[发明专利]半导体器件及其制造无效
| 申请号： | 200580028221.9 | 申请日： | 2005-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101010808A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·T·彼克特;基思·A·雅格 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种功率半导体器件，包括半导体主体(10)，所述半导体主体包括第一传导类型的源极和漏极区域(13、14、14a)，以及第二、相反的传导类型的沟道容纳区域(15)，所述沟道容纳区域将源极和漏极区域分隔。漏极区域包括漏极接触区域(14a)、以及漏极漂移区域(14)，所述漏极漂移区域从漏极接触区域延伸至沟道容纳区域(15)，所述漏极漂移区域具有掺杂分布，所述掺杂分布从具有所述漏极接触区域的界面(19)至具有所述沟道容纳区域的界面(21)实质上呈指数减小。该配置提供了相对于具有均匀或线性掺杂分布的器件的较低的切换损失。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
1、一种包括半导体主体(10)的半导体器件，所述半导体主体包括第一传导类型的源极和漏极区域(13、14、14a)，以及第二、相反的传导类型的沟道容纳区域(15)，所述沟道容纳区域将源极和漏极区域分隔；所述器件还包括延伸以邻近所述源极、漏极和沟道容纳区域的各个部分的栅极(11)，以及所述栅极自此由栅极绝缘层(17)分隔，其中，所述漏极区域包括漏极接触区域(14a)、以及漏极漂移区域(14)，所述漏极漂移区域从漏极接触区域延伸至沟道容纳区域(15)，所述漏极漂移区域具有掺杂分布，所述掺杂分布实质上从具有所述漏极接触区域的界面(19)至具有所述沟道容纳区域的界面(21)呈指数减小。
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