[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510089314.4 | 申请日： | 2005-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN1750272A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 权成云;黄在晟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/105;H01L21/336;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体器件包括具有激活区和场区的衬底。在激活区上形成隧道介质层图形。在隧道介质层图形上形成第一栅极图形，以部分露出隧道介质层图形。在第一栅极图形、隧道介质层图形以及场区上形成介质层图形。该介质层图形包括：第一介质层图形，以第一方向延伸；以及第二介质层图形，以基本垂直于第一方向的第二方向延伸。在第一栅极图形和隧道介质层图形上形成第一介质层图形。在第一栅极图形和场区上形成第二介质层图形。在第二介质层图形上形成第二栅极图形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，具有以第一方向交替排列的激活区和场区；隧道介质层图形，形成在激活区上；第一栅极图形，部分形成在隧道介质层图形上；栅极间介质层图形，包括：第一介质层图形，覆盖第一栅极图形和通过第一栅极图形露出的隧道介质层图形；以及第二介质层图形，覆盖第一栅极图形和场区，所述第二介质层图形以基本垂直于第一方向的第二方向延伸；以及第二栅极图形，形成在第二介质层图形上。
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