[发明专利]集成异质结半导体器件和用于生产该半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210582153.2 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103187442A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | G.迪波尔德;G.普雷希特尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L27/06;H01L21/335;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;刘春元 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及集成异质结半导体器件和用于生产该半导体器件的方法。一种生产半导体部件的方法被提供。该方法包括：提供具有限定垂直方向的<111>表面的硅衬底，在硅衬底中形成至少一个电子部件，在硅衬底上形成至少两个外延半导体层，以在<111>表面之上形成异质结，以及在<111>表面之上形成HEMT结构。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 异质结 半导体器件 用于 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种生产半导体器件的方法，其包括：‑ 提供具有限定垂直方向的<111>表面的硅衬底；‑ 在硅衬底中形成至少一个电子部件；‑ 在硅衬底上形成至少两个外延半导体层，以在<111>表面之上形成异质结；以及‑ 在<111>表面之上形成HEMT结构。
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