专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件-CN97102374.3无效
  • 森岛慎;铃木和弘;村上进;小野濑保夫 - 株式会社日立制作所
  • 1997-01-29 - 1997-10-29 - H01L29/68
  • 半导体器件,具有包括主表面和相对表面的半导体衬底,至少一个部分暴露于衬底侧表面的p-n结,以及具有两个或更多个涂敷于所述半导体衬底侧表面的钝化膜的多层钝化结构,所述半导体衬底表面上提供的第一钝化膜和所述第一钝化膜表面上提供的第二钝化膜之间界面附近感应的界面极化电荷Qr(库/厘米2)满足1.6×10-8≥|Qr|,所述第一钝化膜的电导率σ1和所述第二钝化膜的电导率σ2满足0.05≤σ2/σ1≤10。从而避免感应出电荷密度的界面极化以限制半导体器件的漏电源的增加或变化。
  • 半导体器件

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