[发明专利]一种超级结工艺中的深沟槽结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201110433621.5 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103178110A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王飞;毛文铭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结工艺中深沟槽的制作方法，在硅衬底上进行外延生长；在生长的外延上进行P型离子注入后进行热扩散；在离子注入后的外延上至少再重复实施一次外延生长和P型离子注入形成底部沟槽区；进行外延生长，注入形成P阱，定义顶部沟槽区窗口；刻蚀顶部沟槽区，使顶部沟槽区与底部沟槽区彼此连接，顶部沟槽区填充，形成深沟槽。本发明还公开了一种超级结工艺中深沟槽的深沟槽结构。本发明的技术深沟槽制作方法，能提高器件的可靠性，降低外延填充难度，减少外延时间，加快流片速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 工艺 中的 深沟 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超级结工艺中的深沟槽结构，其特征是，包括：硅衬底上形成有底部沟槽区和顶部沟槽区组成的深沟槽，深沟槽顶部两侧形成有P阱。
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