[发明专利]叠层型压电元件有效
| 申请号： | 200810080741.X | 申请日： | 2004-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101271957A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 小野进;冈村健;坂上胜伺;平隆晶;寺园正喜 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/083 | 分类号： | H01L41/083 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种叠层型压电元件，包含由压电体和内部电极交替叠层而构成的叠层体，其特征在于：所述压电体的接触所述内部电极的部分的平均结晶粒径，比其以外的位置的平均结晶粒径更大。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层型 压电 元件 | ||
【主权项】：
1.一种叠层型压电元件，包含由压电体和内部电极交替叠层而构成的叠层体，其特征在于：所述压电体的接触所述内部电极的部分的平均结晶粒径，比其以外的位置的平均结晶粒径更大。
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- 田一;聂京凯;崔建业;耿进锋;史昌明;龚文;何强 - 全球能源互联网研究院有限公司;国网河南省电力公司电力科学研究院;国网浙江省电力有限公司金华供电公司;国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院;浙江清华长三角研究院
- 2021-09-08 - 2021-12-07 - H01L41/083
- 本发明提供一种压电结构及其制备方法，压电结构包括：压电膜层；位于压电膜层一侧表面的种子层；位于种子层背离压电膜层的一侧表面的纳米线阵列层，纳米线阵列层的材料为半导体压电材料。当在外界作用下发生形变时，压电膜层和纳米线阵列层产生压电效应，压电膜层相对设置的两个表面和纳米线阵列层相对设置的两个表面均产生相反的电荷，使位于两者之间的种子层受到电场作用，在上述电场的作用下，种子层实现了压电膜层和纳米线阵列层的串联，压电结构所产生的电能为压电膜层和纳米线阵列层所产生的电能的加和，有效提高了压电材料的压电转换效率。
- 超声波振动元件和超声波传感器-201810068187.7
- 松纳 - 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
- 2018-01-24 - 2021-12-03 - H01L41/083
- 本申请涉及一种超声波振动元件及超声波传感器，用于接收外部驱动电压以发出超声波，超声波振动元件包括：压电层层叠组件；压电层层叠组件包括层叠的至少两层压电材料层；压电材料层的极化方向以交替地反转地方式在压电材料层的厚度方向上分层分布；压电层层叠组件还包括层叠于压电材料层表面的导电层；导电层用于使至少两层压电材料层以互相串联或并联的方式接收外部驱动电压。超声波传感器包括超声波振动元件。上述超声波振动元件及超声波传感器，通过设置层叠的，串并联的单层多极向的压电材料层叠组件，在不提高驱动电压且厚度较薄的前提下，增强超声波信号强度。从而使得超声波传感器的信噪比大幅提高。
- 压电元件及其制造方法、超声波探头、超声波测定装置-201610943104.5
- 山崎清夏;田村博明 - 精工爱普生株式会社
- 2016-11-01 - 2021-11-16 - H01L41/083
- 提供一种压电元件及其制造方法、超声波探头、超声波测定装置。所述压电元件具备压电体和振动膜，所述振动膜将各向异性的单晶硅作为振动用材料，所述各向异性具有泊松比相对高的位向和泊松比相对低的位向，所述泊松比相对低的位向称为“低泊松比位向”，以所述低泊松比位向成为沿着所述压电体的高伸缩方向的方向的方式层叠所述压电体和所述振动膜，所述高伸缩方向是所述压电体根据支承结构产生的伸缩程度相对高的方向和相对低的方向中相对高的方向。
- 专利分类
