[发明专利]磁阻效应元件以及磁性随机存取存储器有效
| 申请号： | 201180039960.3 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN103069564A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 中山昌彦;与田博明;岸达也;小濑木淳一;甲斐正;相川尚德;池川纯夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;G11C11/15;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦;房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的磁阻效应元件具备:第1铁磁性层(12)，磁化相对于膜面大致垂直且可变；第2铁磁性层(16)，磁化相对于膜面大致垂直且不变；第1非磁性层(14)，设于第1铁磁性层与第2铁磁性层之间；第3铁磁性层(20)，设于相对于第2铁磁性层的与第1非磁性层的相反侧，具有与膜面大致平行的磁化，通过注入被自旋极化后的电子来产生旋转磁场；以及第2非磁性层(18)，设于第2铁磁性层与第3铁磁性层之间，使第1电流沿着从第3铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第1铁磁性层的方向以及从第1铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第3铁磁性层的方向中的一个方向流过，由此，通过由第3铁磁性层产生的旋转磁场，第1铁磁性层的磁化能够反转，并使具有与第1电流不同的电流密度的第2电流向一个方向流过，借助于通过第2铁磁性层被自旋极化后的电子，第1铁磁性层的磁化能够向与流过第1电流的情况不同的方向反转。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 以及 磁性 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
一种磁阻效应元件，其特征在于，具备：第1铁磁性层，磁化相对于膜面大致垂直且可变；第2铁磁性层，磁化相对于膜面大致垂直且不变；第1非磁性层，设于上述第1铁磁性层与上述第2铁磁性层之间；第3铁磁性层，设于相对于上述第2铁磁性层的与上述第1非磁性层相反一侧，具有与膜面大致平行的磁化，通过注入被自旋极化后的电子来产生旋转磁场；以及第2非磁性层，设于上述第2铁磁性层与上述第3铁磁性层之间，使第1电流向沿着从上述第3铁磁性层经由上述第2铁磁性层朝向上述第1铁磁性层的方向以及从上述第1铁磁性层经由上述第2铁磁性层朝向上述第3铁磁性层的方向中的一个方向流动，由此，通过由上述第3铁磁性层产生的上述旋转磁场，上述第1铁磁性层的磁化能够反转，使具有与上述第1电流不同的电流密度的第2电流向上述一个方向流动，借助于通过上述第2铁磁性层而被自旋极化后的电子，上述第1铁磁性层的磁化能够向与流过上述第1电流的情况不同的方向反转。
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- 张国飙 - 成都海存艾匹科技有限公司
- 2012-09-01 - 2014-03-26 - H01L21/8246
- 高昂的数据掩膜版成本将极大地限制掩膜编程只读存储器（mask-ROM）的广泛应用。本发明提出一种压印存储器（imprintedmemory），尤其是三维压印存储器（three-dimensionalimprintedmemory，简称为3D-iP）。它采用采用压印法（imprint-lithography）来录入数据。压印法也称为纳米压印法（nano-imprintlithography，简称为NIL），其采用的数据模版（template）比光刻法采用的数据掩膜版成本价格更为低廉。
- 磁存储器-201180069469.5
- 铃木哲广 - 瑞萨电子株式会社
- 2011-10-14 - 2013-12-18 - H01L21/8246
- 一种磁存储器，包括：基层；磁化自由层；势垒层；以及磁化参考层。覆盖基层的磁化自由层具有可反转的磁化并被大致均匀地磁化。覆盖磁化自由层的势垒层由不同于基层的材料的材料组成。磁化参考层被布置在势垒层上并具有固定磁化。当磁化自由层的磁化反转时，使第一写入电流在不经过磁化参考层的情况下在面内方向上从磁化自由层的一端流至另一端。
