专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]液体辅助黏合方法-CN201911017738.8有效
  • 陈立宜 - 美科米尚技术有限公司
  • 2019-10-24 - 2023-10-27 - H01L21/683
  • 本发明公开了一种液体辅助黏合方法,包括:在元件的电极和基板的接触垫之间形成具有液体层的结构,且液体层的两相对表面分别与电极和接触垫接触,其中氢键在电极与接触垫的至少一个和液体层之间形成;及蒸发液体层以破坏氢键,使得电极面向接触垫的表面与接触垫面向电极的表面的至少一个被活化,以便助于在元件的电极和接触垫之间形成扩散黏合,其中电极和接触垫之间的接触面积小于或等于1平方毫米。本发明所提出的液体辅助黏合方法可帮助在电极的表面上的原子与接触垫的表面上的原子之间的电子云重叠,以助于之后形成扩散黏合。
  • 液体辅助方法
  • [发明专利]转移微型元件的方法和元件转移系统-CN202010066351.8有效
  • 陈立宜 - 美科米尚技术有限公司
  • 2020-01-20 - 2023-10-20 - H01L21/67
  • 一种转移微型元件的方法,包括:借由对准辅助机构将可拆卸转移板对准;拾取微型元件并从对准辅助机构拆下可拆卸转移板;移动具有微型元件于其上的可拆卸转移板并组装至接收基板上方的另一个对准辅助机构以形成元件转移组件;将可拆卸转移板上的微型元件与接收基板对准;以及借由另一个对准辅助机构并通过可拆卸转移板将微型元件转移到接收基板上。本发明所提出的转移微型元件的方法可提高转移微型元件的处理量。
  • 转移微型元件方法系统
  • [发明专利]形成导电区域的方法和用于发光二极管的电性接触结构-CN202010071777.2有效
  • 陈立宜;林怡菁 - 美科米尚技术有限公司
  • 2020-01-21 - 2023-10-13 - H01L33/36
  • 一种在发光二极管的顶表面上形成导电区域的方法,包括:准备基板,基板具有顶表面,导电垫在顶表面上;将发光二极管粘合至导电垫,发光二极管具有第一型和第二型半导体层以及主动层;形成聚合物层于基板上,使得从聚合物层的第一表面到基板的顶表面的距离和从聚合物层的第二表面到发光二极管的顶表面的距离之间的差异大于从第二型半导体层与主动层之间的界面到基板的顶表面的距离;以及蚀刻聚合物层直至第二型半导体层,借以从聚合物层露出发光二极管的顶表面。本发明的方法能够减少制程阶段的数量或让制作过程的执行更简单,因此降低成本并提高制造效率。
  • 形成导电区域方法用于发光二极管接触结构
  • [发明专利]双面微型发光二极管显示器-CN201910866424.9有效
  • 陈立宜 - 美科米尚技术有限公司
  • 2019-09-12 - 2023-10-10 - H01L33/60
  • 一种双面微型发光二极管显示器,包含基板、至少一个像素和反光层。基板的至少一部分相对于可见光是透明的。像素包含不透明电极、微型发光二极管和填充材料。不透明电极设置在基板上。微型发光二极管设置在不透明电极上并接触不透明电极。微型发光二极管在基板上的垂直投影与不透明电极在基板上的垂直投影至少部分重叠。填充材料设置在微型发光二极管和基板上。反射层设置在填充材料上。反射层在基板上的垂直投影与基板的前述部分至少部分重叠。本发明所提出的双面微型发光二极管显示器可以定制双面微型发光二极管显示器相反两侧的光强度分布。
  • 双面微型发光二极管显示器
  • [发明专利]用以处理半导体装置阵列的方法-CN201910427527.5有效
  • 陈立宜;张佩瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 - 美科米尚技术有限公司
  • 2017-02-24 - 2023-08-29 - H01L21/683
