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[发明专利]一种丙烯酸类光学板、制备方法及其制备系统-CN202211532409.9有效
发明人：周小二;陈文彦;邹毅;李胜;陶文波 -专利权人：安徽新涛光电科技有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C08F220/14 文献下载
摘要：本发明属于光电材料领域，具体涉及一种丙烯酸类光学板、制备方法及其制备系统。本发明公开了一种丙烯酸类光学板，组成原料按重量份计包括：甲基丙烯酸甲酯20‑40份、其他丙烯酸酯1‑20份、三异丙基((1‑苯基乙烯基)氧基)硅烷1‑5份、甲基丙烯酸金属盐5‑10份、三乙氧基(1H,1H,2H,2H‑九氟己基)硅烷1‑2份、引发剂0.25‑0.5份。本发明通过甲基丙烯酸甲酯、2‑甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸金属盐、三异丙基((1‑苯基乙烯基)氧基)硅烷共聚后，在和三乙氧基(1H,1H,2H,2H‑九氟己基)硅烷反应制备的光学板透明度更高，表面张力变小，具有良好的抗缩孔和疏水能力，提升了光学板的热稳定、硬度和透光性。
一种丙烯酸光学制备方法及其系统

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN202310031184.7在审
发明人： 陈文彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：方法包括形成蚀刻掩模以覆盖芯轴、第一间隔件和第二间隔件，并且第一间隔件和第二间隔件与芯轴的相对侧壁接触。然后图案化蚀刻掩模，并且蚀刻掩模包括覆盖第一间隔件的第一部分、覆盖第二间隔件的第二部分以及将第一部分连接至第二部分的桥部分。桥部分具有第一侧壁。使用蚀刻掩模对芯轴实施第一蚀刻工艺以限定图案，并且在第一蚀刻工艺之后，芯轴包括具有与对应的第一侧壁垂直对准的第二侧壁的第二桥部分。在蚀刻穿过芯轴之后，实施第二蚀刻工艺以使芯轴的第二桥部分横向凹进。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
形成半导体器件方法

[发明专利]一种浇铸板材的浇铸设备及制备方法-CN202210930940.5有效
发明人：周平桃;周小二;吴智慧;周心刚;陈文彦 -专利权人：安徽新涛光电科技有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B29B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种浇铸板材的浇铸设备及制备方法，其特征在于，其中的浇铸设备包括搅拌装置、静置罐、若干模具、水池、高温炉，其中的制备方法包括：在搅拌装置中将纳米散射颗粒和甲基丙烯酸甲酯单体以及蓝色色粉和甲基丙烯酸甲酯单体分别搅拌成分散液A和分散液B，再将分散液A、分散液B、甲基丙烯酸甲酯预聚料和引发剂搅拌，再依序经过过滤静置、浇灌、水池内60摄氏度恒温保持和高温炉内120度高温保温过程，最终脱模得到成品。本发明提供一种浇铸板材的浇铸设备及制备方法，该设备能够使得各配料搅拌过程简单方便，该制备方法可以使得各配料在搅拌混合后通过浇铸的方式在模具中加工形成从而使得成型后的浇铸板材的均匀性更好。
一种浇铸板材设备制备方法

[实用新型]一种井控装置用闸板防喷器-CN202222953278.3有效
发明人：孙梦星;陈文彦;王朔 -专利权人：孙梦星
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： E21B33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种井控装置用闸板防喷器，包括：装置壳体，设置于所述装置壳体内部的通道，贯通连接于所述装置壳体前后中部的框体，设置于两个所述框体内部的密封导向机构、缓冲机构与散热机构，通过设置密封导向机构，在将两个闸板本体将其通道封堵时，两个液压缸带动两个移动座做相互靠近移动，两个闸板本体相互靠近贴合，两个密封垫的使用，增强了密封效果，以免两个闸板会产生错位，便于将两个闸板较好的对齐起来，使其更好地密封，通过设置缓冲机构，当两个闸板本体重合密封之后，后续输送的石油会在通道内会冲击两个闸板本体，当冲击力较大时，两个缓冲板受力在两个腔体内部移动，挤压两组气囊，可在冲击力较大时，起到较好的缓冲性。
一种装置闸板防喷器

