[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201110347563.4 | 申请日： | 2011-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103094326A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底中的隔离结构、被隔离结构包围的有源区、形成在有源区上的包括栅绝缘层和栅导电层的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、栅极堆叠结构两侧的栅极侧墙，其特征在于：栅绝缘层包括电致伸缩介质材料。依照本发明的半导体器件，采用电致伸缩介质材料作为栅绝缘层，在未施加栅压时以较大的厚度和介电常数减小了泄漏电流，而在施加栅压时通过改变厚度来增强栅极对于沟道的控制从而改善了短沟道效应以及增强了器件的驱动能力，从而整体上有效地提高了器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括衬底、衬底中的隔离结构、被隔离结构包围的有源区、形成在有源区上的包括栅绝缘层和栅导电层的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、栅极堆叠结构两侧的栅极侧墙，其特征在于：栅绝缘层包括电致伸缩介质材料。
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