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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]改性SiC晶片的制造方法、附有外延层的SiC晶片、其制造方法、及表面处理方法-CN201880019339.2有效
发明人：鸟见聪;须藤悠介;篠原正人;寺元阳次;坂口卓也;野上晓;北畠真 -专利权人：丰田通商株式会社
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：在改性SiC晶片(41)的制造方法(SiC晶片的表面处理方法)中，且于制造改性SiC晶片(41)的方法中进行以下的表面改性工序，其中，该改性SiC晶片(41)，处理形成外延层(42)之前的处理前SiC晶片(40)而将表面改性。也就是说，处理前SiC晶片(40)含有平行于(0001)面的位错即BPD、和TED，且以处理前SiC晶片(40)的表面的属BPD的部分在外延层(42)的形成时作为TED进行传播的比例变高的方式使表面的性质变化。
改性 sic 晶片制造方法附有外延表面处理

[发明专利]器件制作用晶圆的制造方法-CN201980069147.7在审
发明人：矢吹纪人;坂口卓也;神野明香;野上晓;北畠真 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：在器件制作用晶圆(43)的制造方法中，对在SiC晶圆(40)上形成有单晶SiC的外延层(41)的SiC外延晶圆(42)，进行使存在于该SiC外延晶圆(42)的外延层中的基面位错密度降低的基面位错密度降低工序，而制造为了制作半导体器件而使用的器件制作用晶圆(43)。在基面位错密度降低工序中，通过在为了降低基面位错密度而需要的既定时间内，不于SiC外延晶圆(42)上形成盖层，而是在Si蒸气压力下加热SiC外延晶圆(42)，一边抑制表面粗化一边降低基面位错密度。
器件制作用晶圆制造方法

[发明专利]SiC芯片的制造方法-CN201980054946.7在审
发明人：矢吹纪人;中岛祐治;坂口卓也;野上晓;北畠真 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的SiC芯片(40)进行蚀刻量小于或等于10μm的蚀刻，以去除加工变质层，其中，在所述研磨工序中，一边使用氧化剂在SiC芯片(40)上产生反应生成物，一边使用磨粒去除该反应生成物。在研磨工序后的SiC芯片(40)上，起因于加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生内部应力，通过利用加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小SiC芯片(40)的内部应力。
sic 芯片制造方法

[发明专利]SiC晶片和SiC晶片的制造方法-CN201980048251.8在审
发明人：长屋正武;神田贵裕;冈本武志;鸟见聪;野上晓;北畠真 -专利权人：株式会社电装;东洋炭素株式会社;丰田通商株式会社
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。
sic 晶片制造方法

[发明专利]碳化硅基板的蚀刻方法及收容容器-CN201580062705.9有效
发明人：鸟见聪;篠原正人;寺元阳次;矢吹纪人;野上晓;金子忠昭;芦田晃嗣;久津间保德 -专利权人：东洋炭素株式会社;学校法人关西学院
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。
碳化硅蚀刻方法收容容器

[发明专利]碳化硅基板的表面处理方法-CN201580063339.9有效
发明人：金子忠昭;芦田晃嗣;久津间保德;鸟见聪;篠原正人;寺元阳次;矢吹纪人;野上晓 -专利权人：学校法人关西学院;东洋炭素株式会社
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：提供一种碳化硅基板(40)的表面处理方法，其能对有无台阶束的产生或产生的台阶束的种类进行控制。于通过在Si蒸汽压下加热碳化硅基板(40)而对该碳化硅基板(40)的表面进行蚀刻的表面处理方法中，通过控制至少根据蚀刻速度而决定的蚀刻模式及蚀刻深度来进行碳化硅基板(40)的蚀刻，从而对蚀刻处理后的碳化硅基板(40)的表面形状进行控制。
碳化硅表面处理方法

[发明专利]碳化硅基板处理方法-CN201580062667.7有效
发明人：矢吹纪人;鸟见聪;野上晓 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：提供一种碳化硅基板处理方法，该方法对于形成有沟槽(41)的碳化硅基板(40)，一边防止表面产生粗化一边使离子活化。通过进行在Si蒸气压下加热碳化硅基板(40)的离子活化处理，使注入于碳化硅基板(40)的离子活化，并进行蚀刻而将表面加工平坦，其中该碳化硅基板(40)在表面具有注入了离子的离子注入区域(46)，且在至少包含该离子注入区域(46)的部分形成有沟槽(41)。
碳化硅处理方法

[发明专利]基座及其制造方法-CN201580032799.5有效
发明人：篠原正人;阿部纯久;野上晓 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种在晶片上形成薄膜时，能够抑制杂质等附着于晶片的基座及其制造方法。该基座的特征在于，具备：具有凹部(11)的基材(10)、直接形成在凹部(11)的底面(11a)和侧面(11b)上的碳化钽层(22)、和形成在凹部(11)以外的基材(10)的表面上的碳化硅层(20)。
基座及其制造方法

