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[发明专利]一种晶体管、半导体集成电路-CN202280006653.3在审
发明人：王学雯;李泠霏;吴颖;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种晶体管、包含该晶体管的半导体集成电路。涉及半导体技术领域。主要目的是为了提供一种可以实现低能耗、小尺寸的晶体管结构。该晶体管包括：源极、漏极和沟道，以及栅极，并且，由半导体材料形成的沟道设置在源极和漏极之间，栅极堆叠在沟道的至少部分表面上，也就是说，这里的晶体管属于一种三端子半导体器件。除此之外，该晶体管还包括应力层和用于给应力层施加电压的应力栅极，且源极和漏极的至少部分表面上堆叠有应力层，应力控制栅层堆叠在应力层上。
一种晶体管半导体集成电路

[发明专利]基于弱耦合增强的石墨烯结构、石墨烯膜及光电器件-CN202011612019.3有效
发明人：高超;彭蠡;李泠霏;方文章;刘英军 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明提供一种基于弱耦合增强的石墨烯结构，这种石墨烯结构通过弱耦合作用是的本体材料具有线性能带特征，促进热电子的跃迁，增加联合态密度；AB结构的存在和厚度的增加配合延长热电子弛豫时间，从而提升高能态热电子数量，同时降低了膜制备工艺的要求和成本，增加了膜制备的成功率。另外，基于石墨烯/半导体肖特基结，可以探测低能量的光，将石墨烯/硅光电器件的探测范围从可见和近红外拓展到中远红外。本发明还提供一种弱耦合增强的石墨烯光电膜，通过弱耦合实现多层石墨烯的光吸收的叠加，提高石墨烯膜的光吸收率，从而在低能量波段，热电子仍然可以积累。
基于耦合增强石墨结构光电器件

[发明专利]图像传感器、制备图像传感器的方法和粒子探测器-CN202180090839.7在审
发明人： 李泠霏;黄柳冰;吴颖;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种图像传感器、制备图像传感器的方法和粒子探测器。该图像传感器包括衬底；感光层，包括感光阵列单元，感光阵列单元用于接收由感光层的第一面入射的高能粒子并将高能粒子转换成电信号；布线层，布置在感光层与衬底之间，其与感光层中与第一面相对的第二面贴合；以及负电荷介质层，沉积在感光层的第一面之上。根据本公开实施例的图像传感器能够有效抑制暗电流。同时，由于只采用负电荷介质层与感光层的背面直接接触，从而能够实现优异的抗辐照性能，使得图像传感器能够应用于高能粒子探测等领域。
图像传感器制备方法粒子探测器

[发明专利]卫星明密态遥控遥测指令数据传输系统及方法-CN202310595550.1在审
发明人：朱昊;沈欣;丁宇池;周航琪;李泠霏 -专利权人：中国科学院微小卫星创新研究院;上海微小卫星工程中心
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H04B7/185 文献下载
摘要：本发明提供了一种卫星明密态遥控遥测指令数据传输系统及方法，其中系统包括：测控模块、加解密模块以及星载计算机模块；测控模块与星载计算机模块之间经过加解密模块透传连接，形成独立的明态上下行通道；测控模块与星载计算机模块之间经过加解密模块加解密连接，形成独立的密态上下行通道；星载计算机模块采用LSCCU01型中央控制单元SIP模块作为处理器，其TC/TM接口作为明态遥控遥测接口，用于连接明态上下行通道，星载计算机的IO接口板的同步RS422接口作为密态遥控遥测接口，用于连接密态上下行通道。本发明采用明态和密态接口分开设计的方案，为国产处理器在航空航天领域数据保密严格要求的情况下实现了有效的应用。
卫星明密态遥控遥测指令数据传输系统方法

