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[发明专利]一种宽覆盖高增益一维聚焦多波束天线及其实现方法-CN202310860751.X在审
发明人：于伟华;刘浩;李昊霖 -专利权人：北京理工大学;北京理工大学重庆微电子研究院
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽覆盖高增益一维聚焦多波束天线及其实现方法。本发明包括多个一维聚焦天线单元；每个一维聚焦天线单元：基底、矩形波导、喇叭馈源天线、第一至第五通道和渐变辐射端口；本发明通过分层铣削工艺完成加工，结构简单，易于集成；天线的方向图采用一维聚焦形式，形成了水平面很窄，垂直面很宽的“饼”状方向图；各端口间具有良好的驻波特性和隔离度；在保持高增益，不增加波束数量的情况下，实现了低交叠电平的性能。本发明基于卡塞格伦天线的设计原理，采用一维聚焦的方式，实现了多波束天线宽覆盖高增益性能，避免了增益的损失和天线波束数量的增加，不同的仰角位置，波束覆盖均匀。
一种覆盖增益聚焦多波束天线及其实现方法

[发明专利]一种基于色散超透镜的计算式光谱仪及工作方法-CN202310852196.6在审
发明人：丁心宇;谢会开;单崇书 -专利权人：北京理工大学;北京理工大学重庆微电子研究院
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明公开的一种基于时间分光的计算式光谱仪及工作方法，属于光谱分析技术领域。本发明包括超透镜、光电探测器、信号处理系统、光收集元件。超透镜能够对入射光聚焦。超透镜光轴上最近焦点与最远焦点之间任意一点的光强由光谱仪工作波段内所有波长信号按预定权重产生。超透镜光轴上最近焦点与最远焦点之间的任意一点上，在该处聚焦的波长信号产生最大权重。光收集元件放置于超透镜中心光轴上，具有固定光通量。光收集元件的入射端口与超透镜之间的距离可调，入射端口位置处于超透镜工作波段内最近焦点与最远焦点之间。通过光电探测器上的单一像元在不同时间依次采集响应信号，计算出原始光谱，解决空间分光方式固有的光谱精度与空间分辨率矛盾。
一种基于色散透镜算式光谱仪工作方法

[发明专利]一种可高精度组装的MEMS光学扫描探头-CN202310728230.9在审
发明人：蒲嘉;綦廷祥;陈倩;谢会开;王久江;王效峰 -专利权人： 北京理工大学重庆微电子研究院
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02B26/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种可高精度组装的MEMS光学扫描探头，涉及使用MEMS芯片实现直扫的内窥式探头领域，包括：安装基座，所述安装基座上设置有准直组件安装内腔、MEMS组件安装内腔、扫描镜组安装内腔、反射镜安装孔；所述准直组件安装内腔内安装有光纤准直器；所述MEMS组件安装内腔内安装有MEMS芯片基座，所述MEMS芯片基座上安装有FPCB和MEMS芯片；所述扫描镜组安装内腔上安装有扫描镜组；所述反射镜安装孔上安装有反射镜；本发明，可实现精密调节，有效提高探头整体成像质量；同时，MEMS芯片、扫描镜组可替换，能实现分辨率、视场大小在不同应用条件下的多种组合。
一种高精度组装 mems 光学扫描探头

[发明专利]一种阵列电容单元、阵列电容组件及其制备方法和应用-CN202310840455.3在审
发明人：张子岳;陈志铭;周明睿;王晗;丁英涛 -专利权人： 北京理工大学重庆微电子研究院;北京理工大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及三维结构电容技术领域，具体涉及一种阵列电容单元、阵列电容组件及其制备方法和应用，该阵列电容单元以及基于该阵列电容单元的阵列电容组件结合了TSV技术构建三维电容，此类阵列电容单元、组件通过利用垂直方向的空间，有效减小了平面上的占用面积；同时，上述的阵列电容单元可进行任意方向的拓扑，从而形成具有特定电容值的阵列电容组件。
一种阵列电容单元组件及其制备方法应用

