构件在与卡盘工作台的保持面垂直的方向上移动；切削液供给喷嘴，其在旋转切削时至少向加工部位供给切削液，卡盘工作台的与移动路径垂直的方向的宽度大于刀片轮的直径，刀片切削构件配设为：能够在借助水平移动构件而能够移动的范围中的任意的位置进行旋转切削加工。
刀片切削装置

[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法-CN201410332369.2在审
发明人：中山达峰;金泽全彰;冈本康宏;井上隆;宫本广信;根贺亮平 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。电极与AlGaN层欧姆接触。半导体器件(SD)具有氮化物半导体层(GN2)，Al_xGa_(1-x)N层(AGN)即“AlGaN层(AGN)”，以及Al电极(DE、SE)。在AlGaN层(AGN)中，满足0<x≤0.2。在AlGaN层(AGN)中的p型杂质的浓度和n型杂质的浓度都是1×10¹⁶cm^-3或者更低。在本示例中，通过例如Be、C以及Mg例示p型杂质。通过Si、S以及Se例示n型杂质。Al电极(DE、SE)被连接到AlGaN层(AGN)。因为Al的组分比不限于上述范围，所以使Al电极(DE、SE)与AlGaN层(AGN)欧姆接触。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201310293438.9有效
发明人：冈本康宏;井上隆;中山达峰;根贺亮平;金泽全彰;宫本广信 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。提高由氮化物半导体材料制成的场效应晶体管的可靠性。一种欧姆电极包括多个隔离以彼此分开的单元电极。利用这种构造，可以防止导通态电流在y轴方向（负方向）上在单元电极中流动。此外，在相应的单元电极中，可以防止在y轴方向（负方向）上流动的导通态电流的电流密度增加。结果，可以提高欧姆电极的电迁移阻抗。
半导体器件

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