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[发明专利]具有多阶段旋转调制交叉流的等离子体腔室-CN202180063672.5在审
发明人：肯尼斯·S·柯林斯;迈克尔·R·赖斯;詹姆斯·D·卡达希;卡提克·雷马斯瓦米;阿吉特·巴拉克里斯南;沙希德·劳夫;杰森·肯尼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文公开的实施方式包括一种等离子体加工腔室，所述等离子体加工腔室包括一或多个侧壁。一或多个侧壁内的支撑表面保持工件。沿着一或多个侧壁的第一气体注入器在大致平行于工件表面并且跨过工件表面的第一方向中注入第一气流。沿着与第一气体注入器大致相对的一或多个侧壁的第一泵端口泵送出第一气流。沿着一或多个侧壁的第二气体注入器在大致平行于工件表面并且跨过工件表面的第二方向中注入第二气流。沿着与第二气体注入器大致相对的一或多个侧壁的第二泵端口泵送出第二气流。
具有阶段旋转调制交叉等离子体腔

[发明专利]具有电极组件的等离子体腔室-CN201880048120.5有效
发明人：肯尼思·S·柯林斯;迈克尔·R·赖斯;卡提克·雷马斯瓦米;詹姆斯·D·卡达希;沙希德·劳夫;卡洛·贝拉;郭悦 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于等离子体处理的处理工具包括腔室主体、工件支撑件、致动器、气体分配器、电极组件与第一RF电源，腔室主体具有内部空间，内部空间提供等离子体腔室，腔室主体具有顶板以及与顶板相对的一侧上的开口，工件支撑件固持工件，使得工件的前表面的至少一部分面向开口，致动器在腔室主体和工件支撑件之间产生相对运动，使得开口侧向地移动横越过工件，所述气体分配器将处理气体输送到所述等离子体腔室，所述电极组件包含多个共面丝，所述多个共面丝侧向地延伸通过所述工件支撑件和所述顶板之间的所述等离子体腔室，所述多个丝中的各个丝包含导体，所述第一RF电源向所述电极组件的所述导体提供第一RF功率以形成等离子体。
具有电极组件等离子体腔

[发明专利]衬管组件、等离子体处理装置和等离子体处理基板的方法-CN201810343864.1有效
发明人： 詹姆斯·D·卡达希;陈智刚;沙希德·劳夫;肯尼思·S·柯林斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请涉及衬管组件、等离子体处理装置和等离子体处理基板的方法。本发明揭示一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包含腔室盖、腔室主体及支撑组件。该腔室主体界定处理容积，该处理容积用于含有等离子体，该腔室主体用于支撑该腔室盖。该腔室主体由腔室侧壁、底壁及衬管组件组成。该腔室侧壁及该底壁界定处理容积，该处理容积用于含有等离子体。该衬管组件设置在该处理容积内部，该衬管组件包含两个或两个以上狭槽，该狭槽在衬管组件上形成，该狭槽用于提供轴向对称的射频电流路径。该支撑组件支撑基板，以在该腔室主体内部进行处理。本发明使用具有若干对称狭槽的衬管组件，可防止该衬管组件的电磁场产生方位角不对称现象。
组件等离子体处理装置方法

[发明专利]对称等离子体处理室-CN201710702460.2有效
发明人： 詹姆斯·D·卡达希;哈密迪·塔瓦索里;阿吉特·巴拉克利斯纳;陈智刚;安德鲁·源;道格拉斯·A·小布什伯格;卡尔蒂克·贾亚拉曼;沙希德·劳夫;肯尼思·S·柯林斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况(诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力)相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
对称等离子体处理

