[发明专利]一种超结沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

摘要

本发明公开一种高压的超结沟槽金属氧化物半导体场效应管的结构及其制造方法，根据本发明的结构，在每个单元内都包括一个第一导电类型的第一柱状掺杂区和一对第二导电类型的第二柱状掺杂区，还包括至少一个栅沟槽和多个沟槽式源体接触区。本发明采用了RSO结构以减小电荷分布不平衡，陷阱电荷等问题对器件性能的影响，使器件拥有更好的工作特性。并且，P型和N型柱状掺杂区采用了掺杂的形成方式，并且只用到一次沟槽刻蚀，简化了制造流程并有效地节约了器件的制作成本。

主权项

一种超结沟槽金属氧化物半导体场效应管，包括多个单元，每个单元包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，该外延层位于所述衬底的上表面，且该外延层的多数载流子浓度低于所述衬底；一对深沟槽，从所述外延层的上表面向下延伸入所述外延层；平台区，位于所述的一对深沟槽之间；第一导电类型的第一柱状掺杂区，位于所述平台区内；一对第二导电类型的第二柱状掺杂区，位于所述平台区内，且与所述深沟槽的侧壁相邻，所述第二柱状掺杂区围绕所述第一柱状掺杂区且与所述第一柱状掺杂区平行交替排列；第二导电类型的体区，位于所述平台区内，靠近所述深沟槽的部分侧壁且覆盖所述第一柱状掺杂区和所述第二柱状掺杂区的上表面；至少一个沟槽栅，从所述平台区的上表面向下穿过所述体区并延伸入所述第一柱状掺杂区，包括一个衬有栅极氧化层的栅电极；多个沟槽式源体接触区，位于所述平台区，每个所述沟槽式源体接触区都填充有所述的接触金属插塞，且穿过一个接触绝缘层并延伸入所述体区；第一导电类型的源区，靠近所述体区的上表面且位于每个所述的沟槽栅和与其相邻的所述沟槽式源体接触区的侧壁之间，其中所述源区的多数载流子浓度高于所述外延层。