[发明专利]半导体功率装置

权利要求书

1.一种半导体功率装置，其特征在于包含有：

一基材，其具有一第一导电型；

一第一半导体层，其具有一第二导电型，位于所述的基材上；

一第二半导体层，其具有所述的第二导电型，位于所述的第一半导体层上；

一第三半导体层，其具有所述的第二导电型，位于所述的第二半导体层上；

至少一凹入式外延结构，其具有所述的第一导电型，嵌入于所述的第三半导体层中，所述的凹入式外延结构位于一晶胞区域内；

一第一垂直掺杂区，其具有所述的第一导电型，位于所述的第三半导体层中，而且所述第一垂直掺杂区包围所述凹入式外延结构；

一源极导体，设于所述的凹入式外延结构上；以及

一沟渠绝缘结构，位于一包围所述晶胞区域的接面终端区域内，其中所述的沟渠绝缘结构包括一沟渠、一第一绝缘层，设于所述沟渠的内壁上，以及一导电层，填入所述的沟渠中，其中所述的源极导体电连接所述的导电层。

2.根据权利要求1所述的半导体功率装置，其特征在于所述的沟渠绝缘结构还包含有一第二垂直掺杂区，其具有所述的第一导电型，位于所述的第一半导体层中，并深入基材，而且所述的第二垂直掺杂区接触所述的第一绝缘层。

3.根据权利要求1所述的半导体功率装置，其特征在于还包含有一第一离子井，其具有所述的第一导电型，位于所述的第三半导体层中，而且所述的第一离子井紧邻所述的凹入式外延结构的一上端部位。

4.根据权利要求3所述的半导体功率装置，其特征在于还包含有一第一重掺杂区，其具有所述的第二导电型，位于所述的第一离子井中，而且所述的重掺杂区紧邻所述的凹入式外延结构的所述上端部位。

5.根据权利要求4所述的半导体功率装置，其特征在于还包含有一第二重掺杂区，其具有所述的第一导电型，位于所述的源极导体与所述的凹入式外延结构间。

6.根据权利要求1所述的半导体功率装置，其特征在于所述的沟渠向下延伸到所述的基材。

7.根据权利要求1所述的半导体功率装置，其特征在于所述的第一掺杂区与所述的第三半导体层构成至少一垂直接面。

8.根据权利要求1所述的半导体功率装置，其特征在于所述的凹入式外延结构是一柱状结构。

9.根据权利要求1所述的半导体功率装置，其特征在于所述的凹入式外延结构是一条状结构。

10.根据权利要求1所述的半导体功率装置，其特征在于所述的第一绝缘层包覆并电性隔绝所述的导电层。

11.根据权利要求1所述的半导体功率装置，其特征在于还包含有一耦合栅极，位于所述的第三半导体层上。

12.根据权利要求1所述的半导体功率装置，其特征在于还包含有一漏极导体，向下延伸到所述的第二半导体层，并与所述的第二半导体层电连接。

13.根据权利要求12所述的半导体功率装置，其特征在于还包含有一第二绝缘层，电性隔绝所述的漏极导体与所述的第三半导体层。

14.根据权利要求13所述的半导体功率装置，其特征在于还包含有一第三垂直掺杂区，其具有所述的第一导电型，位于所述的第三半导体层中，而且所述的第三垂直掺杂区接触所述的第二绝缘层。

15.根据权利要求12所述的半导体功率装置，其特征在于还包含有一场氧化层，位于所述的第三半导体层上，而且邻近所述的漏极导体。

16.根据权利要求1所述的半导体功率装置，其特征在于所述的第一半导体层、所述的第二半导体层及所述的第三半导体层均是外延硅层，而且所述的第二半导体层的掺杂浓度大于所述的第一、第三半导体层。

17.根据权利要求1所述的半导体功率装置，其特征在于所述的第三半导体层是作是一飘移层。

18.根据权利要求1所述的半导体功率装置，其特征在于所述的第一导电型是P型，所述的第二导电型是N型。