[发明专利]半导体器件、包括其的晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310178071.6 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103426923B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 格哈德·普雷希特尔;奥利弗·黑贝伦;克莱门斯·奥斯特迈尔;詹毛罗·波佐维沃 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 李静,陈伟伟 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件、包括其的晶体管、制造其的方法，所述半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括多个化合物半导体层以及形成于其中一个化合物半导体层内的二维电荷载气通道区域。半导体器件进一步包括布置在半导体本体内的触点结构。触点结构包括金属区域和掺杂区域。金属区域从半导体本体的第一侧延伸至半导体本体内且至少延伸到包括通道区域的化合物半导体层。掺杂区域形成在半导体本体内且处于金属区域与通道区域之间，使得通道区域通过掺杂区域与金属区域电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体本体，包括多个化合物半导体层以及形成在其中一个所述化合物半导体层内的二维电荷载气通道区域；以及触点结构，所述触点结构设置在所述半导体本体内并且包括：金属区域，从所述半导体本体的第一侧延伸至所述半导体本体内并至少延伸到包括所述通道区域的所述化合物半导体层；以及掺杂区域，形成在半导体本体内且处于所述金属区域与所述通道区域之间，使得所述通道区域通过所述掺杂区域与所述金属区域隔开且电连接，其中，所述掺杂区域与所述金属区域之间的界面垂直于所述第一侧，其中，在所述半导体本体内形成所述触点结构包括：将掺杂剂注入所述半导体本体的未覆盖部分中；在高温下对所述半导体本体进行退火，以活化被注入的掺杂剂并形成所述掺杂区域；在注入和退火后，在从所述半导体本体的第一侧到至少所述通道区域的深度上去除所述掺杂区域的一部分，以在所述半导体本体中形成开口，所述开口通过所述掺杂区域的剩余部分与所述通道区域横向隔开；以及在所述开口内填充金属。
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