[发明专利]氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法

摘要

本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片以及用于制造氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括：层叠基础层和功能层。在AlN缓冲层上形成所述层叠基础层，所述AlN缓冲层在硅衬底上形成。所述层叠基础层包括交替层叠的AlN基础层和GaN基础层。所述功能层包括低浓度部件和在所述低浓度部件上提供的高浓度部件。在多个GaN基础层中最靠近硅衬底的衬底侧GaN基础层包括：第一和第二部分，以及在所述第一和所述第二部分之间提供的第三部分。所述第三部分具有不小于5×1018cm-3的Si浓度并且具有比所述第一和所述第二部分的厚度的总和小的厚度。

主权项

一种氮化物半导体器件包括：在AlN缓冲层上形成的层叠基础层，所述AlN缓冲层在硅衬底上形成，所述层叠基础层包括多个AlN基础层和与所述AlN基础层交替层叠的多个GaN基础层；以及功能层，包括：在所述层叠基础层上提供的低浓度部件，所述低浓度部件包括氮化物半导体并且具有小于1×1018cm‑3的Si浓度；以及在所述低浓度部件上提供的高浓度部件，所述高浓度部件具有不小于1×1018cm‑3的Si浓度，在所述多个GaN基础层中最接近于所述硅衬底的衬底侧GaN基础层包括：具有小于5×1018cm‑3的Si浓度的第一部分；具有小于5×1018cm‑3的Si浓度的第二部分；在所述第一部分和所述第二部分之间提供的第三部分，所述第三部分具有不小于5×1018cm‑3的Si浓度并且具有比所述第一部分的厚度和所述第二部分的厚度的总和小的厚度。