[发明专利]对等离子体反应器的电极施加功率-CN201880027286.9在审
发明人：肯尼思·S·柯林斯;卡提克·雷马斯瓦米;郭悦;沙希德·劳夫;卡罗尔·贝拉;詹姆斯·D·卡达希;迈克尔·R·赖斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子体反应器包括具有提供等离子体腔室的内部空间的腔室主体、将处理气体输送至等离子体腔室的气体分配器、耦接至等离子体腔室以将腔室抽空的泵、用于保持工件的工件支撑件及腔内电极组件，该腔内电极组件包括在等离子体腔室的顶板与工件支撑件之间横向延伸通过等离子体腔室的多个灯丝。每根灯丝包括由圆柱形绝缘外壳围绕的导体。多个灯丝包括第一多数个灯丝及与所述第一多数个灯丝以交替模式排列的第二多数个灯丝。RF电源经配置成将第一RF输入信号施加至第一多数个灯丝。
灯丝等离子体腔室工件支撑件腔内电极等离子体反应器气体分配器处理气体横向延伸交替模式绝缘外壳腔室主体组件包括导体腔室耦接抽空施加配置

[发明专利]具有电极线状物的等离子体反应器-CN201880026528.2在审
发明人：肯尼思·S·柯林斯;迈克尔·R·赖斯;卡提克·雷马斯瓦米;詹姆斯·D·卡达希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子体反应器包括具有提供等离子体腔室的内部空间并且具有顶板的腔室主体、用于将处理气体输送至等离子体腔室的气体分配器、耦接至等离子体腔室以抽空腔室的泵、保持工件面向顶板的工件支撑件、包括绝缘框架和在顶板与工件支撑件之间横向延伸穿过等离子体腔室的线状物的腔室内电极组件(线状物包括至少部分地由从绝缘框架延伸的绝缘外壳围绕的导体)和向腔室内电极组件的导体供应第一RF功率的第一RF功率源。
等离子体腔室工件支撑件导体电极组件绝缘框架线状物等离子体反应器室内气体分配器处理气体横向延伸绝缘外壳腔室主体抽空腔耦接穿过延伸

[发明专利]加热的喷头组件-CN201610352823.X有效
发明人： 詹姆斯·D·卡达希;欧加·莱格拉曼;卡洛·贝拉;道格拉斯·A·布池贝尔格尔;保罗·比瑞哈特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-01-07 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明一般而言包含加热的喷头组件，其可用来供应处理气体至处理腔室。该处理腔室可以是蚀刻腔室。当该处理气体从该处理腔室排出时，均匀处理该衬底会有难度。将该处理气体抽离该衬底并朝向该真空泵推送时，衬底上的等离子体，在蚀刻的情况下可能会不均匀。不均匀的等离子体可造成不均匀蚀刻。为了避免不均匀蚀刻，可将该喷头组件分为两个区域，每一个区域均具有可独立控制的气体导入及温度控制。该第一区域对应该衬底的边缘，而该第二区域对应该衬底的中心。通过独立控制温度及通过该喷头区域的气流，可增加该衬底的蚀刻均匀性。
加热喷头组件

[发明专利]用于高功率等离子体蚀刻处理的气体分配板组件-CN201680084797.5在审
发明人： 詹姆斯·D·卡达希;肯尼思·S·柯林斯;K·拉马斯瓦米;M·R·赖斯;R·C·福韦尔;V·D·帕科 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种用于处理腔室的气体分配板组件，在一个实施例，该气体分配板组件包括主体、底板与穿孔面板，该主体由金属材料制成，该底板包含与该主体耦接的硅渗入的金属基质复合物，该穿孔面板包含通过黏接层与底板耦接的硅盘。
气体分配板组件底板穿孔耦接等离子体蚀刻处理金属基质复合物金属材料处理腔室高功率黏接层硅盘渗入

