[发明专利]金属氧化物半导体晶体管与其形成方法有效
| 申请号： | 201110364577.7 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN103117296B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 江文泰;林俊贤 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属氧化物半导体晶体管与其形成方法。该金属氧化物半导体晶体管包括基底、栅极介电层、栅极、源极/漏极区以及金属硅化物层。栅极介电层设置于基底上，且栅极设置于栅极介电层上。源极/漏极区设置于栅极的两侧的基底中。金属硅化物层设置于该源极/漏极区上，其中金属硅化物层具有弯曲的底面。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体晶体管，包括：基底；栅极介电层，设置于该基底上；栅极，设置于该栅极介电层上；源极/漏极区，设置于该栅极的两侧的该基底中；牺牲层，设置于该基底上；金属硅化物层，设置于该源极/漏极区上，其中该金属硅化物层具有弯曲的底面以及弯曲的顶面，弯曲的顶面以及该弯曲底面皆朝向基底处弯曲，且弯曲的顶面从其两侧下沉，具有中间厚周围薄的结构特征，而形成微笑结构；以及接触插栓，该接触插栓直接接触于该金属硅化物层的弯曲的顶面部分，且该金属硅化物层的顶面的面积大于该接触插栓的底面的面积。
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