[发明专利]SiC基板的潜伤深度推定方法-CN201580009990.8有效
发明人：鸟见聪;矢吹纪人;野上晓 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC基板的潜伤深度推定方法，包括蚀刻工序、计测工序和推定工序。在蚀刻工序中，对于至少表面由单晶SiC构成，并且进行了机械加工后的SiC基板，通过在Si气氛下进行加热处理而对该SiC基板的表面进行蚀刻。在计测工序中，对进行了蚀刻工序的SiC基板的表面粗糙度或者残留应力进行计测。在推定工序中，基于在计测工序中得到的结果，推定蚀刻工序前的SiC基板的潜伤的深度或者有无潜伤。
sic 深度推定方法

[发明专利]SiC基板的表面处理方法、SiC基板和半导体的制造方法-CN201580009762.0有效
发明人：鸟见聪;矢吹纪人;野上晓 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：将进行过机械加工的SiC基板(40)在SiC气氛下进行加热处理而对该SiC基板(40)进行蚀刻之际，通过调整SiC基板(40)的周围的惰性气体压力来控制蚀刻速度。由此，在SiC基板(40)存在潜伤等的情况下，能够除去该潜伤等。因此，即使进行外延生长和热处理等，SiC基板(40)的表面也不会粗糙不平，所以能够制造高品质的SiC基板。
sic 表面处理方法半导体制造

[发明专利]SiC籽晶的加工变质层的除去方法、SiC籽晶和SiC基板的制造方法-CN201580009773.9有效
发明人：矢吹纪人;鸟见聪;野上晓 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种即使在使用切断加工过的SiC籽晶进行MSE法的情况下也不会降低生长速度的方法。将作为亚稳定溶剂外延法(Metastable solvent epitaxy：MSE法)的籽晶使用的SiC籽晶通过在Si气氛下进行加热而对表面进行蚀刻，除去因切断加工产生的加工变质层。由于已经知道SiC籽晶产生的加工变质层会阻碍MSE法的生长，所以通过除去该加工变质层能够防止生长速度的降低。
sic 籽晶加工变质除去方法制造

[发明专利]单晶碳化硅基板的加热处理容器及蚀刻方法-CN201680058070.X在审
发明人：鸟见聪;篠原正人;矢吹纪人;野上晓 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2016-10-06 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：加热处理容器(1)具备支撑部件(6)，该支撑部件(6)在蚀刻处理对象物即圆板状的SiC基板(2)时支撑该SiC基板(2)。支撑部件(6)具有用以支撑SiC基板(2)的下面的端缘(2E)的倾斜面(6F)，该倾斜面(6F)以随着越朝下方越靠近SiC基板(2)的中心线的方式倾斜。更具体地说，支撑部件(6)被形成为随着越朝下方而直径变得越大的圆锥状，且其圆周面即圆锥面构成所述倾斜面(6F)。此倾斜面(6F)的上下中途部接触于SiC基板(2)的下面的端缘(2E)。
支撑部件倾斜面加热处理容器端缘单晶碳化硅基板蚀刻蚀刻处理对象物圆板状圆周面圆锥面圆锥状中途部支撑

[发明专利]单晶碳化硅液相外延生长用单元和单晶碳化硅的液相外延生长方法-CN201180062368.5有效
发明人：鸟见聪;野上晓;松本强资 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明降低单晶碳化硅的液相外延生长所需要的成本。供料件（11），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。种晶件（12），通过含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。
碳化硅外延生长单元方法

[发明专利]单晶碳化硅液相外延生长用种晶件和单晶碳化硅的液相外延生长方法-CN201180062380.6有效
发明人：鸟见聪;野上晓;松本强资 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶基板12具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的使激发波长为532nm的拉曼分光解析，作为源自结晶多型为3C的多晶碳化硅的衍射峰，观察到T0峰和L0峰以外的峰。
碳化硅外延生长用种晶件方法

[发明专利]收容容器、收容容器的制造方法、半导体的制造方法以及半导体制造装置-CN201380059730.2在审
发明人：鸟见聪;矢吹纪人;野上晓 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种Si不会落到单晶SiC基板上，且能使其内部空间内的Si的压力分布均匀的收容容器。该收容容器收容藉由Si的蒸汽压力下的加热处理而被蚀刻的单晶SiC基板。该收容容器由钽金属构成，且在其内部空间側设置有碳化钽层，该碳化钽层的更靠内部空间側设置有硅化钽层。硅化钽层向内部空间提供Si。此外，硅化钽层不同于固着的Si，不会熔化落下。
收容容器制造方法半导体以及装置

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