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[发明专利]一种LED外延薄膜结构-CN202310560944.3在审
发明人：江汉;赵丽霞;徐洋洋;陈佳伟;程虎;黎国昌;王文君;苑树伟 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请提供一种LED外延薄膜结构。所述结构通过在N型GaN层中间设置调理层，调理层中以AlGaN层为电流扩展层以形成横向扩展便于载流子的扩散，提高LED器件电流耐受能力。以InGaN层作为湮灭层，缓解晶体生长过程中产生的晶格缺陷、位错现象，以提高多量子阱垒层的长晶质量。以SiNx位湮灭层，缓解晶体生长导致的内界面凹凸现象，并辅助形成屏蔽效应和沟壑层效应，以提升载流子扩散能力。接触层通过类金属接触层、MgN层以及反型P型接触层，提供高空穴浓度的高位夹层，有利于载流子扩散。并且通过增强欧姆接触效应，进一步提升载流子的扩散能力以及LED器件的电流耐受能力。
一种 led 外延薄膜结构

[发明专利]一种低蓝光组分可变光LED外延结构及制备方法-CN202310396516.1在审
发明人：江汉;程虎;徐洋洋;黎国昌;王文君;苑树伟;徐志军;徐彤 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提供一种低蓝光组分可变光LED外延结构及制备方法，所述外延结构包括衬底；生长于所述衬底之上的缓冲层；生长于所述缓冲层上的N型GaN层；生长于所述N型GaN层之上的多量子阱发光层；生长于所述多量子阱发光层之上的电子阻挡层；以及，生长于所述电子阻挡层之上的P型GaN层。通过生长在N型GaN层上的多层结构的多量子阱发光层，使由所述外延结构构成的LED芯片在电致发光过程中散发双波长的光线，且光线的波长配比能够随电流密度的变化而变化，从而降低LED中的蓝光组分，并减少了低蓝光组分LED中的芯粒数量，提高低蓝光组分LED的良品率。
一种低蓝光组分可变 led 外延结构制备方法

[发明专利]一种发光二极管及制备方法-CN202211650869.1在审
发明人： 黎国昌;陈浩;江汉;徐志军;程虎;徐洋洋;王文君;苑树伟 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管及制备方法，二极管包括应力释放层和量子阱层保护结构；量子阱层保护结构包括依次沉积的至少一个循环结构，每个循环结构包括：在应力释放层上依次沉积的AlGaN垒层、第一AlN保护层、第二AlN保护层、第一AlInN保护层、InGaN阱层、第二AlInN保护层、第三AlN保护层和第四AlN保护层，第一AlInN保护层和第二AlInN保护层中的In组分含量均从远离InGaN阱层至靠近InGaN阱层的方向逐渐增大。通过设置第一AlInN保护层和第二AlInN保护层，保证InGaN阱层中含有较高的In组分含量，以获得高质量高发光率的红黄光InGaN阱层，保证发光二极管的发光效率。
一种发光二极管制备方法

[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法-CN202210166545.4有效
发明人：徐洋洋;江汉;徐志军;黎国昌;程虎;王文君;苑树伟 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种LED外延结构及其制备方法。LED外延结构包括：3D层、UGaN层、多量子阱层MQW和电子阻挡层EBL，所述多量子阱层MQW包括界面过渡层；其中，在所述3D层和所述UGaN层之间设置有第一BN结构层，在所述界面过渡层中设置有第一BGaN结构层，在所述电子阻挡层EBL中设置有第二BN结构层或者第二BGaN结构层。本申请通过在LED外延结构中插入BN结构层和BGaN结构层，利用其原子间作用力小、禁带宽度大的特点，可以有效的降低位错密度、释放应力，提升晶格质量；提高电子阻挡率和电子利用率，从而提升LED的发光效率。
一种 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体发光元件及制备方法-CN202211586914.1在审
发明人： 黎国昌;江汉;徐志军;程虎;徐洋洋;王文君;苑树伟 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体发光元件及制备方法。半导体发光元件包括衬底；沉积在衬底上的多量子阱发光层；在多量子阱发光层上依次沉积的第一电子阻挡层、第一空穴加速层、第一空穴提供层，第一空穴加速层的In组分含量从靠近第一电子阻挡层一侧到靠近第一空穴提供层一侧相同或逐渐增大；在第一空穴提供层上依次沉积的第二电子阻挡层、第二空穴加速层、第二空穴提供层，第二空穴加速层的In组分含量从靠近第二电子阻挡层一侧到靠近第二空穴提供层一侧相同或逐渐增大。通过控制InGaN中In组分含量高低来控制InGaN势垒高低，可有效提升空穴注入效率，提升多量子阱发光层电子和空穴的复合效率，最终提升半导体发光元件的发光效果。
一种半导体发光元件制备方法

