[发明专利]在半导体发光器件上沉积磷光体的方法和设备无效

专利信息
申请号: 201210014666.3 申请日: 2012-01-12
公开(公告)号: CN102593281A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 刘哲准;洪性在 申请(专利权)人: 三星LED株式会社
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/50
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;韩芳
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 器件 沉积 磷光体 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种沉积磷光体的方法,该方法包括下述步骤:

在晶片上形成多个发光器件,评估所述多个发光器件的发射特性,并根据发射特性将所述多个发光器件在载体基底上重新排列;

通过压缩成型工艺在多个重新排列的所述发光器件上沉积磷光体;以及

切分在载体基底上的多个重新排列的所述发光器件。

2.如权利要求1所述的方法,其中,评估所述多个发光器件的发射特性的步骤包括:单个地分离形成在晶片上的所述多个发光器件,并评估所述多个发光器件中的每个发光器件的发射特性。

3.如权利要求2所述的方法,其中,评估所述多个发光器件的发射特性的步骤包括评估所述多个发光器件中的每个发光器件的发光波长、亮度或响应时间。

4.如权利要求1所述的方法,其中,将所述多个发光器件在载体基底上重新排列的步骤包括:在载体基底上形成粘合层,然后在粘合层上重新排列具有相同的发射特性的发光器件。

5.如权利要求4所述的方法,其中,粘合层由光敏粘合剂形成。

6.如权利要求1所述的方法,其中,沉积磷光体的步骤包括:将载体基底安装在磷光体沉积设备中,其中,所述多个发光器件在载体基底上重新排列;并通过将磷光体供应到载体基底的区域上来将磷光体沉积在所述多个发光器件上,其中,所述多个发光器件形成在所述区域上。

7.如权利要求6所述的方法,其中,将磷光体沉积在所述多个发光器件中的每个发光器件的除了所述多个发光器件中的每个发光器件的电极焊盘之外的表面上。

8.一种磷光体沉积设备,所述磷光体沉积设备包括:

下模具,其中安装有载体基底,载体基底上排列有多个发光器件;

上模具,形成为对应于下模具;以及

成型模具,形成在下模具的侧表面上。

9.如权利要求8所述的磷光体沉积设备,其中,在上模具上形成连接到弹簧的销。

10.如权利要求8所述的磷光体沉积设备,其中,在上模具中形成多个真空孔。

11.如权利要求8所述的磷光体沉积设备,其中,在下模具中形成多个真空孔。

12.如权利要求8所述的磷光体沉积设备,其中,密封橡胶形成在成型模具上,以在执行成型操作时通过与附着在上模具上的离型膜接触而保持气密性。

13.如权利要求8所述的磷光体沉积设备,所述磷光体沉积设备还包括与上模具或下模具接触的离型膜。

14.如权利要求13所述的磷光体沉积设备,其中,离型膜由聚氯乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯形成。

15.如权利要求13所述的磷光体沉积设备,其中,离型膜的厚度在几微米至几十微米的范围内。

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