[实用新型]欧姆接触性能优化的光子晶体LED芯片

摘要

本实用新型公开了一种欧姆接触性能优化的光子晶体LED芯片。光子晶体LED芯片包括发光单元呈圆台结构，圆台上分布有光子晶体；正电极分布在表面平坦化的圆台结构的电流扩展层上，电流扩展层包含欧姆接触层和电流横向扩散层双层结构；负电极分布在N型掺杂GaN材料上，负电极与N型掺杂GaN材料的分界面上分布有光子晶体。本实用新型在没有图案的平坦的外延片表面沉积透明电流扩展层，并退火形成欧姆接触；本实用新型有源区域的光子晶体提高了发光效率和调制带宽，负电极与N型掺杂GaN材料分界面上的接触面光子晶体以及双层结构的电流扩展层优化了欧姆接触性能。

主权项

1.一种欧姆接触性能优化的光子晶体LED芯片，其特征在于：主体为发光单元，包括金属反射电极、透明电流扩展层、P型掺杂GaN层、P型掺杂AlGaN层、量子阱层、N型掺杂GaN层、非故意掺杂GaN层、GaN缓冲层和蓝宝石衬底，所述金属反射电极包括正电极和负电极，所述蓝宝石衬底与GaN缓冲层接触连接，所述GaN缓冲层与非故意掺杂GaN层接触连接，所述非故意掺杂GaN层与N型掺杂GaN层接触连接，所述N型掺杂GaN层与量子阱层接触连接，所述量子阱层与P型掺杂AlGaN层接触连接，所述P型掺杂AlGaN层与P型掺杂GaN层接触连接，所述P型掺杂GaN层与透明电流扩展层接触连接，所述透明电流扩展层与正电极接触连接，所述N型掺杂GaN层还与负电极接触连接。