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[发明专利]一种无源射频柔性聚合物薄膜传感器及其制备方法-CN202211285553.7在审
发明人：董波;胡昱轩 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种无源射频柔性聚合物薄膜传感器及其制备方法，包括以下步骤：提供一基底层，采用磁控溅射在基底层上获得一底电极层；在底电极层上涂敷压电胶体材料，并对压电胶体材料进行甩胶获得第一均匀压电胶体；利用不同梯度的真空度排除第一均匀压电胶体中的气泡，获得第二均匀压电胶体；通过梯度升温对第二均匀压电胶体进行固化，获得一压电薄膜层；采用磁控溅射在压电薄膜层上获得一上电极层；利用剥离剂对底电极层的电极区进行处理，获得一电极pad区域，完成制备。本发明用于解决现有的无源射频柔性传感器在制备上具有一定复杂性和难度的技术问题，从而达到简化无源射频柔性传感器的制造过程以及降低其制备难度的目的。
一种无源射频柔性聚合物薄膜传感器及其制备方法

[发明专利]一种ZnO-Si p-n结压电器件及其制备方法-CN202210982255.7在审
发明人：邓维礼;张洪瑞;杨维清;田果;杨涛;熊达 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO‑Si p‑n结压电器件及其制备方法，其制备方法依次包括以下步骤：在具有底部电极的基底表面，通过射频磁控溅射沉积氧化锌种子层，然后浸入生长液中浸泡，再清洗和烘干，制得氧化锌种子层上生长的氧化锌纳米棒；通过射频磁控溅射沉积p型Si薄膜；旋涂溶解有聚甲基丙烯酸甲酯的有机溶剂，然后烘干，再沉积银，制得ZnO‑Si p‑n结压电器件。本发明的制备方法简单、易操作，制得的ZnO‑Si p‑n结压电器件压电性能好，当Si薄膜载流子浓度为7.88×1018cm‑3时，其输出电压和电流分别达到了0.8V和40nA。
一种 zno si 压电器件及其制备方法

[发明专利]剪切型压电陶瓷环组件装配工具-CN201911202009.X有效
发明人：章建文;王天资;张磊 -专利权人：苏州长风航空电子有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明用于剪切型压电陶瓷环与安装底座及质量块间的精密装配和搪锡处理，属于压电振动传感器领域；包括基座、管座、夹板、小撑杆和固定座；采用本发明能够消除偏心、漏锡缝、淌锡等问题，提高了压电陶瓷环和质量块装配基准面的对齐度，特别解决了“工”字型截面压电陶瓷环组件的装配和搪锡工作中环形夹具装配后无法取下的问题，保证装配精度的条件下能够采用即时加热的方式对压电陶瓷环、安装底座和质量块进行装配焊接；本发明的装配精度均由工具保证，一致性高，在装配状态固定后可实现脱手加热搪锡。本发明整体上能够使剪切型压电陶瓷环组件在装配焊接后适应宽频响和高谐振频率。
剪切压电陶瓷组件装配工具

[发明专利]平坦化方法-CN202010328322.4有效
发明人：吕丽英;黎家健;吴一雷 -专利权人：瑞声声学科技（深圳）有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够使得待加工产品的局部平坦度更均匀的平坦化方法，待加工产品开设有填充氧化物的腔体，且其包括叠设在腔体上的第一电极层、压电层和第二电极层，第一电极包括位于第一电极层周边的第一斜面部，压电层在其表面形成第二斜面部，第二电极层包括位于第二电极层周边的第三斜面部，方法包括：在第二电极层沉积第一钝化层；对第一钝化层刻蚀以在第三斜面部的外周形成衬垫，衬垫在其表面形成第四斜面部的；在第二电极层沉积第二钝化层，第二钝化层具有第一平面部、设于第一平面部外围的第五斜面部和自第五斜面部延伸的第二平面部，第一平面部沿竖直方向上的投影覆盖腔体，第五斜面部沿竖直方向的正投影落在腔体外。
平坦方法

[发明专利]一种基于压电纳米棒的高性能自供电声学传感器的制备方法-CN202210267872.9在审
发明人：向钟元;李立宏;宋延林 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于压电纳米棒的高性能自供电声学传感器的制备方法。该方法可以获得棒状材料在内部均匀分布的压电层和图案化的电极层。其中，均匀分布是通过旋涂、刮涂的方式实现，图案化的电极层可通过打印，真空蒸镀，丝网印刷的方式实现。本发明方法简单，快速，节约成本，可批量制备高性能自供电声学传感器，该传感器具有较高的灵敏度。
一种基于压电纳米性能供电声学传感器制备方法