[发明专利]集成磁芯的自卷曲电感-CN202211698049.X在审
发明人：杨恒张;谢会开;曹英超;丁英涛;严阳阳;单崇书 -专利权人：北京理工大学;北京理工大学重庆微电子研究院
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成磁芯的自卷曲电感，用于提高磁芯填充的良率以及器件制造良率，属于MEMS加工制造领域。本发明的目的是为了优化3D自卷曲功率电感制造工艺，提高磁芯填充良率及器件制造速率，且实现器件全流程制造工艺与MEMS工艺相互兼容，提供一种集成磁芯的自卷曲电感。自卷曲电感包含衬底、磁芯、结构层下层薄膜、结构层上层薄膜、金属走线。其中，结构层下层薄膜，结构层上层薄膜和金属走线自下而上顺序堆叠于衬底上。磁芯沉积在结构层上层薄膜端部。该方案具有磁芯大小形貌可控、与MEMS工艺和IC工艺兼容、低成本、可量产等优势。
集成卷曲电感

[发明专利]电磁式大声阻活塞运动式MEMS扬声器及其制造方法-CN202310354785.1在审
发明人：谢会开;郑钦丞;曹可;逯遥;汤跃 -专利权人：北京理工大学;北京理工大学重庆微电子研究院
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H04R31/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种电磁式大声阻活塞运动式MEMS扬声器及其制造方法。所述电磁式大声阻活塞运动式MEMS扬声器，包括基底、腔体、电磁式驱动组件、连接组件、振膜；所述基底包括基座和沿所述基座厚度方向延伸的支撑结构，所述支撑结构的四周围合从而形成所述腔体；所述连接组件用于连接所述振膜和所述支撑结构；所述振膜为悬空结构且悬设于所述腔体中；所述振膜与所述连接组件不共面；所述振膜的垂直方向的位移范围一般不超过所述空腔高度范围；所述电磁式驱动组件包括可动部件和固定部件；所述可动部件构成所述振膜的一部分，包含线圈和磁性材料中的一种；所述固定部件位于所述基底中；所述电磁式驱动组件通过电磁力带动所述振膜沿垂直方向做活塞式运动。
电磁式声阻活塞运动 mems 扬声器及其制造方法

[发明专利]一种太赫兹MEMS频率可重构滤波器及其实现方法-CN202310244621.3在审
发明人：于伟华;彭洪;吕昕;谢会开;刘浩;王新悦 -专利权人： 北京理工大学重庆微电子研究院;北京理工大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明提供了一种太赫兹MEMS频率可重构滤波器及其实现方法，包括波导组件和MEMS位移执行器，波导组件构成一个N阶太赫兹滤波器，MEMS位移执行器至少形成N个位移量可调的MEMS可调谐平面，MEMS可调谐平面通过调节位移量来同步等值改变所述N阶太赫兹滤波器的N个矩形谐振腔的宽度，以实现太赫兹滤波器的中心频率可重构。本发明具有大范围连续调节太赫兹波工作频率的功能，解决了当前太赫兹射频前端系统中工作频率调节困难且频率调节不连续的问题；利用这种MEMS微型可动结构调节太赫兹滤波器的工作频率，解决了当前太赫兹可重构滤波器性能差且体积大的问题；通过同步对称改变太赫兹波导滤波器谐振宽度的方法，实现太赫兹滤波器的工作频率连续可调而工作带宽保持不变。
一种赫兹 mems 频率可重构滤波器及其实现方法

[发明专利]基于MEMS可动微平台及其阵列的成像光谱仪-CN202310390875.6在审
发明人：丁心宇;谢会开;陈超;曹英超 -专利权人：北京理工大学;北京理工大学重庆微电子研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明公开的一种基于MEMS可动微平台及其阵列的成像光谱仪，属于光谱成像技术领域。本发明包括超表面、MEMS可动微平台阵列、光阑、图像传感器。超表面由特征尺寸小于光谱仪工作波段的微结构构成。本发明采用超表面作为色散元件，显著压缩分光元器件的体积；通过将超表面集成于MEMS可动微平台阵列上，并实现使用半导体工艺进行MEMS可动微平台阵列加工，能够降低成像光谱仪的生产成本，提高成像光谱仪的集成度；利用MEMS可动微平台阵列将物方空间划分为多个区域进行成像，能够获得最大与阵列单元数量相同的空间分辨率，而不需要添加额外的扫描元件来获取空间分辨能力；通过灵活选择每个MEMS可动微平台单元的工作状态，获得任意大小的空间分辨率。
基于 mems 可动微平台及其阵列成像光谱仪

