[发明专利]非易失性半导体存储器件无效
| 申请号： | 200810095311.5 | 申请日： | 2008-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101295735A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 石丸哲也;岛本泰洋;峰利之;青木康伸;鸟羽功一;安井感 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种使数据保持特性提高的非易失性半导体存储器件。在通过热载流子注入来进行写入或者擦除的存储单元中，包括作为由电荷蓄积部的氮化硅膜(SIN)、位于其上下的氧化膜(BOTOX)、(TOPOX)的层叠膜构成的ONO膜；其上部的存储器栅电极(MG)；源极区域(MS)以及漏极区域(MD)，使包含在氮化硅膜(SIN)中的N－H键和Si－H键的总密度为5×1020cm－3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器件，其特征在于，具有：形成在半导体衬底中的一对源极区域和漏极区域；形成在上述源极区域和漏极区域之间的上述半导体衬底的区域上的第一栅电极；以及形成在上述半导体衬底的表面与上述第一栅电极之间的电荷蓄积部，其中，上述电荷蓄积部包含N-H键、硅以及Si-H键的总密度为5×1020cm-3以下的第一氮化膜，通过对上述电荷蓄积部注入热载流子来进行写入或擦除。
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