[发明专利]MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法无效
| 申请号： | 201210131027.5 | 申请日： | 2012-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102637726A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张进成;张琳霞;郝跃;王冲;马晓华;孟凡娜;侯耀伟;党李莎;艾姗;李小刚;鲁明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属半导体MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件的阈值电压低及其可控行性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)、N型AlGaN主势垒层(4)，N型AlGaN主势垒层(4)顶端两侧为源极(9)和漏极(10)，GaN主缓冲层(3)的中间刻蚀有凹槽(5)，该凹槽(5)的内壁上依次设有GaN次缓冲层(6)、AlGaN次势垒层(7)和栅极(13)，凹槽(5)两侧的N型AlGaN主势垒层(4)上方的源、漏极之外设有介质(8)。本发明具有阈值电压高、调控性好、电流密度大、夹断特性优良，且工艺成熟，重复性好，可靠性高的优势，可用于大功率开关以及数字电路中。 | ||
| 搜索关键词： | ms gan 增强 电子 迁移率 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属半导体MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管，包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)、N型AlGaN主势垒层(4)、源极(9)和漏极(10)；过渡层(2)位于衬底(1)上方；GaN主缓冲层(3)位于过渡层(2)上方；GaN主缓冲层(3)上方两侧为N型AlGaN主势垒层(4)；N型AlGaN主势垒层(4)顶端两侧分别为源极(9)和漏极(10)；其特征在于，GaN主缓冲层(3)的中间刻蚀有凹槽(5)，该凹槽(5)的内壁依次外延有GaN次缓冲层(6)和AlGaN次势垒层(7)；栅电极淀积在AlGaN次势垒层(7)上，并且覆盖整个凹槽(5)区域；凹槽(5)两侧的N型AlGaN主势垒层(4)上方的源、漏极之外设有介质(8)。
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