[发明专利]半导体器件的阱光致抗蚀剂图案及其形成方法无效
| 申请号： | 200610099506.8 | 申请日： | 2006-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1904739A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 金成茂 | 申请（专利权）人： | 东部电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体的阱光致抗蚀剂图案及其制造方法。该方法包括以下步骤：(a)在半导体衬底上形成牺牲氧化物层；(b)在该牺牲氧化物层上施加HDMS；(c)在该HMDS上施加光致抗蚀剂；(d)对该光致抗蚀剂进行软烘烤；(e)通过对在衬底上所传递的光的DOF(焦距深度)进行散焦，将光致抗蚀剂曝光；(f)对光致抗蚀剂进行曝光后烘烤；(g)对所曝光的光致抗蚀剂进行显影以形成阱图案；以及(h)对阱光致抗蚀剂图案进行硬烘烤。优选地，所述曝光通过光的正(+)散焦来执行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 阱光致抗蚀剂 图案 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体上形成阱光致抗蚀剂图案的方法，包括以下步骤：(a)在半导体衬底上形成牺牲氧化物层；(b)在所述牺牲氧化物层上施加HDMS；(c)在所述HMDS上施加光致抗蚀剂；(d)对所述光致抗蚀剂进行软烘烤；(e)通过对在所述衬底上所传递的光的所述DOF(聚焦深度)进行散焦，将所述光致抗蚀剂曝光；(f)对所述光致抗蚀剂进行曝光后烘烤；(g)对所曝光的光致抗蚀剂进行显影以形成阱图案；(h)对所述阱光致抗蚀剂图案进行硬烘烤。
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