[发明专利]具有增强击穿电压的肖特基二级管结构及制造方法有效
| 申请号： | 200610168593.8 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101013727A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 安东尼恩·罗斯帕尔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施方式中，肖特基二级管结构包括肖特基势垒层，其通过肖特基接触窗口与半导体材料接触。邻近肖特基接触窗口形成导电环，且该导电环通过一个薄绝缘层与半导体材料分开。覆盖于所述结构而形成另一绝缘层，且在其中形成接触窗口。该接触窗口比肖特基接触窗口宽并暴露了部分导电环。形成肖特基势垒金属，其通过肖特基接触窗口与半导体材料接触，且进一步与导电环接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 击穿 电压 肖特基 二级 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二级管结构，其特征为：一半导体材料区域，其具有第一主表面；一导电极板，其覆盖于所述第一主表面而形成，且由第一绝缘层将其与所述第一主表面分开；和一金属层，其与所述半导体材料区域接触以形成肖特基势垒，所述金属进一步接触所述导电极板的水平和垂直表面。
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