[发明专利]高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200810019333.3 | 申请日： | 2008-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101217163A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 鲍嘉明;贾侃;李海松;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种高压P型金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有深N型阱，在深N型阱上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱上设有N型接触孔、P型源及场氧化层，在P型漂移区上设有P型漏及场氧化层，其特征在于位于N型阱上方的栅氧化层部分的厚度小于位于P型漂移区上方的栅氧化层部分并由此分别形成薄栅氧化层和厚薄栅氧化层。本发明还公开了高压P型金属氧化物半导体管的制备方法。本发明有益效果在于大幅降低了鸟嘴区域热载流子注入现象，提高了器件整体寿命；可以保证器件开启电压、饱和电流等基本电特性和普通结构器件保持一致；器件衬底电流也大大降低，器件可靠性得到进一步提高；具有较好的兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 金属 氧化物 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压P型金属氧化物半导体管，包括P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有深N型阱(1A)，在深N型阱(1A)上设有N型阱(3)和P型漂移区(2)，在N型阱(3)上设有N型接触孔(6)、P型源(5)及场氧化层(71)，在P型漂移区(2)上设有P型漏(4)及场氧化层(72)，在N型阱(3)、P型漂移区(2)及部分深N型阱(1A)的上方设有栅氧化层且该栅氧化层位于P型源(5)与P型漂移区(2)上的场氧化层(72)之间，在栅氧化层上设有多晶硅栅(8)且该多晶硅栅(8)延伸至P型漂移区(2)上的场氧化层(72)上，在场氧化层(71)、N型接触孔(6)、P型源(5)、多晶硅栅(8)、场氧化层(72)及P型漏(4)上设有氧化层(9)，在P型漏(4)、P型源(5)及N型接触孔(6)上分别连接有金属引线，其特征在于位于N型阱(3)上方的栅氧化层部分的厚度小于位于P型漂移区(2)上方的栅氧化层部分并由此分别形成薄栅氧化层(12)和厚薄栅氧化层(10)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810019333.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
