[发明专利]半导体器件的制作方法无效
| 申请号： | 201110449326.9 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187352A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 吕淑瑞;栾广庆 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 顾珊;汪洋 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，该制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成氮化物层和具有图案的光刻胶层；依次对所述氮化物层和所述半导体衬底进行干法刻蚀以形成沟槽，其中，在所述干法刻蚀过程中提供连续的射频功率。本发明的方法通过在氮化物层和半导体衬底的干法刻蚀过程中施加连续的射频功率，可以有效地解决刻蚀副产物附着在半导体衬底上的问题，进而保证刻蚀工艺顺利进行，降低硅残留导致的有源区连条而造成半导体器件的失效率，进而提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成氮化物层和具有图案的光刻胶层；依次对所述氮化物层和所述半导体衬底进行干法刻蚀以形成沟槽，其中，在所述干法刻蚀过程中提供连续的射频功率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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