[发明专利]复合衬底LED外延结构及其制备方法-CN202111394912.8有效
发明人：江汉;徐志军;黎国昌;徐洋洋;程虎;王文君;苑树伟 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明揭示了一种复合衬底LED外延结构，其特征在于：所述复合衬底LED外延结构包括复合衬底、GaN粗化层、SiN层和GaN覆盖层，所述复合衬底包括基板和图形化层，所述图形化层设置于所述基板上方；所述图形化层至少包含两个微结构，相邻两个微结构间隔一间隙露出所述基板形成生长区；所述GaN粗化层设置于所述生长区，沿所述图形化层方向覆盖所述基板上表面；所述GaN覆盖层沿所述图形化层方向设置于所述GaN粗化层上方；所述SiN覆膜层设置于所述GaN覆盖层和所述图形化层之间。本发明通过优化GaN粗化层结构设计，以及在GaN覆盖层和异质层间生长SiN覆膜层，能有效解决GaN材料在异质层材料表面生长吸附性较差的难题，提升生长效率。
复合衬底 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法和应用-CN202111520260.8有效
发明人： 黎国昌;徐志军;江汉;程虎;徐洋洋;王文君;苑树伟 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请示出一种LED外延结构及其制备方法和应用。LED外延结构包括:第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层；其中，第一多量子阱发光层的第一shoes层厚度设置为5埃至20埃；第一well层厚度设置为25埃至40埃，In组分设置为0％至3％；第一cap层厚度设置为5埃至20埃；第一Barrier层厚度设置为50至150埃，Si掺杂浓度设置为1e17至1e18，Al组分设置为10至20％；第二多量子阱发光层的第二shoes层厚度设置为5埃至20埃；第二well层厚度设置为25埃至40埃，In组分设置为4％至6％；第二cap层厚度设置为5埃至20埃；第二Barrier层厚度设置为50埃至150埃，Si掺杂浓度设置为1e17至1e18，Al组分设置为10％至20％。本申请示出的技术方案，能够解决365nm～375nm波段LED会发黄光的问题。
一种 led 外延结构及其制备方法应用

[发明专利]一种基于氧化铝氧化硅复合衬底的LED芯片及其制造方法-CN202211021069.3在审
发明人：江汉;程虎;徐洋洋;黎国昌;徐志军;卓昌正;王文君 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本申请提供一种基于氧化铝氧化硅复合衬底的LED芯片及其制造方法，所述LED芯片氧化铝氧化硅复合PSS衬底、复合缓冲层和LED结构层，其中，所述复合缓冲层外延生长在氧化铝氧化硅复合PSS衬底上，所述LED结构层外延生长在复合缓冲层上。所述复合缓冲层包括：氮氧化铝/氮化铝层和氮氧化硅层，所述氧化铝氧化硅复合PSS衬底中的氧化铝上由所述氮氧化铝/氮化铝层覆盖，所述氧化铝氧化硅复合PSS衬底中的氧化硅上由所述氮氧化铝/氮化铝层和氮氧化硅层交错间隔覆盖。复合缓冲层在氧化铝和氧化硅材料上有更好厚度均匀性，并且可以更好缓冲氧化铝氧化硅复合PSS衬底到LED垒晶底层因材质不同引起的晶格失陪和应力释放，减少衔接层处的缺陷。
一种基于氧化铝氧化复合衬底 led 芯片及其制造方法

[发明专利]一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法-CN202111328568.2有效
发明人：徐洋洋;江汉;徐志军;黎国昌;程虎;王文君;苑树伟 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明揭示了一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法。LED外延结构从下向上依次包括衬底、UGaN层、N型GaN层、应力缓冲层、多量子阱发光层及P型GaN层。本发明于外延结构中增加应力缓冲层，可降低底层衍生上来的位错，提升晶格质量，并且可降低应力。而应力缓冲层中的AlGaN/AlN复合层降低底层衍生上来的位错，提升晶格质量，且高低温生长的GaN层能够有效的降低因Al导致的压应力增大问题，而良好的晶格质量为浅量子阱层InN/InGaN的结构生长提供了基础；AlGaN/AlN复合层的禁带宽度明显大于AlGaN结构，能进一步阻挡电子，提高电子利用率，从而提升发光效率；AlGaN/AlN复合层的设计，因反射率的不同，可更好地进行光的反射(类似布拉格反射DBR作用)，进而减少光在传输过程中的损失。
一种 led 外延结构芯片制备方法

[实用新型]一种LED外延片-CN202221042111.5有效
发明人：王文君;江汉;黎国昌;徐洋洋;程虎;苑树伟 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本申请提供一种LED外延片，LED外延片的N型GaN层包括N_SL层和N_Bulk层。N_SL层包括第一N_SL层和第二N_SL层，第一N_SL层和第二N_SL层从下至上依次循环设置，N_Bulk层包括第一N_Bulk层和第二N_Bulk层。N_SL层和N_Bulk层等效形成多个电容结构，不同浓度的硅掺杂度增强电流扩散，提升LED外延片的抗静电能力。N_SL层和N_Bulk层结构设置降低生长量子阱发光层位错密度，提升量子阱发光层晶格质量。本申请提供的LED外延片在制造过程中，MOCVD设备的SiH4阀组不需要较高的开关频率，提高SiH4阀组的使用寿命，降低生产成本。
一种 led 外延

