[发明专利]扩展安全工作区的半导体器件无效
| 申请号： | 201310080572.0 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103151373A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 胡勇海 | 申请（专利权）人： | 胡勇海 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 江苏省无锡市无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种扩展安全工作区的半导体器件，包括：场效应晶体管，该场效应晶体管具有栅极和体电极；电势关联电路，所述场效应晶体管的体电极经由该电势关联电路与所述栅极相连，以使所述体电极的电势与所述栅极的电势相关联。本发明能够避免HCI效应引起的器件退化问题，并进一步扩展场效应晶体管的安全工作区，降低开启电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 扩展 安全 工作 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种扩展安全工作区的半导体器件，其特征在于，包括：场效应晶体管，该场效应晶体管具有栅极和体电极；电势关联电路，所述场效应晶体管的体电极经由该电势关联电路与所述栅极相连，以使所述体电极的电势与所述栅极的电势相关联。
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