  • 本发明公开了一种用以处理半导体装置阵列的方法,该方法包含:将半导体装置阵列设置于接收基板上,其中半导体装置阵列具有至少一个故障部分;以及修理半导体装置阵列内的故障部分,其中修理半导体装置阵列内的故障部分包含下面两者的至少一个:当故障部分包含至少一个空缺时以至少一个补丁半导体装置修补半导体装置阵列内的空缺,以及当故障部分包含至少一个损毁半导体装置时以至少一个修复半导体装置修复半导体装置阵列内的损毁半导体装置。借此,当微型装置分别被转移至接收基板的像素时,有瑕疵的微型装置不会被转移至接收基板且也不会占据接收基板的对应像素的空间。
  • 用以处理半导体装置阵列方法
  • [发明专利]基于半监督学习的病灶分割模型训练、应用方法-CN202110395912.3有效
  • 王卓薇;徐超;陈子洋;陈立宜 - 广东工业大学
  • 2021-04-13 - 2023-08-22 - G06T7/11
  • 本发明公开了一种基于半监督学习的病灶分割模型训练、应用方法,涉及图像识别技术领域,解决脑部结构复杂且噪声过多导致的阿尔兹海默症病灶标注困难的技术问题;该病灶分割模型在对图像进行下采样和上采样的时候加入了多域注意力机制,强调需要分割的病灶区域特征,提高模型对图像中病灶区域的关注程度,并抑制非病灶区域特征,以此提升特征图的特征表征能力;另外在模型中加入半监督学习的方法,利用无标签的数据训练网络模型,使用少量的带标注的数据集达到了较好的模型训练效果,极大的节约了人工标注的成本,为临床提供便捷的辅助诊断。
  • 基于监督学习病灶分割模型训练应用方法
  • [发明专利]异常交易检测模型的构建方法、异常交易检测方法及装置-CN202310345476.8在审
  • 陈立宜;罗伟;胡兴源;高冶 - 中国工商银行股份有限公司
  • 2023-04-03 - 2023-07-18 - G06Q40/04
  • 本申请涉及一种异常交易检测模型的构建方法、异常交易检测方法及装置,应用于人工智能领域,包括:获取账户的样本交易数据及对应的交易时间序列;提取交易时间序列中每个交易数据的多个第一类特征和多个第二类特征;根据多个第一类特征获取每个交易数据与交易时间序列中每个交易数据对应的历史交易数据之间的相似度信息;分别对每个交易数据对应的历史交易数据的多个第二类特征与历史交易数据对应的相似度信息进行聚合处理,得到每个交易数据的聚合特征;根据每个交易数据的聚合特征对待训练的异常交易检测模型进行训练,得到训练完成的异常交易检测模型。该方法通过量化交易之间的相似性,模拟人工特征聚合效果,从而可减少对专家知识的依赖。
  • 异常交易检测模型构建方法装置
  • [发明专利]微型发光二极管透明显示器-CN201911288706.1有效
  • 陈立宜 - 美科米尚技术有限公司
  • 2019-12-12 - 2023-06-13 - H01L25/075
  • 一种包含透明基板的微型发光二极管透明显示器。N个像素定义在透明基板上。N组的微型发光二极管设置在透明基板上并分别位于N个像素内。墙垣部设置在透明基板上,围绕N组的微型发光二极管的其中一组以在透明基板上形成包围区域。包围区域的边缘长度等于或小于N组的微型发光二极管的其中一组所位于的N个像素中的一个像素的外缘长度的85%。N个像素中的一个像素在包围区域之外的面积允许光直接穿过微型发光二极管透明显示器。本发明的微型发光二极管透明显示器可增加微型发光二极管透明显示器的透明度。
  • 微型发光二极管透明显示器
  • [发明专利]微型发光二极管-CN201910875329.5有效
  • 陈立宜 - 美科米尚技术有限公司
  • 2019-09-17 - 2023-06-02 - H01L33/14