[发明专利]一种SAW滤波器的封装系统-CN202210057195.8有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳新声半导体有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种SAW滤波器的封装系统。帽盖板制作模块：用于获取盲孔参数和金属层铺设参数，并在帽盖板上设置盲孔和金属层，生成目标帽盖板；器件晶片制作模块：用于将器件晶片加工为SAW波滤波器器件；腔体制作模块：用于确定所述目标帽盖板和SAW波滤波器器件的对应关系，构建封闭腔体模型；封装模块：用于根据所述封闭腔体模型，将目标帽盖板和SAW波滤波器器件进行键合，并在所述帽盖板上设置焊盘，进行焊接封装。本发明相对于现有技术，本发明更加的方便，而且本发明的包含着设计，也包含着焊接，能够适应各种封装方法。
一种 saw 滤波器封装系统

[发明专利]一种自组装超柔性压电传感器及其制备方法和应用-CN202111633400.2在审
发明人：郭益平;周佩汝 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种自组装超柔性压电传感器及其制备方法和应用，制备方法包括以下步骤：(1)配制BaTiO3前驱体溶液；(2)制备钛酸钡纳米立方体分散液：将BaTiO3前驱体溶液进行水热反应后，得到钛酸钡纳米立方体，并将其分散在分散剂中，得到钛酸钡纳米立方体分散液；(3)BaTiO3/GFF复合材料的制作；(4)BaTiO3/GFF‑PVDF复合膜的制作；(5)将BaTiO3/GFF‑PVDF复合膜利用双面导电铜胶带接线封装，即可得到自组装超柔性压电传感器，该柔性传感器用于手写智能识别或智能键盘。与现有技术相比，本发明由于借助自组装技术，器件无需经过高温烧结就能够实现优异的压电性能，同时具有兼具优异力学性能和可贴附任何曲面等优点。
一种组装柔性压电传感器及其制备方法应用

[发明专利]超声波指纹传感器及其制造方法-CN201880002089.1有效
发明人：朴相泳;朴永台 -专利权人： (株) 凯希思
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：提供超声波指纹传感器及其制造方法。所述制造方法包括：准备按预先指定的非完全烧结条件烧结的压电片形态的陶瓷烧结体；在陶瓷烧结体的第一表面方向按预先指定的间隔向第一方向平行地切削加工至第二表面侧剩下残留区域的深度并在陶瓷烧结体的第二表面方向按预先指定的间隔向垂直于第一方向的第二方向平行地切削加工至第一表面侧剩下残留区域的深度形成陶瓷加工体；按预先指定的完全烧结条件对陶瓷加工体进行烧结处理；向通过切削加工形成于陶瓷加工体的槽填充绝缘材料；以及进行研磨处理去除分别位于第一表面侧与第二表面侧的残留区域使在第一表面的方向与第二表面的方向露出分别排列成阵列形态的压电棒。
超声波指纹传感器及其制造方法

[发明专利]用于制造介电弹性体的装置-CN202111493172.3在审
发明人：陈丁;王磊;高兴;曹崇景 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明涉及机械制造技术领域，提供一种用于制造介电弹性体的装置，包括制造平台、成膜装置、电极印染装置以及移载装置。移载装置包括支架、第一移载机构、第二移载机构以及第三移载机构，第二移载机构通过第一移载机构在水平X方向移动，电极印染装置安装于第二移载机构上且通过第二移载机构在竖直Z方向移动，以及，支架或成膜装置通过第三移载机构在水平Y方向移动。成膜装置在其表面形成具有弹性的膜结构；电极印染装置则是在膜结构上进行印染电极图形，然后，在根据介电弹性体实际的膜层数，再重复上述两个步骤。本申请的用于制造介电弹性体的装置，整个制造过程简单，结构也更加简单。
用于制造弹性体装置

[发明专利]一种柔性FBAR滤波器的制造方法-CN202010432855.7有效
发明人：李国强;衣新燕;刘鑫尧;张铁林;赵利帅;刘红斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性FBAR滤波器的制造方法。该方法包括：在制备衬底上生长压电薄膜，在压电薄膜上制备底电极并图形化，在电极工作区上方沉积牺牲层材料，制备绝缘支撑层并图形化，得到晶圆；在硬质衬底旋涂临时键合层，将柔性衬底与硬质衬底键合，在复合衬底旋涂胶粘剂，与晶圆进行键合，将制备衬底去除，制备顶电极和电极互连金属；制备柔性保护层，将FBAR滤波器工作区域的保护层去除，形成上空腔，将硬质衬底解键合，得到柔性FBAR滤波器。本发明实现基于单晶AlN以及传统多晶AlN的柔性FBAR滤波器的制备，工艺简单，成本低、易操作，故本发明降低了柔性FBAR滤波器的加工难度和生产成本，提高了柔性器件的制备良率。
一种柔性 fbar 滤波器制造方法

