[发明专利]扩展安全工作区的半导体器件无效
| 申请号： | 201310080572.0 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103151373A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 胡勇海 | 申请（专利权）人： | 胡勇海 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 江苏省无锡市无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩展 安全 工作 半导体器件 | ||
1.一种扩展安全工作区的半导体器件，其特征在于，包括：
场效应晶体管，该场效应晶体管具有栅极和体电极；
电势关联电路，所述场效应晶体管的体电极经由该电势关联电路与所述栅极相连，以使所述体电极的电势与所述栅极的电势相关联。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述场效应晶体管为MOS场效应晶体管、LDMOS场效应晶体管、VDMOS场效应晶体管或IGBT晶体管。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述场效应晶体管为MOS场效应晶体管、LDMOS场效应晶体管、VDMOS场效应晶体管或IGBT晶体管，所述关联回路将该MOS场效应晶体管、LDMOS场效应晶体管、VDMOS场效应晶体管或IGBT晶体管的体电极和栅极短接。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述场效应晶体管为MOS场效应晶体管、LDMOS场效应晶体管、VDMOS场效应晶体管或IGBT晶体管，所述电势关联电路包括一个或多个串联的电阻。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述场效应晶体管为NMOS场效应晶体管、LDNMOS场效应晶体管、VDNMOS场效应晶体管或N型沟道IGBT晶体管，所述电势关联电路包括一个或多个串联的二极管，其中所述体电极与二极管的负极相连，所述栅电极与二极管的正极相连。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述场效应晶体管为PMOS场效应晶体管、LDPMOS场效应晶体管、VDPMOS场效应晶体管或P型沟道IGBT晶体管，所述电势关联电路包括一个或多个串联的二极管，其中所述体电极与二极管的正极相连，所述栅电极与二极管的负极相连。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述场效应晶体管为LDMOS场效应晶体管，所述电势关联电路包括一个或多个串联的电阻。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胡勇海，未经胡勇海许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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