  • 本发明公开了一种微型发光二极管,其包含第一型半导体层和第二型半导体层。第一型半导体层包含至少一个低阻值部分和扩散型高阻值部分。低阻值部分在第一型半导体层的第一表面和第二表面之间延伸并及于第一表面和第二表面。扩散型高阻值部分在第一表面和第二表面之间延伸并及于第一表面和第二表面。第一型半导体层的厚度小于低阻值部分在第一表面上的侧向长度的一半。低阻值部分和扩散型高阻值部分之间在第一表面上形成界面。客体材料的浓度从界面开始往低阻值部分减少。第二型半导体层通过第二表面与第一型半导体层接合。本发明所提出的微型发光二极管,使单一个微型发光二极管可用作多个发光二极管,并进行数字控制。
  • 微型发光二极管
  • [发明专利]微型发光二极管驱动电路和微型发光二极管显示器-CN201910866442.7有效
  • 陈立宜 - 美科米尚技术有限公司
  • 2019-09-12 - 2023-05-16 - G09G3/32
  • 本发明提供一种微型发光二极管驱动电路,其包含微型发光二极管、第一驱动电晶体和第二驱动电晶体。第一驱动电晶体和第二驱动电晶体分别接收第一驱动电压和第二驱动电压,并电性连接至微型发光二极管和低电压源。第一驱动电晶体的通道与源极端接触的边缘的长度小于第一驱动电晶体的通道与汲极端接触的边缘的长度。第二驱动电晶体的通道与源极端接触的边缘的长度大于或等于第二驱动电晶体的通道与汲极端接触的边缘的长度。第一驱动电晶体的源极端和汲极端之一以及第二驱动电晶体的源极端和汲极端之一分别电性连接至微型发光二极管的一端。本发明所提出的微型发光二极管驱动电路可在实现高动态范围显示下节省像素空间并避免驱动电晶体寿命缩短。
  • 微型发光二极管驱动电路显示器
  • [发明专利]转置头-CN201811448780.0有效
  • 陈立宜 - 美科米尚技术有限公司
  • 2018-11-28 - 2023-05-16 - H01L21/677
  • 本发明提供一种转置头。转置头包含本体。本体具有多个抓取区域的多个阵列,每个阵列包含至少两栏的抓取区域。每栏中的抓取区域电性串联。一个阵列中的栏由单一电压源控制,且两个阵列中的栏分别由两个电压源控制。转置头上的抓取区域以阵列为单元的设计降低了电路设计的复杂度,降低了转置头的制造成本。
  • 转置头
  • [发明专利]微型发光二极管元件结构-CN202210589384.X在审
  • 陈立宜 - 美科米尚技术有限公司
  • 2022-05-26 - 2022-12-09 - H01L33/44
  • 一种微型发光二极管元件结构,包括基板、微型发光二极管、隔离层以及上电极。微型发光二极管和隔离层的凹面之间的接触周缘的高度大于隔离层平坦表面的高度且小于微型发光二极管的高度。隔离层的高度沿远离微型发光二极管的方向自接触周缘的高度减小至平坦表面的高度。在截面中,平坦表面和连接接触周缘和转折周缘的虚拟直线之间的夹角大于120度。转折周缘为凹面与平坦表面之间的边界。本发明中靠近微型发光二极管侧面的隔离层结构特征防止了覆盖微型发光二极管顶表面的上电极产生龟裂。
  • 微型发光二极管元件结构
  • [发明专利]静电吸头-CN201910741214.7有效
  • 陈立宜 - 美科米尚技术有限公司
  • 2019-08-12 - 2022-11-04 - H02N13/00
  • 本发明公开了一种静电吸头,包含主体、电极、复合介电层以及至少一个介电层。电极设置在主体上。介电层设置并覆盖在电极上。复合介电层设置在介电层上。复合介电层包含聚合物层和多个无机介电微粒。无机介电微粒分布在聚合物层中。无机介电微粒的介电系数大于聚合物层的介电系数。介电层的电阻率大于复合介电层的电阻率。本发明所提出的静电吸头可以防止静电吸头刮伤、使聚合物层与待拾取的微型元件之间有更好的接触、增强拾取微型元件的静电压力、并可避免静电吸头的漏电流现象。
  • 静电吸头

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