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[发明专利]可配置的粘附设备和方法-CN202080032304.X有效
发明人：保罗·路易斯·玛莉亚·约瑟夫·万妮尔;阿尔诺·威廉·弗雷德里克·佛尔克;希尔克·布勒·阿克曼;格温·赫尔曼纳斯·格林克;安东尼斯·玛丽亚·B·范默尔;阿瑟·佩里·伯克霍夫 -专利权人：荷兰应用自然科学研究组织TNO
申请日： 2020-04-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： F16B47/00 文献下载
摘要：用于通过吸力粘附到目标表面(200)的设备(100)和方法。设备具有衬底(20)，衬底具有接触表面(20a)，接触表面用于将设备(100)接触到目标表面(200)。多个袋状部(10)由凹入地延伸到接触表面(20a)中的相应的袋状部表面(10a)形成。袋状部(10)具有开口侧(10b)，开口侧面向目标表面(200)并且被目标表面封闭。柔性膜(15)形成袋状部表面(10a)的至少一部分。致动器(40)被配置为致动柔性膜(15)。穿过袋状部表面(10a)的单向阀(30)被配置为经由单向阀(30)将袋状部(10)的内容物引导到环境(300)。
配置粘附设备方法

[发明专利]具有堆叠的膜的超声换能器-CN202180015835.2在审
发明人：保罗·路易斯·玛莉亚·约瑟夫·万妮尔;阿尔诺·威廉·弗雷德里克·佛尔克;格温·赫尔曼纳斯·格林克;希尔克·布勒·阿克曼;安东尼斯·玛丽亚·B·范默尔 -专利权人：荷兰应用自然科学研究组织TNO
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： B06B1/02 文献下载
摘要：超声换能器(100)包括附接到衬底(50)的至少两个膜(10，20)的堆叠层。电路(30)联接到电极，电路具有控制器，控制器被配置成将第一电信号(S11)施加到第一膜(10)上的第一电极(11)，并且将不同的第二电信号(S21)施加到第二膜(20)上的第二电极(21)。第一电信号和第二电信号(S11，S21)被配置成在膜(10，20)的相应的振动周期(T1，T2)期间，在第一电极(11)和第二电极(12)之间施加变化的电压(ΔV1，ΔV2)。第一膜(10)上的第一电极(11)被配置成通过在相应的振动周期(T1，T2)期间根据变化的电压(ΔV1，ΔV2)变化的静电力(Fe)与第二膜(20)上的第二电极(21)相互作用。
具有堆叠超声换能器

[发明专利]具有支柱结构的压电装置及制造方法-CN202180015899.2在审
发明人：劳伦斯·克里斯蒂安·约翰内斯·玛丽亚·佩特斯;扬-劳伦斯·皮特尔·雅各布斯·范徳斯特恩;罗伊·赫拉尔杜斯·弗兰西斯克斯·费尔贝克;保罗·路易斯·玛莉亚·约瑟夫·万妮尔;格温·赫尔曼纳斯·格林克 -专利权人：荷兰应用自然科学研究组织TNO
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：一种压电装置(100)及制造方法。提供第一基板(10)，其具有包含压电材料(M)的若干支柱(11)的阵列。提供第二基板(20)，其具有面向支柱(11)的相应端部的压电层(21)。在压电层(21)至少部分地为液体时，将支柱(11)的相应端部推压(P)至压电层(21)内。使压电层(21)硬化，以在压电层(21)和支柱(11)之间形成整体连接。因此，压电层(21)可以在支柱(11)的相应端部之间形成桥接结构。该整体式压电结构可通过高电压(HV)来极化。桥接结构可用作用于沉积电触点(23)的平台。压电装置(100)可用于例如在医学成像中生成或检测声波。
具有支柱结构压电装置制造方法

[发明专利]具有改善的带宽的膜式换能器-CN202080076479.0在审
发明人：保罗·路易斯·玛莉亚·约瑟夫·万妮尔;阿尔诺·威廉·弗雷德里克·佛尔克;希尔克·布勒·阿克曼;格温·赫尔曼纳斯·格林克;安东尼斯·玛丽亚·B·范默尔 -专利权人：荷兰应用自然科学研究组织TNO
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：通过控制元件(C)改善基于膜的超声换能器的有效带宽。控制元件(C)设置在换能器的第一膜(10)的第一侧(10a)上，以增加或减小第一膜(10)朝向第一侧(10a)和/或相对的第二侧(10b)的位移幅度。这样使得第一侧(10a)与第二侧(10b)相比，在第一膜(10)的第一振动(V1)期间在第一膜(10)向第一侧的移动中引起位移不对称(ZaZb)。位移不对称可以导致改善的带宽。
具有改善带宽膜式换能器

[发明专利]具有局部膜振动的声学压电膜换能器阵列-CN202080032588.2在审
发明人：希尔克·布勒·阿克曼;阿尔伯特·佑斯·扬·玛丽·万布里曼;格温·赫尔曼纳斯·格林克;阿瑟·佩里·伯克霍夫;保罗·路易斯·玛莉亚·约瑟夫·万妮尔;阿尔诺·威廉·弗雷德里克·佛尔克 -专利权人：荷兰应用自然科学研究组织TNO
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：一种声学器件(100)，该声学器件包括声学换能器(10a，10b)的阵列，该声学换能器的阵列由柔性基底(11)上的图案化的堆叠(12‑15)形成。堆叠包括：压电层(13)，该压电层被夹在相应的底部电极层和顶部电极层(12，15)之间；以及图案化的绝缘层(14)，该图案化的绝缘层由绝缘材料(14m)的图案形成。该图案包括绝缘区域(A14)和没有绝缘材料(14m)的接触区域(A10)，在该绝缘区域处，绝缘材料(14m)被布置在电极(12，15)中的一个电极和压电层(13)之间，在接触区域处，两个电极(12，15)都与压电层(13)接触。
具有局部振动声学压电膜换能器阵列