[发明专利]电子束等离子体工艺形成的类金刚石碳层-CN201780027603.2在审
发明人：杨扬;露西·陈;杰·周;卡提克·雷马斯瓦米;肯尼思·S·柯林斯;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;殷正操;刘菁菁;史蒂文·莱恩;贡萨洛·蒙罗伊;詹姆斯·D·卡达希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供用于形成具有期望的膜密度、机械强度及光学膜性质的类金刚石碳层的方法。在一个实施方式中，形成类金刚石碳层的方法包括下列步骤：在设置于处理腔室中的基板的表面上方产生电子束等离子体，以及在该基板的该表面上形成类金刚石碳层。所述类金刚石碳层由电子束等离子体工艺形成，其中类金刚石碳层作为半导体应用中的蚀刻工艺中的硬模层。所述类金刚石碳层可通过以下步骤形成：轰击设置在处理腔室中的含碳电极，以在设置于处理腔室中的基板的表面上方的含碳气体混合物中产生次级电子束，和在基板的表面上由该气体混合物的元素形成类金刚石碳层。
类金刚石碳层基板电子束等离子体处理腔室电子束气体混合物含碳电极含碳气体蚀刻工艺光学膜混合物硬模轰击半导体期望应用

[发明专利]对称等离子体处理室-CN201210548832.8有效
发明人： 詹姆斯·D·卡达希;哈密迪·塔瓦索里;阿吉特·巴拉克利斯纳;陈智刚;安德鲁·源;道格拉斯·A·小布什伯格;卡尔蒂克·贾亚拉曼;沙希德·劳夫;肯尼思·S·柯林斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
对称等离子体处理室均匀性衬底等离子体等离子体处理处理区域气体传导气体入口上下电极传统的改进室内

[发明专利]具有整合的均流器并具有改善的传导性的下部内衬件-CN201310264587.2有效
发明人： 詹姆斯·D·卡达希;安德鲁·源;阿吉特·巴拉克利斯纳;迈克尔·C·库特内 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-04-06 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：等离子体处理室具有带有整合均流器的下部内衬件。在蚀刻处理中，处理气体会被不均匀地从处理室抽吸，其可导致衬底的不均匀蚀刻。所述整合均流器配置成将使从该室经由下部内衬件排出的处理气体的流动均匀。
具有整合均流器改善传导性下部内衬

[发明专利]对称等离子体处理室-CN201210548948.1有效
发明人： 詹姆斯·D·卡达希;哈密迪·塔瓦索里;阿吉特·巴拉克利斯纳;陈智刚;安德鲁·源;道格拉斯·A·小布什伯格;卡尔蒂克·贾亚拉曼;沙希德·劳夫;肯尼思·S·柯林斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
对称等离子体处理

[发明专利]对称等离子体处理室-CN201210391087.0有效
发明人： 詹姆斯·D·卡达希;哈密迪·塔瓦索里;阿吉特·巴拉克利斯纳;陈智刚;安德鲁·源;道格拉斯·A·小布什伯格;卡尔蒂克·贾亚拉曼;沙希德·劳夫;肯尼思·S·柯林斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况(诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力)相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
对称等离子体处理

[发明专利]用于从蚀刻基板有效地移除卤素残余物的设备-CN201310250260.X有效
发明人：马修·F·戴维斯;肯尼斯·J·巴格;特雷斯·莫瑞;詹姆斯·D·卡达希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-10-02 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供一种用于从基板移除挥发性残余物的设备。在实施例中，一种用于从基板移除含卤素的残余物的设备包括适于操作以维持腔室内的真空的腔室及经定位以加热安置于该腔室中的基板的热模块。用于从基板移除含卤素的残余物的该设备亦包括以下至少者A)温度控制底座，所述温度控制底座具有从所述温度控制底座径向延伸的适于将该温度控制底座支撑于该腔室主体的凸部上的突出物，该突出物将该基底与该腔室主体热隔离；B)一对基板支架，所述一对基板支架包括从弧形主体的内部边缘向内径向延伸的两个支撑凸缘，每支撑凸缘具有包括倾斜平台的基板支撑台阶；或C)圆顶形窗。
用于蚀刻有效地卤素残余物设备

[发明专利]等离子体处理设备及其盖组件-CN201210549657.4有效
发明人： 詹姆斯·D·卡达希;哈密迪·塔瓦索里;阿吉特·巴拉克利斯纳;陈智刚;安德鲁·源;道格拉斯·A·小布什伯格;卡尔蒂克·贾亚拉曼;沙希德·劳夫;肯尼思·S·柯林斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
对称等离子体处理

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