[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210176830.0 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103199111B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 郑胤谟;李基龙;徐晋旭;朴钟力 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 罗正云,宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，该半导体器件包括基板，形成于所述基板上方的第一氮化硅层，直接形成于所述第一氮化硅层上并具有大约以下的厚度的第一氧化硅层，以及直接形成于所述第一氧化硅层上的氢化的多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板；形成于所述基板上方的第一氮化硅层；直接形成于所述第一氮化硅层上并具有以下的厚度的第一氧化硅层；以及直接形成于所述第一氧化硅层上的氢化的多晶硅层，其中所述氢化的多晶硅层包括第三区和位于所述第三区上的第四区，并且其中与所述第四区相比，所述第三区包含较多量的氢，并且其中包含于所述氢化的多晶硅层中的氢的浓度为1原子百分比以上。
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