[发明专利]在半导体发光器件上沉积磷光体的方法和设备无效
| 申请号： | 201210014666.3 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102593281A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘哲准;洪性在 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过压缩成型工艺沉积磷光体的方法和设备，该方法包括：在晶片上形成多个发光器件，评估所述多个发光器件的发射特性，并根据发射特性将所述多个发光器件在载体基底上重新排列；通过压缩成型工艺在多个重新排列的所述发光器件上沉积磷光体；以及切分在载体基底上的所述多个重新排列的发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 沉积 磷光体 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种沉积磷光体的方法，该方法包括下述步骤：在晶片上形成多个发光器件，评估所述多个发光器件的发射特性，并根据发射特性将所述多个发光器件在载体基底上重新排列；通过压缩成型工艺在多个重新排列的所述发光器件上沉积磷光体；以及切分在载体基底上的多个重新排列的所述发光器件。
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