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[发明专利]形成外延部件的方法-CN201310075181.X有效
发明人：郑有宏;郭紫微;蔡俊雄;许俊豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：形成外延部件的方法。本发明提供一种集成电路器件和制造该集成电路器件的方法。所披露的方法提供了基本上无缺陷的外延部件。一种示例性方法包括在衬底上方形成栅极结构；在衬底中形成凹槽从而使栅极结构介于凹槽之间；以及在凹槽中形成源极/漏极外延部件。形成源极/漏极外延部件包括实施选择性外延生长工艺以在凹槽中形成外延层，以及实施选择性回蚀刻工艺以从外延层移除位错区。
形成外延部件方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管器件的制造方法-CN201310347124.2有效
发明人： 许俊豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了鳍式场效应晶体管器件的制造方法。制造FinFET器件首先接收FinFET前体。FinFET前体包括衬底、鳍和包裹鳍的部分的伪栅叠层。去除伪栅叠层以形成栅极沟槽。在栅极沟槽中沉积高k栅极介电层。在高k栅极介电层上方沉积栅极金属层。在栅极金属层上方沉积导电且低密度的亚稳相材料。实施热处理以将导电且低密度的亚稳相材料转变为导电且高密度的稳相材料并伴随着大幅体积收缩。
场效应晶体管器件制造方法

[发明专利]调整多阈值电压的FinFET/三栅极沟道掺杂-CN201310177806.3有效
发明人：张郢;方子韦;许俊豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：控制鳍式场效应晶体管(FinFET)内阈值电压的实施例方法包括在鳍的中间部分的上方形成虚拟栅极，鳍的中间部分设置在未受虚拟栅极保护的鳍的外部部分之间；去除鳍的外部部分且用外延生长的含硅材料代替鳍的外部部分；在虚拟栅极和外延生长的含硅材料的上方应用旋涂光刻胶，然后去除虚拟栅极的硬掩膜层上方的旋涂光刻胶；蚀刻掉虚拟栅极的硬掩膜和多晶硅，以露出虚拟栅极的栅氧化物，其中，栅氧化物设置在鳍的中间部分的上方；以及穿过设置在鳍的中间部分上方的栅氧化物，将离子注入到鳍的中间部分中。
调整阈值电压 finfet 栅极沟道掺杂

[发明专利]一种用于粮食存储的高级氧化气体发生装置-CN201610893156.6在审
发明人：刘新旺;丁淑芬;许俊豪 -专利权人：北京金大万翔环保科技有限公司
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： A23B9/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于粮食存储的高级氧化气体发生装置，包括通过管路依次连接的空压机、冷干机、缓冲罐、吸附塔、储气罐、毛发过滤器和气体发生器；所述空压机吸入空气并压缩后送入冷干机；冷干机去除空气中水分后将空气经过缓冲罐送入吸附塔；吸附塔对空气吸附解析后送入储气罐；储气罐中空气经毛发过滤器进入气体发生器，通过介质阻挡放电法产生高级氧化气体。可安全、高效、准确得对储备粮食进行处理，一体化投加，具有全程监控，操作简单，节省人力，使处理投加工艺更加方便快捷，系统化设计便于管理减少成本,是未来市场的发展趋势。
一种用于粮食存储高级氧化气体发生装置

[实用新型]一种容性负载高频高压电源-CN201620764846.7有效
发明人：刘新旺;毕凤燕;许俊豪 -专利权人：北京金大万翔环保科技有限公司
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H02M5/458 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种容性负载高频高压电源，包括整流模块、滤波模块、全桥逆变模块、驱动模块、控制模块和浪涌吸收模块；其中，所述整流模块、滤波模块、全桥逆变模块分别与驱动模块和控制模块电连接；所述浪涌吸收模块与所述整流模块电连接。采用控制模块和驱动模块的电连接方式，一方面减小了主电路中的杂散电感，防止杂散电感和缓冲电容产生震荡，另一方面，控制模块采用了高智能高稳定的数字化电路且设置各种保护而过流、过压、欠流、欠压、温度过高、IGBT故障等的智能化保护。
一种负载高频高压电源

[发明专利]一种容性负载高频高压电源-CN201610572380.5在审
发明人：刘新旺;毕凤燕;许俊豪 -专利权人：北京金大万翔环保科技有限公司
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H02M5/458 文献下载
摘要：本发明提出了一种容性负载高频高压电源，包括：整流单元、滤波单元、全桥逆变单元、驱动单元、控制单元和浪涌吸收单元；其中，所述整流单元、滤波单元、全桥逆变单元分别与驱动单元和控制单元电连接；所述浪涌吸收单元与所述整流单元电连接。采用控制单元和驱动单元的电连接方式，一方面减小了主电路中的杂散电感，防止杂散电感和缓冲电容产生震荡，另一方面，控制单元采用了高智能高稳定的数字化电路且设置各种保护而过流、过压、欠流、欠压、温度过高、IGBT故障等的智能化保护。
一种负载高频高压电源

[发明专利]一种用于粮食存储的高级氧化气体装置-CN201610467653.X在审
发明人：刘新旺;许俊豪;丁淑芬 -专利权人：北京金大万翔环保科技有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： A23B9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于粮食存储的高级氧化气体装置，包括：PLC控制系统、气源系统、高级氧化气体投加系统和粮仓监测系统。可安全、高效、准确得对储备粮食进行处理，一体化投加，具有全程监控，操作简单，节省人力，使处理投加工艺更加方便快捷，系统化设计便于管理减少成本,是未来市场的发展趋势。
一种用于粮食存储高级氧化气体装置

