[发明专利]半导体功率装置有效
| 申请号： | 201110277276.0 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102810565A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;石逸群 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体功率装置，包括一基材，其上设有一第一半导体层、一第二半导体层、一第三半导体层。至少一凹入式外延结构，嵌入于第三半导体层中、一第一垂直掺杂区，包围凹入式外延结构、一源极导体，设于凹入式外延结构上、以及一沟渠绝缘结构，位于一接面终端区域内，其中沟渠绝缘结构包括一沟渠、一第一绝缘层，设于沟渠的内壁上、以及一导电层，填入沟渠中，其中源极导体电连接导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体功率装置，其特征在于包含有：一基材，其具有一第一导电型；一第一半导体层，其具有一第二导电型，位于所述的基材上；一第二半导体层，其具有所述的第二导电型，位于所述的第一半导体层上；一第三半导体层，其具有所述的第二导电型，位于所述的第二半导体层上；至少一凹入式外延结构，其具有所述的第一导电型，嵌入于所述的第三半导体层中，所述的凹入式外延结构位于一晶胞区域内；一第一垂直掺杂区，其具有所述的第一导电型，位于所述的第三半导体层中，而且所述第一垂直掺杂区包围所述凹入式外延结构；一源极导体，设于所述的凹入式外延结构上；以及一沟渠绝缘结构，位于一包围所述晶胞区域的接面终端区域内，其中所述的沟渠绝缘结构包括一沟渠、一第一绝缘层，设于所述沟渠的内壁上，以及一导电层，填入所述的沟渠中，其中所述的源极导体电连接所述的导电层。
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