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[发明专利]模块基板-CN201810203800.1在审
发明人： 水野纮一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01P5/107 文献下载
摘要：一种模块基板，其具备：表层，其连接具有波导管开口的矩形波导管构造；多个金属配线层，其经由电介质层层叠，包含具有传输线路和形成于传输线路的一部分的耦合元件的第一金属配线层、层叠于比第一金属配线层远离矩形波导管构造的位置的第二金属配线层；多个通孔，其将相邻的金属配线层之间连接，在表层设有与波导管开口相对且在自表层俯视时围绕耦合元件的第一开口，在第一金属配线层与第二金属配线层之间的投影了第一开口的范围内形成由多个通孔的一部分通孔包围的电介质层的区域，俯视的区域的尺寸比波导管开口小。
金属配线层波导管开口通孔矩形波导管传输线路模块基板耦合元件俯视电介质电介质层开口相对尺寸比投影包围

[发明专利]弹道半导体元件-CN200480001374.X无效
发明人：大塚信之;水野纮一;吉井重雄;铃木朝实良 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-04-14 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01L29/68 文献下载
摘要：本发明的弹道半导体元件备有n型的发射极层(102)、由n型的InGaN构成的基极层(305)、n型的集电极层(307)、夹在上述发射极层(102)和上述基极层(305)之间并具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的发射极势垒层(103)、和夹在上述基极层(305)与上述集电极层(307)之间具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的集电极势垒层(306)，并在10GHz以上工作。
弹道半导体元件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200480000426.1无效
发明人：吉井重雄;大塚信之;水野纮一;铃木朝实良 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L29/68 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件，该器件包括：一基板(101)；在该基板(101)上形成的多层半导体结构；该半导体多层结构包括发射极层(102)、基极层(105)和集电极层(107)，均由III－V族n型复合半导体构成并按此顺序成层；位于发射极层(102)和基极层(105)之间的量子点势垒层(103)；分别同集电极层(107)、基极层(105)和发射极层(102)相连的集电极电极(110)、基极电极(111)和发射极电极(112)；包括多个量子点(103c)的量子点势垒层(103)；被第一、第二势垒层(103a，103d)分别从发射极层一边和基极层一边夹着的量子点(103)；具有凸向基极层(105)的凸出部分的每个量子点(103c)；第二势垒层(103d)中的基极层(105)一侧界面(d₁)，和在基极层(105)中集电极层一侧和发射极层一侧的界面(d₂、d₃)；界面具有对应量子点(103c)的凸出部分向集电极层(107)突出的弯曲部分(d₁₂、d₂₂、d₂₃)。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮化砷化镓铟系异质场效应晶体管及其制造方法和使用它的发送接收装置-CN200380100681.9无效
发明人：大塚信之;水野纮一;吉井重雄;铃木朝实良 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-10-28 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明的异质场效应晶体管具有：InP基板(21)、经过缓冲层(22)在所述InP基板上形成的沟道层(23)、由具有比所述沟道层大的能带间隙的半导体构成并与该沟道层异质接合地形成的间隔层(25a)、和与所述间隔层邻接地形成的载流子供给层(26)，所述沟道层具有由化学式Ga_xIn_1－xN_yA_1－y表示，所述A是As或Sb，所述组成x在0≤x≤0.2的范围内，并且所述组成y在0.03≤y≤0.10的范围内的化合物半导体构成的规定半导体层。
氮化砷化镓铟系异质场效应晶体管及其制造方法使用发送接收装置

[发明专利]开关装置-CN03810921.2无效
发明人： 水野纮一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-06-20 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明的开关装置(10)具有三个连接用端子(P1、P2、P3)和两个相同沟道型FET(111、121)，两个FET的一对主端子的一个分别经直流阻止用电容性元件(Cb)连接到第一连接用端子，另一个连接到第二和第三连接用端子，将第一偏压电压(Vb1)提供给第一FET的栅极，将第二偏压电压(Vb2)提供给第二FET的一对主端子，通过两值的控制电压(Vc)提供给第一FET的一对主端子和第二FET的栅极，从而电切换连接第一连接用端子和第二或第三连接用端子。
开关装置

