[发明专利]功率MOSFET器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110381822.5 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102437188A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;叶鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率MOSFET器件及其制造方法，其包括位于半导体基板上的有源区及终端保护区，在功率MOSFET器件的俯视平面上，在所述终端保护区外圈的划片槽内设有划片槽沟槽台阶；划片槽沟槽台阶的侧壁及底部均覆盖有绝缘栅氧化层，在覆盖有绝缘栅氧化层的划片槽沟槽台阶上淀积有导电多晶硅侧墙；在划片槽沟槽台阶内的导电多晶硅侧墙及底部相应的绝缘栅氧化层上覆盖有绝缘介质层，绝缘介质层与终端保护区上的绝缘介质层连接成一体；划片槽沟槽台阶底部的下方设有第一导电类型沟槽台阶注入区。本发明结构紧凑，降低了MOSFET器件的制造成本，提高了MOSFET器件的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率MOSFET器件，在所述功率MOSFET器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的有源区及终端保护区，所述有源区位于半导体基板的中心区，所述终端保护区环绕包围有源区；所述终端保护区包括分压区；其特征是：在所述功率MOSFET器件的俯视平面上，在所述分压区外圈的划片槽内设有划片槽沟槽台阶，所述划片槽沟槽台阶环绕分压区；在所述功率MOSFET器件的截面上，所述划片槽沟槽台阶在半导体基板内的第一导电类型漂移区向半导体衬底方向延伸，划片槽沟槽台阶的侧壁邻近分压区，且划片槽沟槽台阶的侧壁沿着划片槽指向分压区的方向在第一导电类型漂移区内延伸；划片槽沟槽台阶的侧壁及底部均覆盖有绝缘栅氧化层，在覆盖有绝缘栅氧化层的划片槽沟槽台阶上淀积有导电多晶硅侧墙，所述导电多晶硅侧墙与划片槽沟槽台阶的侧壁及相应的底部相对应；在划片槽沟槽台阶内的导电多晶硅侧墙及底部相应的绝缘栅氧化层上覆盖有绝缘介质层，所述绝缘介质层与终端保护区上的绝缘介质层连接成一体；划片槽沟槽台阶底部的下方设有第一导电类型沟槽台阶注入区，所述第一导电类型沟槽台阶注入区与划片槽沟槽台阶的底部相连；所述半导体基板包括位于上部的第一导电类型漂移区和位于所述第一导电类型漂移区下方的第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底与第一导电类型漂移区相连。
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