[发明专利]图像传感器、成像装置及方法-CN202211198000.8在审
发明人： 李泠霏;葛宝梁;刘文可;孔云川;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G02B30/54 文献下载
摘要：本申请提供了一种图像传感器、成像装置及方法，图像传感器，设置于微观样品的成像装置中，包括：包覆设置在所述成像装置的通道内壁面上的感光像素阵列，和设置于所述感光像素阵列上的表面功能层，其中，所述感光像素阵列包括至少两个感光像素面；所述表面功能层，用于获得所述微观样品对应所述至少两个感光像素面中每一个面的第一光信号，得到第二光信号；所述感光像素阵列，用于根据所述第二光信号得到二维图像，以使得与所述图像传感器连接的处理器根据预设算法和所述二维图像，得到三维图像。能够提供小型化成像装置，并实现3D图像的简单高效成像。
图像传感器成像装置方法

[发明专利]一种光学模块及光学设备-CN202310227259.9在审
发明人： 李泠霏;葛宝梁;孔云川;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01B9/02015 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种光学模块及光学设备，涉及光学技术领域，解决了现有离轴共路干涉光学系统结构设计复杂的问题。该光学模块包括支撑架及均设置在支撑架上的第一反射元件和分光片。其中，分光片与第一反射元件相对，且第一反射元件相对分光片倾斜设置。第一反射元件与分光片之间的区域可以用于设置待检测样品。分光片被配置为：将入射光束中的第一子光束直接反射、将入射光束中的第二子光束透射以及将第一反射光束出射。第一反射光束为发射至第一反射元件的光束的反射光。第一反射元件被配置为：反射第二子光束中透射至第一反射元件的部分光束。
一种光学模块设备

[发明专利]成像系统及方法-CN202310247587.5在审
发明人： 李泠霏;葛宝梁;孔云川;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本申请提供了一种成像系统及方法，系统包括至少一个照明单元，用于产生照明光照射样品，所述照明光照射所述样品后产生第一信号光和第二信号光，其中，所述第一信号光经过物镜收集进入有透镜成像探测单元，所述第二信号光进入无透镜成像探测单元，所述有透镜成像探测单元包括所述物镜；所述有透镜成像探测单元，用于调制和收集经过的所述第一信号光，并转化为第一电信号传输到计算控制单元；所述无透镜成像探测单元，用于调制和收集进入的所述第二信号光，并转化为第二电信号传输到所述计算控制单元；所述计算控制单元，用于对收到的所述第一电信号和所述第二电信号进行处理得到图像。能够实现大视场、高分辨、高通量的成像。
成像系统方法

[发明专利]背照式图像传感器及其制作方法、电子设备-CN202210109230.6在审
发明人：黄柳冰;李泠霏;吴颖;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供一种背照式图像传感器及其制作方法、电子设备，涉及传感器领域，该背照式图像传感器通过在探测面设置金属层使得界面缺陷造成的中间能级远离费米能级，从而能够降低传感器的暗电流，增强抗辐照性能。该背照式图像传感包括衬底以及依次设置于衬底上的金属布线层、半导体层、金属层。其中，半导体层中分布有像素阵列，半导体层远离衬底的表面为所述像素阵列的探测面。金属层设置在探测面上，并且金属层采用的金属材料的功函数大于半导体层中半导体材料的功函数。
背照式图像传感器及其制作方法电子设备

[发明专利]集成于纳米线的片上光谱仪及其探测器阵列的制备方法-CN201911028756.6有效
发明人：王肖沐;王军转;李泠霏;郑斌杰 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明提出一种集成于单根半导体纳米线的片上光谱仪，涉及到器件设计、器件制备方法和光谱仪工作原理等几个方面。基于半导体纳米线材料和电极金属的物性特点，合理设计集成于单根半导体纳米线的肖特基结型探测器阵列，待探测光通过设计的耦合器耦合进具有高反射率的半导体纳米线波导里面，肖特基二极管的高灵敏度以及波导增强的光和物质作用共同决定了器件具有高的光电探测率，可以探测弱光信号，从而实现芯片集成的微型光谱仪；本发明公开的这种宽光谱高探测率的片上光谱仪,能够检测微型结构、材料拉曼以及荧光，在生物医学、物联网涉及微型光谱检测领域有着重要的应用前景。
集成纳米光谱仪及其探测器阵列制备方法

