[发明专利]弹道半导体元件无效
| 申请号： | 200480001374.X | 申请日： | 2004-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1706047A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 大塚信之;水野纮一;吉井重雄;铃木朝实良 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/68 | 分类号： | H01L29/68;H01L29/70 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的弹道半导体元件备有n型的发射极层(102)、由n型的InGaN构成的基极层(305)、n型的集电极层(307)、夹在上述发射极层(102)和上述基极层(305)之间并具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的发射极势垒层(103)、和夹在上述基极层(305)与上述集电极层(307)之间具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的集电极势垒层(306)，并在10GHz以上工作。 | ||
| 搜索关键词： | 弹道 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种弹道半导体元件，其特征在于：备有n型的发射极层；由n型的InGaN构成的基极层；n型的集电极层；夹在所述发射极层和所述基极层之间、具有比所述基极层的能带间隙大的能带间隙的发射极势垒层；和夹在所述基极层和所述集电极层之间、具有比所述基极层的能带间隙大的能带间隙的集电极势垒层，并在10GHz以上工作。
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