[实用新型]一种多功能键盘垫-CN201520445043.0有效
发明人： 许俊豪 -专利权人： 许俊豪
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G06F3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种多功能键盘垫，包括键盘盖和键盘托，所述键盘盖和键盘托通过塑料铰链连接，所述键盘盖上设置有发热装置和按摩凸块，所述键盘盖一侧设置有USB接头。当用户不需要暖手的时候，可以将键盘盖平铺在桌面上，键盘垫上的按摩凸块就会对用户的手腕进行按摩；当用户需要暖手的时候，将键盘盖盖在键盘上，利用数据线连接USB接头，再接通电源，发热装置就会工作，用户在打字的时候，就不会感到手冷；在用户不使用键盘的时候，将键盘盖盖在键盘上，遮挡灰尘。
一种多功能键盘

[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管-CN201310359820.5有效
发明人： 许俊豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明的方法包括将第一金属层沉积在设置在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的源极和漏极中至少一个上的本征SiO₂层上。由本征SiO₂层和第一金属层形成金属氧化物层，其中，剩余的第一金属层、金属氧化物层、及源极与漏极中的至少一个形成金属绝缘体半导体（MIS）接触件。
金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]具有由高k保护金属层诱导的应变沟道的半导体器件-CN201110460914.2有效
发明人： 许俊豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种具有金属栅极的半导体器件。该器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括多个源极部件和漏极部件，以形成p-沟道和n-沟道。该器件还包括栅叠层，该栅叠层位于半导体衬底上方并被设置在源极部件和漏极部件之间。栅叠层包括：高k(HK)介电层，该高k(HK)介电层形成于半导体衬底的上方；拉伸应力HK保护层，该拉伸应力HK保护层形成于HK介电层的顶部上，紧邻p-沟道；压缩应力HK N-功函数(N-WF)金属层，该压缩应力HK N-功函数(N-WF)金属层形成于HK介电层的顶部上，紧邻n-沟道；以及金属栅极层堆叠件，该金属栅极层堆叠件沉积在保护层的上方。本发明提供了具有由高k保护金属层诱导的应变沟道的半导体器件。
具有保护金属诱导应变沟道半导体器件

[发明专利]具有低温除氧的金属栅极器件-CN201210065959.4有效
发明人： 许俊豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有金属栅极的半导体器件。器件包括：半导体衬底，位于半导体衬底上方的源极部件和漏极部件，以及位于半导体衬底上方并且设置在源极部件和漏极部件之间的栅叠层。栅叠层包括：界面层(IL)，形成在半导体衬底上方的高k(HK)介电层，形成在HK介电层顶部的除氧金属，通过使用低温除氧技术形成的改变的等效氧化层厚度(EOT)以及沉积在除氧金属层上方的金属栅叠层。本发明还提供了一种具有低温除氧的金属栅极器件。
具有低温金属栅极器件

[发明专利]自对准源极和漏极结构及其制造方法-CN201210200353.7有效
发明人：方子韦;张郢;许俊豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：公开了一种集成电路器件以及制造该集成电路器件的方法。在实例中，该方法包括在衬底上方形成栅极结构；在衬底中形成掺杂区；实施第一蚀刻工艺以去除掺杂区并在衬底中形成沟槽；以及实施第二蚀刻工艺，通过去除衬底的一部分改变沟槽。本发明还提供自对准源极和漏极结构及其制造方法。
对准结构及其制造方法

[发明专利]具有提高的载体迁移率的源极/漏极应力源及其制造方法-CN201110329739.3有效
发明人：林经祥;许俊豪;蔡邦彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了可以提高载体迁移率的各种源极/漏极应力源及其制造方法。示例性的源极/漏极应力源包括设置在第二材料的衬底上方的第一材料的种子层，第一材料与第二材料不同；设置在种子层上方的弛豫的外延层；以及设置在弛豫的外延层上方的外延层。
具有提高载体迁移率应力及其制造方法

[发明专利]鳍片场效应晶体管(FINFET)器件及其制造方法-CN201110324338.9有效
发明人： 许俊豪;张志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：公开了一种FinFET器件以及制造FinFET器件的方法。示例性方法包括提供半导体基板；在半导体基板上形成第一鳍片结构和第二鳍片结构；在第一鳍片结构和第二鳍片结构的一部分上形成栅极结构，使得栅极结构跨过第一鳍片结构和第二鳍片结构；在第一鳍片结构和第二鳍片结构的暴露部分上外延地生长第一半导体材料，使得第一鳍片结构和第二鳍片结构的暴露部分合并在一起；和在第一半导体材料上外延地生长第二半导体材料。
场效应晶体管 finfet 器件及其制造方法

[发明专利]半导体平坦化中降低非均匀性-CN201110271864.3有效
发明人：陈能国;许俊豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：提供了一种平坦化半导体器件的方法。所述方法包括提供基板。所述方法包括在所述基板上形成第一层。所述方法包括在所述第一层上形成第二层。所述第一和第二层具有不同的材料组分。所述方法包括在所述第二层上形成第三层。所述方法包括在所述第三层上实施抛光工艺直到基本除去所述第三层。所述方法包括实施回蚀刻工艺以除去所述第二层和所述第一层的一部分。其中关于所述第一和第二层的回蚀刻工艺的蚀刻选择性大约为1∶1。
半导体平坦降低均匀