[发明专利]一种沟槽肖特基MOS半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽肖特基MOS半导体装置，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料；

漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个

沟槽，位于漂移层中和半导体装置表面，沟槽内壁有绝缘层，同时，沟槽内填充有多晶半导体材料作为栅极；

体区，为第二传导类型的半导体材料，临靠沟槽侧壁和半导体装置表面，体区之间为第一传导类型的半导体材料，体区与漂移层相连，体区之间第一传导类型半导体材料与漂移层相连；

源区，为金属与半导体材料烧结形成的化合物，位于体区表面，临靠沟槽侧壁；

肖特基势垒结，位于体区之间的第一传导类型的半导体材料表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的体区表面为肖特基势垒结。

3.一种如权利要求1所述的沟槽肖特基MOS半导体装置的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底层上通过外延生长形成第一传导类型的半导体材料层；

2)在第一传导类型半导体材料表面形成钝化层，在待形成沟槽区域表面去除钝化层；

3)进行刻蚀半导体材料，形成沟槽；

4)通过倾斜注入第二传导类型杂质退火工艺，进行杂质扩散；

5)在沟槽内壁形成绝缘层，在沟槽内填充多晶半导体材料；

6)在衬底层上表面形成钝化层，然后去除衬底层上表面部分钝化层；

7)在衬底层上表面淀积金属，进行烧结，形成源区和肖特基势垒结。