[发明专利]一种亚克力预分散着色母粒及制备方法-CN202211484775.1在审
发明人：周小二;陈文彦;李胜 -专利权人：安徽新涛光电科技有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C08L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种亚克力预分散着色母粒及制备方法，着色母粒包括如下质量份数的组分：包含甲基丙烯酸甲酯的聚合物，48.1～68.1份；颜料，30～50份；表面活性剂，0.3～7份；功能性助剂，0.05～2份。本发明的亚克力预分散着色母粒，不仅解决了企业的颜料粉体在使用过程中所产生的环境污染，而且解决了预分散色浆的不易存储问题和分散剂的种类和剂量添加问题；所加入本发明的色母粒后，生产亚克力色板几乎没有色差，色泽均匀，分散效果好，耐候抗老化性好、机械力学性能好。
一种亚克力预分散着色制备方法

[外观设计]内衣（一）-CN202230804039.4有效
发明人： 陈文彦 -专利权人： 陈文彦
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： 02-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：内衣（一）。2.本外观设计产品的用途：内衣穿着。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.本外观设计产品为薄型产品，省略左视图;本外观设计产品为薄型产品，省略右视图;本外观设计产品为薄型产品，省略俯视图;本外观设计产品为薄型产品，省略仰视图。
内衣

[发明专利]亚克力厚板自动熔接机-CN202211247967.0在审
发明人：周平飞;陶文波;陈文彦 -专利权人：安徽新涛光电科技有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B29C65/48 文献下载
摘要：本发明属于熔接机技术领域，本发明公开了亚克力厚板自动熔接机；亚克力厚板自动熔接机，包括输送线、热熔设备、移位组件、对接组件，热熔设备安装在输送线上方，热熔设备具有进料口与出料端，移位组件固定在热熔设备底部，对接组件位于输送线顶面，且位于热熔设备底部，对接组件内沿其长度方向水平放置有相对设置的亚克力厚板，相对设置的亚克力厚板相邻边与对接组件内壁形成顶部开口的间隙，移位组件驱动热熔设备出料端沿间隙长度方向往复移动；通过将填充与加压方式对亚克力厚板端部熔接，使得热熔胶充分与亚克力厚板端部接触，提升亚克力厚板端部熔接效果。
亚克力厚板自动熔接

[发明专利]一种基于碳排因子法的企业碳盘查核算方法-CN202211148311.3在审
发明人：胡浩瀚;郭正雄;杨晓霞;刘万龙;贾超冉;陈文彦;徐莹;刘少明 -专利权人：天津市普迅电力信息技术有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳排因子法的企业碳盘查核算方法，包括以下步骤：步骤1，碳盘查数据的采集；收集企业基础信息，明确地区、行业、核算边界及企业的活动水平，并通过接入中心上传至系统；核算边界包括化石燃料排放、工业过程排放、外购电力排放、外购热力排放、固碳回收排放量；步骤2，碳盘查数据分析处理；根据企业基础信息、核算边界、企业活动水平等，对企业碳排放数据进行处理、分析、存储；步骤3，生成报告；利用分析计算的数据，依据系统报告目标，生成碳排放信息报告。该方法兼顾不同行业的碳排放核算需求，同时将固碳回收算法补充到算法当中，有利于企业实时、快速、准确的开展碳盘查工作。
一种基于因子企业盘查核算方法

[发明专利]图案形成方法和用于制造半导体器件的方法-CN201911042983.4有效
发明人：李奕璋;林建宏;陈志壕;吴英豪;陈文彦;曾世华;孙书辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本公开涉及图案形成方法和用于制造半导体器件的方法。在图案形成方法中，在要被图案化的目标层上方形成光致抗蚀剂图案。在光致抗蚀剂图案上形成延伸材料层。通过至少使用延伸材料层作为蚀刻掩模来图案化目标层。
图案形成方法用于制造半导体器件