[发明专利]一种LED外延片及其制造方法-CN202210473261.X在审
发明人：王文君;江汉;黎国昌;徐洋洋;程虎;苑树伟 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本申请提供一种LED外延片及其制造方法，LED外延片的N型GaN层包括N_SL层和N_Bulk层。N_SL层包括第一N_SL层和第二N_SL层，第一N_SL层和第二N_SL层从下至上依次循环设置，N_Bulk层包括第一N_Bulk层和第二N_Bulk层。N_SL层和N_Bulk层等效形成多个电容结构，不同浓度的硅掺杂度增强电流扩散，提升LED外延片的抗静电能力。N_SL层和N_Bulk层结构设置降低生长量子阱发光层位错密度，提升量子阱发光层晶格质量。本申请提供的LED外延片在制造过程中，MOCVD设备的SiH4阀组不需要较高的开关频率，提高SiH4阀组的使用寿命，降低生产成本。
一种 led 外延及其制造方法

[实用新型]一种图形化衬底及具有其的LED-CN202122676752.8有效
发明人：徐洋洋;江汉;徐志军;黎国昌;程虎;王文君;苑树伟 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种图形化衬底及具有其的LED。所述图形化衬底包括凸起阵列以及凹坑阵列；其中，所述凹坑阵列于所述凸起阵列的C面相邻图形间底座间隙蚀刻而得。本实用新型二次蚀刻的倒图形化凹坑可以增加外延层在C面(相邻图形间底座间隙)上生长时间，生成GaN层厚度厚，应力得到释放，增加其上生长外延层晶格质量，且倒图形化凹坑侧壁是非极性面，能减少位错生成，降低位错密度，提高其上生长外延层晶格质量；并且，二次蚀刻的倒图形化凹坑，能增加光反射，提升出光率，从而提升外量子效率，且对于大底宽、高深度图形图案衬底(大底宽，高深度具有较好的取光效果，光散射降低)，倒图形化凹坑设计也能提升晶格质量。
一种图形衬底具有 led

[发明专利]一种垂直外延结构LED芯片及其制备方法-CN202210392086.1在审
发明人：徐洋洋;江汉;徐志军;黎国昌;程虎;王文君;苑树伟 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请提供一种垂直外延结构LED芯片及其制备方法，包括：依次叠层排布的衬底、插入层、导电层、低掺导电层和LED结构层，所述插入层为六方氮化硼层；所述导电层包括多个氮化镓铝/氮化镓异质结层。六方氮化硼层状结构相互间作用力小，剥离对上层外延结构损伤小。利用六方氮化硼层状结构特性，激光剥离技术不会对六方氮化硼层上的结构有破坏，从而提升LED芯片的良率。氮化镓铝/氮化镓异质结的结构因材质不同，可以起到类似芯片DBR作用。而且，通过氮化镓铝/氮化镓异质结层掺硅的浓度逐渐降低设计，能很好的和电极匹配，有着很好的导电和欧姆接触效果。
一种垂直外延结构 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法-CN202110585972.1有效
发明人：徐洋洋;江汉;徐志军;黎国昌;程虎;王文君;苑树伟 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法。所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、第一缓冲层、第一UGaN层、剥离保护层、第二缓冲层、第二UGaN层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层。本发明增加剥离保护层的设计，现有的剥离技术不会对上层外延结构造成破坏，可改善因剥离技术不成熟导致上层外延结构损伤导致漏电率增加，不会影响垂直芯片的电性能，从而增强垂直结构激光剥离成功率和良率。
一种 led 外延结构芯片制备方法

[发明专利]一种图形化衬底、其制备方法及具有其的LED-CN202111295833.1在审
发明人：徐洋洋;江汉;徐志军;黎国昌;程虎;王文君;苑树伟 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明揭示了一种图形化衬底、其制备方法及具有其的LED。所述制备方法包括步骤S1：提供一衬底；步骤S2：于衬底上进行第一次蚀刻，得到具有第一图案的凸起的第一图形化衬底；步骤S3：于第一图形化衬底的第一图案间C面相邻图形间底座间隙进行第二次蚀刻，得到具有第二图案的凹坑，形成具有第一图案及第二图案的第二图形化衬底。本发明二次蚀刻的倒图形化凹坑可以增加外延层在C面(相邻图形间底座间隙)上生长时间，应力得到释放，且倒图形化凹坑侧壁是非极性面，降低位错密度，提高其上生长外延层晶格质量；并且，还能增加光反射，提升出光率，从而提升外量子效率。
一种图形衬底制备方法具有 led

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