[发明专利]半导体器件及方法有效
| 申请号： | 201310070870.1 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103311291B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | G.普雷希特尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;卢江 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件。一个实施例包括横向HEMT（高电子迁移率晶体管）结构，该横向HEMT结构具有两个不同III族氮化物半导体化合物之间的异质结和布置在异质结上的层。所述层包括III族氮化物半导体化合物和阻碍该层中电流流动的至少一个阻挡物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含：横向HEMT结构，其包含第一负载电极、第二负载电极、控制电极、两个不同III族氮化物半导体化合物之间的异质结，以及布置在异质结上的层，该层包含III族氮化物半导体化合物和阻碍该层中电流流动的至少一个阻挡物，使得阻挡物不与控制电极接触。
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