[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201180055837.0 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103222060A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 罗恩·S·布雷斯韦特;格雷戈里·迪克斯 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制造功率金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的方法具有以下步骤：将所述功率MOSFET的基极区域(150)植入于包括绝缘的栅极结构(180)的半导体芯片的外延层(130)内；经由界定第一窗的第一掩模(180、210)在所述栅极的一侧上植入源极连结区域(162)，其中所述第一掩模部分地由所述栅极的边缘形成，所述源极连结从表面延伸到所述外延层中且具有由所述第一窗界定的宽度；随后形成隔片(230)，所述隔片从界定所述第一窗的所述栅极(结构)的所述边缘延伸且形成部分地由所述隔片形成的第二掩模(230、240)；以及经由所述第二掩模植入源极区域(160)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造功率金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的方法，其包括：将所述功率MOSFET的基极区域植入于包括绝缘的栅极结构的半导体芯片的外延层内，经由第一掩模在所述栅极的一侧上植入源极连结区域，其中所述第一掩模部分地由所述栅极的边缘形成，所述源极连结从表面延伸到所述外延层中且具有由所述第一窗界定的宽度，随后形成隔片，所述隔片从界定所述第一窗的所述栅极的所述边缘延伸且形成部分地由所述隔片形成的第二掩模，以及经由所述第二掩模植入源极区域。
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