[发明专利]金属氧化物半导体晶体管与其形成方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体晶体管，包括：

基底；

栅极介电层，设置于该基底上；

栅极，设置于该栅极介电层上；

源极/漏极区，设置于该栅极的两侧的该基底中；

牺牲层，设置于该基底上；

金属硅化物层，设置于该源极/漏极区上，其中该金属硅化物层具有弯曲的底面以及弯曲的顶面，弯曲的顶面以及该弯曲底面皆朝向基底处弯曲，且弯曲的顶面从其两侧下沉，具有中间厚周围薄的结构特征，而形成微笑结构；以及

接触插栓，该接触插栓直接接触于该金属硅化物层的弯曲的顶面部分，且该金属硅化物层的顶面的面积大于该接触插栓的底面的面积。

2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其中该金属硅化物层的顶面的高度低于该栅极的顶面的高度。

3.如权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其中该金属硅化物层在周围的厚度小于在中间的厚度。

4.如权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其中该金属硅化物层包括硅化镍、硅化钴或硅化钛。

5.如权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其中该源极/漏极区包括外延层。

6.一种形成金属氧化物半导体晶体管的方法，包括：

提供基底，该基底中具有晶体管，该晶体管包括栅极介电层、设置于该栅极介电层上的栅极、以及设置于该栅极两侧的该基底中的源极/漏极区；

于该基底上形成牺牲层覆盖该晶体管；

移除部分的该牺牲层，以暴露该源极/漏极区；

于暴露的该源极/漏极区中形成金属硅化物层，其中该硅化物具有弯曲的底面以及弯曲的顶面，该顶面以及底面皆朝向基底处弯曲且弯曲的顶面从其两侧下沉，具有中间厚周围薄的结构特征，而形成微笑结构；以及

形成接触插栓，该接触插栓直接接触该金属硅化物层的弯曲的顶面部分，且该金属硅化物层的顶面的面积大于该接触插栓的底面的面积。

7.如权利要求6所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，还包括在该牺牲层上形成介电层，并在该介电层中形成至少一接触洞，以暴露该源极/漏极区。

8.如权利要求6所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中该牺牲层包括旋涂式玻璃层、抗反射底层、进阶图案化薄膜或光致抗蚀剂层。

9.如权利要求6所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中形成该源极/漏极区的步骤包括形成外延层。

10.如权利要求6所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中形成该金属硅化物的方法包括：

进行清洗步骤；

于该基底上形成金属层以至少覆盖该源极/漏极区；

进行退火步骤使得该金属层与该源极/漏极区反应；以及

移除未反应的该金属层。

11.如权利要求6所述的形成金属氧化物半导体晶体管的方法，其中形成晶体管的方法包括：

于该基底上形成虚置栅极；

移除该虚置栅极；

于该基底上形成高介电常数层，对该高介电常数层进行退火步骤；

于该高介电常数层上形成低电阻层；以及

于该低电阻层的表面上形成保护层。