[发明专利]一种沟槽肖特基MOS半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210106400.1 | 申请日： | 2012-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103367436B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽宁省新宾*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提出一种沟槽肖特基MOS半导体装置，使用金属或金属与半导体材料形成的化合物替代传统MOS器件的半导体材料源区，并且将肖特基结引入器件中，简化了器件的结构和制造工艺，降低了器件的导通压降，提高了器件的开关速度；本发明还提出一种沟槽肖特基MOS半导体装置的制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 肖特基 mos 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽肖特基MOS半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料；漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层中和半导体装置表面，沟槽内壁有绝缘层，同时，沟槽内填充有多晶半导体材料作为栅极；体区，为第二传导类型的半导体材料，临靠沟槽侧壁和半导体装置表面，体区之间为第一传导类型的半导体材料，体区与漂移层相连，体区之间第一传导类型半导体材料与漂移层相连；源区，为金属与半导体材料烧结形成的化合物，位于体区表面，临靠沟槽侧壁；肖特基势垒结，位于体区之间的第一传导类型的半导体材料表面。
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