[发明专利]一种压力传感器用的不锈钢基覆康铜箔板的制备工艺-CN201810609758.3有效
发明人：周文英;张祥林;闫智伟 -专利权人：咸阳天华电子科技有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：一种压力传感器用的不锈钢基覆康铜箔板的制备工艺，将胶液采用丝印机印刷在经表面处理后的不锈钢表面，控制胶层厚度为60～85微米，丝印完毕，烘干；最后将表干的覆胶不锈钢面覆盖康铜箔，盖上镜面钢板，然后置入真空热压机热压中进行热压，热压完毕，降温至室温，得到不锈钢基覆康铜箔板；本发明制备的不锈钢基覆康铜箔板具有很低的形变性、较高热导率及绝缘强度，康铜箔光面与不锈钢基板具有很高的粘接强度，最高粘接强度达到2.1N/mm，很高的耐热应力及其它性能。本发明工艺制备不锈钢基覆康铜箔板的康铜箔经蚀刻做成电路，集成电子器件可做成压力传感器，故覆康铜箔不锈钢基板是压力传感器专用母板。
一种压力传感器用不锈钢基覆康铜箔制备工艺

[发明专利]基于N掺杂的SiC纳米结构阵列构建的具有全天候服役能力的压电纳米发电机的制备方法-CN202111269516.2在审
发明人：侯新梅;周林林;杨涛;王恩会;方志;郑亚鹏;薛优;刘爽;吕煜诚;徐兵;邢原铭;王博 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于N掺杂的SiC纳米结构阵列构建的具有全天候服役能力的压电纳米发电机的制备方法，属于无机非金属材料科学与能源材料技术领域，其步骤包括：制备N掺杂的碳化硅，制备自支撑的碳化硅纳米结构阵列薄膜，对碳化硅纳米结构阵列薄膜性能优化，及构筑具有全天候服役能力的压电纳米发电机等过程。本发明提供的基于N掺杂的SiC纳米结构阵列构建的具有全天候服役能力的压电纳米发电机的制备方法，制得的压电纳米发电机受到沿厚度方向的外力时，在宏观上表现出显著的电信号输出。并且，制得的压电纳米发电机在‑80℃～80℃的温度和0‑100％的相对湿度条件下工作300‑500天仍然能够保持稳定输出。
基于掺杂 sic 纳米结构阵列构建具有全天候服役能力压电发电机制备方法

[发明专利]高基频晶片慢腐蚀工艺-CN202111407282.3在审
发明人：申红卫;李健;琚永辉;翟彦飞 -专利权人：济源石晶光电频率技术有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明涉及高基频晶片技术领域，公开了高基频晶片慢腐蚀工艺，先对需要处理的高基频晶片进行除油脂浸泡，然后利用酸洗工艺除去表面的锈蚀产物和氧化膜，通过使用慢腐蚀溶液能够对经过打磨的高基频晶片进行慢腐蚀工艺，有效的降低了高基频晶片的厚度，并在加工的时候能够有效的防止高基频晶片发生破碎，同时能够保证进行精腐蚀，避免腐蚀过片和腐蚀不均的问题，通过将高基频晶片放入慢腐蚀溶液中，氟化铵NH3F和氢氟酸HF按照1:1比例组成40％混合溶液，每分钟频率上升130K左右，采用这种慢腐蚀工艺将晶片从60M(厚度0.027mm)腐蚀到96M(厚度0.017mm)需要4‑6小时。可明显改善晶片表面粗糙度，和一致性。从而改善晶片的各项电性能。
基频晶片腐蚀工艺

[发明专利]一种用于制备发电装置的方法-CN201711260369.6有效
发明人：王云明;张云;周华民;乔海玉;李德群;黄志高 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备发电装置的方法，属于电学技术领域。所述用于制备发电装置的方法包括：设计第一聚合物的第一基础信息，以及第二聚合物的第二基础信息；依据所述第一基础信息、第一材料信息、第一机器信息和所述第二基础信息、第二材料信息、第二机器信息，分别设置第一打印参数和第二打印参数；依据所述第一打印参数和所述第二打印参数，分别打印出第一薄膜和第二薄膜；依据所述第一薄膜和所述第二薄膜，分别制成第一电极和第二电极；将所述第一电极和所述第二电极分别与衬底相结合，以制备所述发电装置。本发明提供的用于制备发电装置的方法达到了设计灵活性高和打印速度快，并且具有生产成本低的技术效果。
一种用于制备发电装置方法

[发明专利]压电传感器的制作方法-CN202111116189.7在审
发明人：周书绮 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：一种压电传感器的制作方法包含：形成至少一金属层于至少一基材上；于至少一金属层上依序形成复数个遮罩单元，其中遮罩单元形成遮罩图案；经由遮罩图案蚀刻至少一金属层；以及移除遮罩图案。通过该方法可以节省曝光显影的步骤以及投资于湿式制程机台的成本，以达到节省制造步骤、制造时间以及制造成本的效果。
压电传感器制作方法

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