- 一种基于OTP存储器制作MROM存储器的方法-201210141757.3
- 郭术明 - 无锡华润上华半导体有限公司
- 2012-05-09 - 2013-11-13 - H01L21/8246
- 本发明提供一种基于OTP存储器制作MROM存储器的方法，依据OTP存储器版图，去除所述用于存储数据“0”的OTP存储单元的第二MOS管的浮栅以使该OTP存储单元转化为用于存储数据“0”的MROM存储单元，并保留所述OTP存储器版图中用于存储数据“1”的OTP存储单元的原有结构作为用于存储数据“1”的MROM存储单元，以形成MROM存储器版图，然后依据MROM存储器版图制作MROM存储器。本发明对经过调试、存储数据确定好的OTP存储器版图修改成MROM存储器版图，在制作过程中只需要修改一层掩膜就可以把制作OTP的工艺转化为制作MROM的工艺。本发明大大的节省了器件的编程、测试的时间和成本，简化了工艺过程，从而大大地降低了产品的成本，提高了利润。
- 半导体器件的制作方法及半导体器件-201110404088.X
- 闻正锋 - 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
- 2011-12-07 - 2013-06-12 - H01L21/8246
- 本发明涉及通信领域技术，尤其涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件，包括在基材衬底上无场氧化层的区域制作出至少两个有源区；按照器件设计图形，生长牺牲氧化层后，在至少两个有源区内分别注入只读存储器的制作离子，形成至少两个只读存储器区；在垂直于基材衬底的方向上，至少两个只读存储器区相邻的区域边缘与至少两个只读存储器区之间的场氧化层无重叠；去除牺牲氧化层后，制作栅极、源漏电极、介质层和金属层。使用本发明实施例提供的半导体器件的制作方法及半导体器件，避免了场氧化层在后续处理中被去除，进而避免了ROM管在工作中产生侧向漏电。
- 磁阻效应元件以及磁性随机存取存储器-201180039960.3
- 中山昌彦;与田博明;岸达也;小濑木淳一;甲斐正;相川尚德;池川纯夫 - 株式会社东芝
- 2011-09-16 - 2013-04-24 - H01L21/8246
- 本发明的磁阻效应元件具备:第1铁磁性层(12)，磁化相对于膜面大致垂直且可变；第2铁磁性层(16)，磁化相对于膜面大致垂直且不变；第1非磁性层(14)，设于第1铁磁性层与第2铁磁性层之间；第3铁磁性层(20)，设于相对于第2铁磁性层的与第1非磁性层的相反侧，具有与膜面大致平行的磁化，通过注入被自旋极化后的电子来产生旋转磁场；以及第2非磁性层(18)，设于第2铁磁性层与第3铁磁性层之间，使第1电流沿着从第3铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第1铁磁性层的方向以及从第1铁磁性层经由第2铁磁性层朝向第3铁磁性层的方向中的一个方向流过，由此，通过由第3铁磁性层产生的旋转磁场，第1铁磁性层的磁化能够反转，并使具有与第1电流不同的电流密度的第2电流向一个方向流过，借助于通过第2铁磁性层被自旋极化后的电子，第1铁磁性层的磁化能够向与流过第1电流的情况不同的方向反转。
- 掩模型只读存储器的制造方法-201110266018.2
- 陈旷举;陈正道;许忠龙;邱俊尧;张金勇 - 九齐科技股份有限公司;新唐科技股份有限公司
- 2011-09-08 - 2013-03-27 - H01L21/8246
- 本发明涉及一种掩模型只读存储器的制造方法，包括下列步骤，首先于一基材上依序形成一栅极介电层及一第一光阻层，接着利用一波长为365纳米的光线透过一第一相位移掩模于该第一光阻层上形成宽度介于243纳米至365纳米的多个第一沟道，以对该基材进行掺杂形成多条宽度介于243纳米至365纳米的埋入位线，然后移除该第一光阻层于该栅极介电层上依序形成一多晶硅层及一第二光阻层，最后再以该光线透过一第二相位移掩模，以光刻蚀刻的过程于该多晶硅层形成多条多晶硅字线。据此，使掩模型只读存储器的线宽微缩到243纳米至365纳米之间，有效缩减存储器面积。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