[发明专利]量测基板温度的设备、系统及方法-CN202210173755.6在审
发明人：陈资宪;王怡超;陈文彦;王立廷;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：一种量测基板温度的设备、系统及方法。将发射例如激光脉冲的光信号的发光源施加至基板上。发光源另一侧上的侦测器接收反射激光脉冲。侦测器亦接收与从基板的表面辐射的温度或能量密度相关联的发射信号。温度量测系统使用所接收的激光脉冲及发射信号来确定热制程期间基板的温度。为了提高反射激光脉冲的讯杂比，可以使用偏振器来偏振激光脉冲以具有S偏振。也可以控制偏振激光脉冲朝向基板施加的角度，以提高侦测器端的讯杂比。
量测基板温度设备系统方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202210500767.5在审
发明人： 陈文彦;黄才育;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体元件及其制造方法被提供。此方法包含:提供具有第一区域以及第二区域的基材；形成多个沟槽在基材的第一区域中；形成多层堆叠在基材上方并且在沟槽中；以及图案化多层堆叠以及基材以在第一区域中的多个第一鳍片上方形成多个第一纳米结构并且在第二区域中的多个第二鳍片上方形成多个第二纳米结构，其中多层堆叠包含第一半导体层的至少一者以及第二半导体层中的至少一者交替地堆叠，并且多个沟槽位于相应的第一鳍片的对应者中。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910511115.X有效
发明人：刘书豪;陈文彦;陈国儒;王立廷;陈亮吟;张惠政;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法以及一种半导体结构。在此公开的实施例关于使用在纳秒级下进行的布植工艺和熔融退火工艺，以同时达到高表面浓度(表面堆积)掺质轮廓和逆行掺质轮廓。在一实施例中，此方法包含在基底上的主动区中形成源极/漏极结构，源极/漏极结构包含第一区，第一区包含锗，将第一掺质布植至源极/漏极结构的第一区中以在源极/漏极结构的至少第一区中形成非晶区，将第二掺质布植至包含第一掺质的非晶区中，以及加热源极/漏极结构以至少将非晶区液化并转换成结晶区，结晶区包含第一掺质和第二掺质。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201910700892.9有效
发明人：刘书豪;陈文彦;陈利恒;王立廷;陈亮吟;张惠政;杨育佳;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路器件及其制造方法。一种方法，包括：在半导体衬底的第一部分上形成栅极堆叠；移除半导体衬底的位于栅极堆叠的一侧上的第二部分以形成凹槽；从凹槽开始生长半导体区域；用杂质注入半导体区域；以及在半导体区域上执行熔化退火，其中，半导体区域的至少一部分在熔化退火期间熔化。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]电子设备及其主机-CN201910910835.3有效
发明人： 陈文彦;林志贤;锺明宏;张少荣 -专利权人：华硕电脑股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： F04D27/00 文献下载
摘要：一种电子设备，包括一主机与一装置。此主机包括一控制器、一信号传输单元与一连接器。其中，控制器用以产生一控制信号。信号传输单元电性连接控制器，以接收控制信号，并产生一载波搭载此控制信号。连接器用以连接装置。此连接器包括一电源接脚与一接地接脚的至少其中之一，以将载波向外传送。
电子设备及其主机

[发明专利]晶体管源极/漏极接触件及其形成方法-CN202110908867.7在审
发明人：简薇庭;陈文彦;王立廷;刘书豪;陈亮吟;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开总体涉及晶体管源极/漏极接触件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：栅极结构，位于衬底的沟道区域上；栅极掩模，位于栅极结构上，栅极掩模包括第一电介质材料和杂质，栅极掩模中的杂质的浓度沿着从栅极掩模的上部区域向栅极掩模的下部区域延伸的方向减小；栅极间隔件，位于栅极掩模的侧壁和栅极结构的侧壁上，栅极间隔件包括第一电介质材料和杂质，栅极间隔件中的杂质的浓度沿着从栅极间隔件的上部区域向栅极间隔件的下部区域延伸的方向减小；以及源极/漏极区域，与栅极间隔件以及沟道区域相邻。
晶体管接触及其形成方法

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