[发明专利]环形半导体器件及其制作方法

摘要

一种环形半导体器件的制作方法，包括如下步骤：确定待形成的环形半导体器件的内径与外径的尺寸；在半导体衬底上形成半导体器件层；去除内径尺寸以内的半导体器件层，形成第一开口；采用第一介质层填充第一开口，且研磨平至高出半导体器件层部分；去除外径尺寸以外的半导体器件层，保留内外径之间的半导体器件层；沉积第二介质层，且研磨第二介质层至与半导体器件层相齐平，形成环形半导体器件。通过先蚀刻环形半导体器件的内径，填充以第一介质层，然后去除环形半导体器件外径以外的部分并沉积第二介质层填充，形成环形半导体器件，实现减小驱动过电流，降低功耗的目的。

主权项

一种环形半导体器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：确定待形成的环形半导体器件的内径与外径的尺寸；在半导体衬底上形成半导体器件层；蚀刻内径尺寸以内的半导体器件层，形成第一开口；采用第一介质层填充第一开口且研磨平；蚀刻外径尺寸以外的半导体器件层，保留内外径之间的半导体器件层；沉积第二介质层，且研磨第二介质层至与半导体器件层相齐平，形成环形半导体器件；其中，所述蚀刻内径尺寸以内的半导体器件层，形成第一开口步骤具体包括：在半导体器件层上形成硬掩膜层；在硬掩膜层上形成第一光刻胶层、定义出环形磁随机存储器的内径形状；以第一光刻胶层为掩膜，依次蚀刻硬掩膜层、半导体器件层，形成第一开口；去除第一光刻胶层；所述采用第一介质层填充第一开口且研磨平具体包括：沉积第一介质层，并研磨至与硬掩膜层齐平；去除硬掩膜层；所述蚀刻外径尺寸以外的半导体器件层，保留内外径之间的半导体器件层步骤具体包括：沉积第三介质层，所述第三介质层覆盖第一介质层和半导体器件层；采用回蚀工艺蚀刻第三介质层，在半导体器件层上、第一介质层两侧形成扇形侧墙，所述侧墙的外围尺寸与环形半导体器件层的外径尺寸相同；以侧墙为掩膜，去除环形半导体器件外径范围以外的半导体器件层。