[发明专利]在半导体发光器件上沉积磷光体的方法和设备

说明书

技术领域

本公开涉及用于沉积磷光体的方法和设备，更具体地说，涉及用于通过以下方式沉积磷光体的方法和设备，即，根据制造的发光器件芯片的发光特性重新排列制造的发光器件芯片，然后通过使用压缩成型法高效地沉积磷光体。

背景技术

发光二极管(LED)是将电信号转换为光的半导体发光器件，其特性在于，与其它发光器件相比，LED具有较长的寿命，并且可以以低压驱动。近来，使用具有高亮度的白光LED的照明设备替代了根据现有技术的照明设备。可通过在发射绿色光或紫外(UV)光的发光器件上沉积具有红色、绿色或黄色的磷光体来形成白光LED。

根据现有技术的在多个LED芯片上沉积磷光体的方法的示例是晶片级涂覆法。晶片级涂覆法包括在晶片上形成多个LED芯片，并且在评估每个LED芯片的光学特性之前在晶片上沉积磷光体。

根据晶片级涂覆法，仅在晶片上沉积磷光体，从而其应用会局限于光仅朝每个LED芯片的电极焊盘发射的LED结构。

另外，根据晶片级涂覆去，在基于对多个LED芯片中的每个LED芯片进行的光学特性评估来分选多个LED芯片之前，将磷光体浆料沉积在其上形成有未被分选的多个LED芯片的晶片上。因此，由于多个LED芯片之间的光学特性差异，因此形成了具有不规则的光学特性的白光芯片，使得整个工艺的良率会急剧降低。

发明内容

提供了通过对发光器件执行压缩成型来在每个发光器件的侧表面和顶表面上均匀地沉积磷光体的方法。

提供了能够在每个发光器件的侧表面和顶表面上均匀地沉积磷光体的压缩成型设备。

将在下面的描述中部分地阐述其它方面，并且将通过描述而部分地清楚，或者可通过实践给出的实施例来获知。

根据本发明的一方面，一种沉积磷光体的方法包括下述操作：在晶片上形成多个发光器件，评估所述多个发光器件的发射特性，并根据发射特性将所述多个发光器件在载体基底上重新排列；通过压缩成型工艺在多个重新排列的所述发光器件上沉积磷光体；以及切分在载体基底上的所述多个重新排列的发光器件。

评估发射特性的操作可包括单个地分离形成在晶片上的所述多个发光器件并评估所述多个发光器件中的每个发光器件的发射特性的操作。

评估发射特性的操作可包括评估所述多个发光器件中的每个发光器件的发光波长、亮度或响应时间的操作。

重新排列的操作可包括在载体基底上形成粘合层，然后在粘合层上重新排列具有相同的发射特性的发光器件的操作。

粘合层可由光敏粘合剂(PSA)形成。

沉积磷光体的操作可包括下述操作：将载体基底安装在磷光体沉积设备中，其中，所述多个发光器件在载体基底上重新排列；并通过将磷光体供应到载体基底的区域上来将磷光体沉积在所述多个发光器件上，其中，所述多个发光器件形成在所述区域上。

可将磷光体沉积在所述多个发光器件中的每个发光器件的除了所述多个发光器件中的每个发光器件的电极焊盘之外的表面上。

根据本发明的另一方面，一种磷光体沉积设备包括下模具，其中安装有载体基底，载体基底上排列有多个发光器件；上模具，形成为对应于下模具；以及成型模具，形成在下模具的侧表面上。

可在上模具上形成连接到弹簧的销。

可在上模具中形成多个真空孔。

可在下模具中形成多个真空孔。

密封橡胶可形成在成型模具上，以在执行成型操作时通过与附着在上模具上的离型膜接触而保持气密性。

该磷光体沉积设备还可包括与上模具或下模具接触的离型膜。

离型膜可由聚氯乙烯(PVC)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。

离型膜的厚度可以在几微米至几十微米的范围内。

附图说明

通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得清楚且更容易理解，在附图中：

图1是示出根据本发明实施例的包括压缩成型法的形成发光器件的工艺的流程图；

图2示出了在发光器件形成工艺中的晶片和发光器件的阵列；

图3是示出根据本发明实施例的利用压缩成型的磷光体沉积工艺的剖视图；

图4是示出根据本发明另一实施例的利用压缩成型的磷光体沉积工艺的剖视图；

图5A和图5B示出了其上通过压缩成型工艺沉积有磷光体的发光器件的示例；

图6示出了根据本发明实施例的利用压缩成型设备的磷光体成型工艺；

图7示出了根据本发明另一实施例的利用压缩成型设备的磷光体成型工艺；