[发明专利]一种肖特基二极管调控的太赫兹透射单元及阵列系统-CN202310065325.7在审
发明人：李斌;曹硕;胡伟东;彭凯雯;于伟华;邓长江 -专利权人： 北京理工大学重庆微电子研究院;北京理工大学
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管调控的太赫兹透射单元及阵列系统，涉及天线领域，包括两个肖特基二极管与透射单元，透射单元包括接收贴片、金属板、耦合缝隙、微带线、空气层、辐射贴片和三层石英玻璃，所述接收贴片设置于第一层石英玻璃上层，所述金属板设置于第一层石英玻璃与第二层石英玻璃之间，所述耦合缝隙设置于金属板上，所述微带线设置于第二层石英玻璃下层，所述两个肖特基二极管与微带线连接，所述空气层设置于第二层石英玻璃和第三层石英玻璃之间，所述辐射贴片设置于第三层石英玻璃上层，施加电压控制两个肖特基二极管的通路和断路。本发明使透射阵列产生透射角度不同的波束，实现波束可调，在THz频段具有较高的可靠性和稳定性。
一种肖特基二极管调控赫兹透射单元阵列系统

[发明专利]一种梳齿驱动的静电MEMS微镜角度检测电路及方法-CN202211621632.0在审
发明人：张瑞浩;屈家生;谢会开;郑栋 -专利权人：北京理工大学;北京理工大学重庆微电子研究院;重庆虹势科技有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01B7/30 文献下载
摘要：一种梳齿驱动的静电MEMS微镜角度检测电路及方法，属于微机电领域。通过在驱动电极上施加电压，驱动动梳齿和可动镜面围绕扭转梁扭转，使动梳齿与静梳齿之间的交叠面积发生变化，导致动梳齿和静梳齿构成的电容发生变化；电容在变化过程中，调制感测电压的幅值，产生感测信号；通过在感测电极上测量感测信号能检测梳齿电容的变化，能求得梳齿驱动的静电MEMS微镜的偏转角度。采用频率远高于驱动电压的感测电压，对频域进行隔离，并对微镜运动产生的感测信号进行窄带通滤波处理，滤除驱动电压产生的干扰；通过T型偏置电路，降低驱动电压和感测电压在时域叠加过程中产生的串扰。本发明适用于测试等领域，提升旋转角度的测试精度。
一种梳齿驱动静电 mems 角度检测电路方法

[发明专利]二维静电扫描微镜及其制作方法-CN202211456584.4在审
发明人：曹英超;谢会开;丁英涛;严阳阳 -专利权人：北京理工大学;北京理工大学重庆微电子研究院
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G02B26/10 文献下载
摘要：本发明公开的一种二维静电扫描微镜及其制作方法，属于微光机电技术领域。本发明公开的一种二维静电扫描微镜，包括器件层、绝缘层、衬底层。器件层上包括聚合物填充电隔离沟道和开放电隔离沟道。二维静电扫描微镜基于聚合物填充沟道，实现高深宽比沟道的填充，采用与具有电绝缘和机械连接性的聚合物填充沟道，实现对沟道两侧电极的电绝缘和固化机械稳定连接，进而实现二维静电扫描微镜驱动电极间的高电压驱动；此外，采用聚合物一次填充方式实现沟道的无缝隙填充，提高沟道填充效率和成品率，降低二维静电扫描微镜制作成本。利用聚合物具有超低杨氏模量的特性，有效消除沟道内填充物与沟道结构之间的应力失配，提高二维静电扫描微镜工作稳定性。
二维静电扫描及其制作方法

[发明专利]一种太赫兹MEMS带宽可重构滤波器及其实现方法-CN202310093413.8在审
发明人：于伟华;彭洪;吕昕;刘浩;张李迪;王新悦 -专利权人：北京理工大学;北京理工大学重庆微电子研究院
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种太赫兹MEMS带宽可重构滤波器及其实现方法。本发明通过两个MEMS角度执行器嵌入到矩形波导中，利用偏置电压改变其中的2N个可转动平面的转动角度，调节太赫兹滤波器的工作带宽，解决了当前太赫兹可重构滤波器性能差且可调器件体积大的问题；本发明通过同步对称改变太赫兹MEMS带宽可重构滤波器所有可转动平面的转动角度，实现太赫兹MEMS带宽可重构滤波器的工作带宽连续可调且带宽上边带保持不变，解决了传统太赫兹滤波器工作带宽调节时带宽边带频点无法固定的问题；本发明中具有结构小、损耗低、易于太赫兹器件集成、便于大规模加工的优点；通过偏置电压调节获得高精度的工作带宽，解决传统滤波器由于设计、加工导致的工作带宽偏差。
一种赫兹 mems 带宽可重构滤波器及其实现方法