[发明专利]一种基于调控半导体材料吸收层厚度的光谱探测器件-CN202110806405.4在审
发明人：徐杨;陈丽;李泠霏;刘威;田丰;吴少雄;吕建杭;李涵茜;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于调控半导体材料吸收层厚度的光谱探测器件。该器件包括绝缘层、半导体材料吸收层、正电极、负电极及二维材料薄膜，半导体材料吸收层呈阶梯阵列结构。有光线入射时，由于二维材料的高透光率，光线进入半导体材料并被吸收，不同波长入射光在半导体材料吸收层中的吸收深度不同，因此，对于特定厚度的半导体材料吸收层，对于不同波长的入射光其吸收量不同，对应可贡献光电流不同。各阶梯单元对应的两端电极之间均施加相同恒定电压，分别读取各阶梯单元黑暗和光照条件下产生的电流信号，取二者之差作为最终光电流信号，与预先标定构建的器件不同阶梯单元下响应度‑波长谱建立线性方程组求解最优解，即可获取入射光谱信息。
一种基于调控半导体材料吸收厚度光谱探测器件

[发明专利]一种基于肖特基-MOS混合结构的光致负阻器件-CN201711295008.5有效
发明人：徐杨;李炜;郭宏伟;刘威;万霞;刘粒祥;吕建杭;李泠霏;阿亚兹;胡乐;刘晨;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于肖特基‑MOS混合结构的光致负阻器件，包括半导体衬底，半导体衬底的上表面覆盖氧化物隔离层，氧化物隔离层的上表面覆盖环形顶电极；氧化物隔离层上开有圆形氧化层窗口；氧化层窗口的面积为顶电极所围面积的1/10～1/9；在氧化层窗口的内侧壁、半导体衬底暴露部分、顶电极的内侧壁和上表面、氧化物隔离层上表面覆盖石墨烯薄膜；本发明以石墨烯作为有源层和透明电极，石墨烯与半导体接触形成肖特基结，石墨烯覆盖在氧化物的上表面与半导体衬底形成MOS结，两种元件并联形成混合结构。一定强度的光照可以直接控制器件的阻抗特性，适合应用于光电开关和光控振荡器等电路。本发明器件成本低廉，具有负阻区间大，响应速度快，易于集成的特点。
上表面半导体衬底氧化物隔离层混合结构石墨烯氧化层光致负阻器件顶电极内侧壁肖特基覆盖覆盖氧化物光控振荡器石墨烯薄膜发明器件光电开关透明电极肖特基结元件并联阻抗特性电极隔离层环形顶氧化物负阻源层光照电路暴露响应应用

[实用新型]汽车陷坑自救装置-CN201720945732.7有效
发明人： 李泠霏 -专利权人： 李泠霏
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： B60S13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种汽车陷坑自救装置，涉及汽车用举升装置技术领域。所述装置包括电推杆本体和连接块，所述连接块固定在所述电推杆本体的固定部上，所述连接块上设有贯穿其左右表面的螺纹孔，第一轮毂螺母连接件固定在所述螺纹孔内，所述第一轮毂螺母连接件包括螺杆部以及固定在所述螺杆部一端的第一螺母套筒部，所述螺杆部的另一端设有内六角凹槽，所述电推杆本体的固定部的右侧面上固定有向右侧延伸的轴套，所述轴套内设有轴承，所述轴承的内圈固定有连接杆，柔性金属线的一端与所述连接杆固定，柔性金属线的另一端与重锤块固定连接。所述装置具有自动化程度高、使用方便的优点。
汽车陷坑自救装置

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