[发明专利]等离子体振动开关元件-CN03809646.3无效
发明人：吉井重雄;大塚信之;水野纮一;铃木朝实良;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明的等离子体振动开关元件包含：半导体基板（101）；在该基板上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第一阻挡层（103），在第一阻挡层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的沟道层（104）；在沟道层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第二阻挡层（105）；和在第二阻挡层上设置的源极电极（107）、栅极电极（109）以及漏极电极（108），第一阻挡层具有n型扩散层（103a），第二阻挡层具有p型扩散层（105a），沟道层的能带间隙比第一及第二阻挡层的能带间隙小，在第一阻挡层和沟道层之间境界的传导带上积聚二维电子气EG，另一方，在第二阻挡层和沟道层境界的价电子带上积聚二维空穴气HG，各电极经绝缘层（106）在第二阻挡层上形成。
等离子体振动开关元件

[发明专利]高频电路器件-CN02150227.7无效
发明人： 水野纮一;榎原晃;东野秀隆;濑恒谦太郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1995-06-09 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：一种体积小、传输线型高频电路器件。该器件因导体电阻而引起的损耗很低而且具有高的Q值。其特征可通过修正图形尺寸误差而调整。基板(11a)具有由电导体构成的椭圆形谐振器(12)，另一块基板(11b)具有一对输入输出端子(13)。基板(11a)和(11b)平行放置，使装有谐振器(12)和端子(13)的基板面彼此面对面。通过使用一种带螺丝的机械微调机构使基板(11a)和(11b)相对移动。此外，通过一种带螺丝的机械微调机构使基板(11a)绕谐振器(12)的中心轴(18)转动。
高频电路器件

[发明专利]高频电路器件-CN95193655.7无效
发明人： 水野纮一;榎原晃;东野秀隆;濑恒谦太郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1995-06-09 - 公布日： 2003-07-02 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：一种体积小、传输线型高频电路器件。该器件因导体电阻而引起的损耗很低而且具有高的Q值。其特征可通过修正图形尺寸误差而调整。基板(11a)具有由电导体构成的椭圆形谐振器(12)，另一块基板(11b)具有一对输入输出端子(13)。基板(11a)和(11b)平行放置，使装有谐振器(12)和端子(13)的基板面彼此面对面。通过使用一种带螺丝的机械微调机构使基板(11a)和(11b)相对移动。此外，通过一种带螺丝的机械微调机构使基板(11a)绕谐振器(12)的中心轴(18)转动。
高频电路器件

[发明专利]高频电路器件-CN02150226.9无效
发明人： 水野纮一;榎原晃;东野秀隆;濑恒谦太郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1995-06-09 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01P7/00 文献下载
摘要：一种体积小、传输线型高频电路器件。该器件因导体电阻而引起的损耗很低而且具有高的Q值。其特征可通过修正图形尺寸误差而调整。基板(11a)具有由电导体构成的椭圆形谐振器(12)，另一块基板(11b)具有一对输入输出端子(13)。基板(11a)和(11b)平行放置，使装有谐振器(12)和端子(13)的基板面彼此面对面。通过使用一种带螺丝的机械微调机构使基板(11a)和(11b)相对移动。此外，通过一种带螺丝的机械微调机构使基板(11a)绕谐振器(12)的中心轴(18)转动。
高频电路器件

[发明专利]具有超导元件及温度控制器的高频装置-CN96108129.5无效
发明人： 水野纮一;榎原晃;东野秀隆;濑恒谦太郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1996-05-24 - 公布日： 1997-04-02 - 主分类号： H03B28/00 文献下载
摘要：用多个约瑟夫逊元件(31)构成效率高的高频振荡器。由该振荡器、非线性超导体元件和传输线路构成变频器。将多个约瑟夫逊元件(31)并联构成超导元件组件(J1～J4)，用薄膜电容器(C1～C3)等相位调节电路将多个超导元件组件(J1～J4)高频串联构成高频振荡器，将它用作变频器的本机振荡器。若采用本发明的装置能实现高频电路的小型化、省电及稳定工作。
具有超导元件温度控制器高频装置

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