[发明专利]基于熔断释放装置的双层自卷曲薄膜系统及制作方法-CN202211698055.5在审
发明人：杨恒张;谢会开;丁英涛;曹英超;严阳阳 -专利权人：北京理工大学;北京理工大学重庆微电子研究院
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开的一种基于熔断释放装置的双层自卷曲薄膜系统及制作方法，属于MEMS加工制造领域。本发明为熔断电阻释放薄膜结构。支撑层沉积在衬底两个端部；衬底、支撑层、结构层下层薄膜包围形成空腔结构；结构层上层薄膜沉积在结构层下层薄膜上；通过熔断电阻将结构层下层薄膜和金属电极连接。空腔结构通过牺牲层的释放形成。逐步去除支撑层，埋氧层和器件层后形成特有的空腔结构。结构层下层薄膜与结构层上层薄膜共同组成双晶片卷曲薄膜系统。两层薄膜应力相反，结构层下层薄膜为负应力，结构层上层薄膜为正应力，确保结构释放后薄膜向上卷曲。通过调节结构层下层薄膜与结构层上层薄膜应力控制薄膜卷曲形变能力；通过瞬时大电流熔断固定电阻，使薄膜在失去固定约束后产生瞬时回弹，薄膜的自由尖端在回弹中具有较大的冲量，从而使得薄膜卷曲更加致密。
基于熔断释放装置双层卷曲薄膜系统制作方法

[发明专利]一种低温漂静电MEMS微镜及其实现方法-CN202210493453.7有效
发明人：曹英超;谢会开;郑栋 -专利权人：北京理工大学;重庆虹势科技有限公司;北京理工大学重庆微电子研究院
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本发明公开的一种低温漂静电MEMS微镜及其实现方法，属于微光机电(MOEMS)领域。本发明包括镜面、扭转梁、梳齿驱动器、梳齿支撑结构，电隔离沟道，焊盘和空腔，微镜结构从上到下依次为结构层、绝缘层和衬底层。本发明通过优化微镜结构调节微镜阻尼，实现对静电MEMS微镜低角度温漂补偿；利用结构层和衬底层之间的热应力补偿结构层材料硅杨氏模量引入的频率温漂，实现低频率温漂补偿；在对静电MEMS微镜进行低角度温漂补偿、低频率温漂补偿基础上，提高静电MEMS微镜工作稳定性和运动控制的精确性。本发明无需额外增加位置检测模块和反馈控制，具有结构简单、体积小、成本低、易于实现的优点。所述低温漂包括低频率温漂和低角度温漂。
一种低温静电 mems 及其实现方法

[发明专利]微机电系统微镜及其制作方法-CN202010349895.5有效
发明人：薛原;谢会开;王鹏 -专利权人： 北京理工大学重庆微电子研究院;无锡微文半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：公开了一种微机电系统微镜及其制作方法，该微镜包括：驱动器，驱动器包括驱动部和由驱动部支撑的结构平台，驱动部带动结构平台移动或转动；镜面结构，位于结构平台远离驱动部的一侧，且镜面结构远离结构平台的一侧至少具有一个可反射镜面；定位结构，包括至少一个凸起部和至少一个凹陷部，凸起部和凹陷部中的任意一者位于结构平台上，另一者位于镜面结构上，且凸起部与凹陷部相匹配，其中，结构平台在驱动部的带动下向靠近镜面结构的方向运动，由定位结构将结构平台和镜面结构相互连接匹配，形成微机电系统微镜。通过驱动部来使结构平台朝向镜面结构运动，又有定位部使二者相匹配，提高了微镜的表面质量，且无需人工参与，保护了微镜结构。
微机系统及其制作方法

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