[发明专利]准直仪滤波器-CN201980017777.X在审
发明人：丹尼尔·托尔德拉·萨尔瓦多;格温·赫尔曼纳斯·格林克;桑迪普·乌尼克里希南;希尔克·布勒·阿克曼;巴特·佩特斯;阿尔贝特·霍斯·简·玛丽·范·布里曼 -专利权人：荷兰应用科学研究会(TNO)
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：一种准直仪滤波器(10)，包含：一入射表面(11)，以接收具有不同的入射角(θi，θi')的入射光(Li，Li')；及一出射表面(12)，以允许输出光(Lo)从该准直仪滤波器(10)离开。在该入射表面(11)与该出射表面(12)之间的一滤波器结构只透射具有低于一临界角(θmax)的入射角(θi)的该入射光(Li)的部分。该滤波器结构包含一图案化的多个碳纳米管(1)的阵列，其中，该多个纳米管在该入射表面(11)与该出射表面(12)之间沿该主透射方向(Z)对齐地延伸。该多个纳米管(1)被布置成形成一横向于该主透射方向(Z)的二维图案(P)。在该图案(P)中的没有纳米管(1)的开放区域在该多个纳米管(1)之间形成微孔径(A)，用于使该输出光(Lo)透射穿过该滤波器结构。
准直仪滤波器

[发明专利]微辐射热计及制造方法-CN201880073429.X在审
发明人： 格温·赫尔曼纳斯·格林克 -专利权人：荷兰应用科学研究会(TNO)
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G01J5/04 文献下载
摘要：一种用于量测热辐射之微辐射热计包含一穿孔塑料基体上之一电路。该电路包含具有一温度相关电阻之至少一个热敏电阻器，其中该热敏电阻器经配置以接收该热辐射以取决于所接收之热辐射的一通量而改变其温度。该电路经组配以量测该热敏电阻器之该电阻以计算该热辐射。该微辐射热计经组配以使一气流通过穿孔以改良热特性。
辐射热制造方法

[发明专利]高电压薄膜晶体管及其制造方法-CN201880062257.6在审
发明人： 格温·赫尔曼纳斯·格林克;简-劳伦斯·彼得·雅各布·范·德尔·斯廷 -专利权人：荷兰应用科学研究会(TNO)
申请日： 2018-09-24 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：指明一种高电压薄膜晶体管，包含在一栅极电极层(31)中的一栅极电极(G11，G21)，在与该栅极电极层平行的一沟道层(34)中的一半导体沟道(C11，C12)，该半导体沟道藉由一栅极介电层(32)而与该栅极电极电气绝缘。该晶体管还包含一主导主电极及一从属主电极(M11，M12)。主电极各具有在一主电极层(36)中的一外部部分(M11e，M12e)及一内部部分(M11e，M12e)，该内部部分突出通过在该主电极层与该沟道层之间的一另一介电层(35)，以分别在一主导主电极接触区域(M11c)及一从属主电极接触区域(M12c)中电气接触该半导体沟道。一第一距离(D1)界定在该主导主电极接触区域面向该从属主电极接触区域的一侧与该主导主电极的该外部部分面向该从属主电极的该外部部分的一侧之间。一第二距离(D2)界定在该从属主电极接触区域面向该主导主电极接触区域的一侧与该从属主电极的该外部部分面向该主导主电极的该外部部分的一侧之间，其中该第一距离至少是该第二距离的两倍大。
电压薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]电子器件以及制造电子器件的方法-CN200880107431.0有效
发明人：克里斯托夫·威廉·塞莱;莫妮卡·约翰内斯·贝恩哈克斯;格温·赫尔曼纳斯·格林克;尼古拉斯·阿尔德贡达·扬·玛丽亚·范阿尔勒;亚尔马·埃德泽尔·爱科·胡伊特马 -专利权人：聚合物视象有限公司
申请日： 2008-07-16 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子器件，包括第一薄膜晶体管(TFT)和第二TFT的序列，第一TFT包括通过第一绝缘体而分离的第一组电极，第二TFT包括通过第二绝缘体而分离的第二组电极，其中，第一组电极和第二组电极由第一共享导电层和第二共享导电层形成。第一绝缘体和第二绝缘体通过共享介电层形成。本发明还涉及一种制造电子器件的方法。
电子器件以及制造方法

[发明专利]电子元件及其制造方法-CN200880101248.X有效
发明人：克里斯托夫·威廉·塞莱;莫妮卡·约翰内斯·贝恩哈克斯;格温·赫尔曼纳斯·格林克;尼古拉斯·阿尔德贡达·扬·玛丽亚·范阿尔勒;亚尔马·埃德泽尔·爱科·胡伊特马 -专利权人：聚合物视象有限公司
申请日： 2008-07-16 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子元件，特别是，例如一种包括TFT、存储电容器或叠层器件的导电层之间的交叉的电子元件。电子元件包括衬底，在该衬底上设置有形成电极的第一导电层。由第二导电层形成的第二电极通过至少一个介电层与第一电极隔开，该介电层包括电绝缘材料(优选地具有抗电击穿的高阻抗)的夹层以及另一可光图案化的电绝缘材料层。
电子元件及其制造方法

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